![PMV55ENEAR PMV55ENEAR](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5527/1727%7ESOT23-3%7ES23%7E3.jpg)
PMV55ENEAR Nexperia USA Inc.
![PMV55ENEA.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 60V 3.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 478mW (Ta), 8.36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 8.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMV55ENEAR Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 3.1A TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 478mW (Ta), 8.36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 30 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції PMV55ENEAR за ціною від 6.83 грн до 32.42 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PMV55ENEAR | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 400951 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PMV55ENEAR | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V Power Dissipation (Max): 478mW (Ta), 8.36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
PMV55ENEAR | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||
![]() |
PMV55ENEAR | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товар відсутній |