![PMV37ENEAR PMV37ENEAR](https://download.siliconexpert.com/pdfs2/2021/2/10/11/33/44/847541/nexpe_/manual/nxv65upr.jpg)
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
49+ | 6.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMV37ENEAR NEXPERIA
Description: MOSFET N-CH 60V 3.5A TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 30 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції PMV37ENEAR за ціною від 6.13 грн до 31.79 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PMV37ENEAR | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMV37ENEAR | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 710mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 12432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMV37ENEAR | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 23887 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMV37ENEAR | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 212673 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMV37ENEAR | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 2.5A; Idm: 14A Pulsed drain current: 14A Gate charge: 13nC Polarisation: unipolar Technology: Trench Features of semiconductor devices: ESD protected gate Drain current: 2.5A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: SOT23; TO236AB On-state resistance: 106mΩ Mounting: SMD кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
PMV37ENEAR | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 2.5A; Idm: 14A Pulsed drain current: 14A Gate charge: 13nC Polarisation: unipolar Technology: Trench Features of semiconductor devices: ESD protected gate Drain current: 2.5A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: SOT23; TO236AB On-state resistance: 106mΩ Mounting: SMD |
товар відсутній |