![PMV40UN2R PMV40UN2R](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2019/1/8/15/1/27/140273/nexpe_/manual/sot23_3d.jpg)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 4.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMV40UN2R NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMV40UN2R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.4 A, 0.036 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 490mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції PMV40UN2R за ціною від 3.99 грн до 27.89 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PMV40UN2R | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 3.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 490mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 15 V |
на замовлення 399000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMV40UN2R | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 168000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMV40UN2R | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMV40UN2R | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMV40UN2R | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMV40UN2R | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 490mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 34598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMV40UN2R | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMV40UN2R | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 1W; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.3A Power dissipation: 1W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 78mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 434 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMV40UN2R | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 1W; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.3A Power dissipation: 1W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 78mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 434 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMV40UN2R | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 490mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 34598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMV40UN2R | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 327190 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMV40UN2R | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 3.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 490mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 15 V |
на замовлення 403850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
PMV40UN2R | Виробник : NXP |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PMV40UN2R Код товару: 175226 |
![]() |
товар відсутній
|