Продукція > NEXPERIA > PMV32UP,215
PMV32UP,215

PMV32UP,215 NEXPERIA

2119129069403233pmv32up.pdf Виробник: NEXPERIA
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMV32UP,215 NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PMV32UP,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.032 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 510mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції PMV32UP,215 за ціною від 6.76 грн до 39.2 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PMV32UP,215 PMV32UP,215 Виробник : Nexperia 2119129069403233pmv32up.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.09 грн
9000+ 10.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMV32UP,215 PMV32UP,215 Виробник : Nexperia 2119129069403233pmv32up.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.27 грн
9000+ 10.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMV32UP,215 PMV32UP,215 Виробник : Nexperia USA Inc. PMV32UP.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+13.12 грн
6000+ 11.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMV32UP,215 PMV32UP,215 Виробник : Nexperia 2119129069403233pmv32up.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+13.13 грн
6000+ 12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMV32UP,215 PMV32UP,215 Виробник : Nexperia 2119129069403233pmv32up.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+15.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMV32UP,215 PMV32UP,215 Виробник : NEXPERIA PMV32UP.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.5A; 930mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.5A
Power dissipation: 930mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+17.98 грн
25+ 14.95 грн
71+ 11.88 грн
195+ 11.24 грн
Мінімальне замовлення: 22
PMV32UP,215 PMV32UP,215 Виробник : NEXPERIA PMV32UP.pdf Description: NEXPERIA - PMV32UP,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.032 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+21.03 грн
500+ 11.91 грн
1500+ 10.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
PMV32UP,215 PMV32UP,215 Виробник : NEXPERIA PMV32UP.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.5A; 930mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.5A
Power dissipation: 930mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2357 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+21.58 грн
25+ 18.64 грн
71+ 14.26 грн
195+ 13.49 грн
3000+ 13.33 грн
Мінімальне замовлення: 14
PMV32UP,215 PMV32UP,215 Виробник : NEXPERIA PMV32UP.pdf Description: NEXPERIA - PMV32UP,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.032 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+31.58 грн
50+ 26.35 грн
100+ 21.03 грн
500+ 11.91 грн
1500+ 10.79 грн
Мінімальне замовлення: 25
PMV32UP,215 PMV32UP,215 Виробник : Nexperia PMV32UP-2938736.pdf MOSFETs PMV32UP/SOT23/TO-236AB
на замовлення 227561 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+34.07 грн
12+ 28.21 грн
100+ 18.33 грн
500+ 14.43 грн
1000+ 11.22 грн
3000+ 8.99 грн
9000+ 8.85 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMV32UP,215 PMV32UP,215 Виробник : Nexperia USA Inc. PMV32UP.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 10 V
на замовлення 8855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.2 грн
10+ 32.01 грн
100+ 22.27 грн
500+ 16.32 грн
1000+ 13.26 грн
Мінімальне замовлення: 8
PMV32UP,215 Виробник : NXP PMV32UP.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin TO-236AB PMV32UP,215 TPMV32up
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+6.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
PMV32UP,215
Код товару: 188518 		PMV32UP.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
PMV32UP,215 PMV32UP,215 Виробник : Nexperia 2119129069403233pmv32up.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
PMV32UP,215 PMV32UP,215 Виробник : Nexperia 2119129069403233pmv32up.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній