![PMV130ENEAR PMV130ENEAR](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2019/1/8/15/1/27/140273/nexpe_/manual/sot23_3d.jpg)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 4.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMV130ENEAR NEXPERIA
Description: MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 20 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції PMV130ENEAR за ціною від 5.51 грн до 32.93 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PMV130ENEAR | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
PMV130ENEAR | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 705000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
PMV130ENEAR | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 1.5A; Idm: 8A; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 1.5A Pulsed drain current: 8A Case: SOT23; TO236AB On-state resistance: 233mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level |
на замовлення 421 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
PMV130ENEAR | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 1.5A; Idm: 8A; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 1.5A Pulsed drain current: 8A Case: SOT23; TO236AB On-state resistance: 233mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 421 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
PMV130ENEAR | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 460mW Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2055 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
PMV130ENEAR | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 3330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
PMV130ENEAR | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 460mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
PMV130ENEAR | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 3330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
PMV130ENEAR | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 15038 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
PMV130ENEAR | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 74745 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
PMV130ENEAR | Виробник : Nexperia |
![]() |
товар відсутній |