![PMV45EN2R PMV45EN2R](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/daf6455b386ecb473432140f17a508fd7bbad2b9/nxv65upr.jpg)
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 6.95 грн |
9000+ | 6.2 грн |
24000+ | 5.63 грн |
99000+ | 5.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMV45EN2R Nexperia
Description: NEXPERIA - PMV45EN2R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.1 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 510mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 510mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції PMV45EN2R за ціною від 5.51 грн до 35.65 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PMV45EN2R | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 117000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMV45EN2R | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.1A, 10V Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMV45EN2R | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMV45EN2R | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; 1115mW; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB On-state resistance: 66mΩ Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.6A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1115mW Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 6.3nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 9492 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMV45EN2R | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 510mW Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 7864 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMV45EN2R | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; 1115mW; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB On-state resistance: 66mΩ Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.6A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1115mW Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 6.3nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9492 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMV45EN2R | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 2510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMV45EN2R | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 2510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMV45EN2R | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.1A, 10V Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V |
на замовлення 48378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMV45EN2R | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 44836 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMV45EN2R | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 510mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 510mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 7864 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
PMV45EN2R | Виробник : NXP |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PMV45EN2R Код товару: 187508 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
![]() |
PMV45EN2R | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товар відсутній |