на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMV52ENEAR NEXPERIA
Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 5.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції PMV52ENEAR за ціною від 5.51 грн до 27.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMV52ENEAR | Виробник : Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A TO236ABPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 5.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMV52ENEAR | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 5.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 10315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMV52ENEAR | Виробник : Nexperia |
MOSFET PMV52ENEA/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 6693 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMV52ENEAR | Виробник : NEXPERIA |
30 V, N-channel Trench MOSFET |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
PMV52ENEAR | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 3.2A; Idm: 13A Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of package: reel; tape Technology: Trench Polarisation: unipolar Gate charge: 3.3nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 13A Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.2A On-state resistance: 124mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
PMV52ENEAR | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 3.2A; Idm: 13A Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of package: reel; tape Technology: Trench Polarisation: unipolar Gate charge: 3.3nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 13A Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.2A On-state resistance: 124mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |