Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMV50ENEAR
PMV50ENEAR

PMV50ENEAR Nexperia USA Inc.

PMV50ENEA.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 3.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 276 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMV50ENEAR Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 3.9W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 276 pF @ 15 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PMV50ENEAR за ціною від 6.39 грн до 39.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PMV50ENEAR PMV50ENEAR Виробник : Nexperia PMV50ENEA-2939005.pdf MOSFET PMV50ENEA/SOT23/TO-236AB
на замовлення 30525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.12 грн
13+ 25.55 грн
100+ 12.42 грн
1000+ 8.45 грн
3000+ 7.03 грн
9000+ 6.46 грн
24000+ 6.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMV50ENEAR PMV50ENEAR Виробник : Nexperia USA Inc. PMV50ENEA.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 3.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 276 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.15 грн
13+ 23.51 грн
100+ 15 грн
500+ 10.62 грн
1000+ 9.5 грн
Мінімальне замовлення: 8
PMV50ENEAR Виробник : NEXPERIA PMV50ENEA.pdf PMV50ENEAR SMD N channel transistors
товару немає в наявності
PMV50ENEAR PMV50ENEAR Виробник : NEXPERIA 1747208364390829pmv50enea.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності