Продукція > NEXPERIA > PMV65UNER
PMV65UNER

PMV65UNER NEXPERIA

322325383309183pmv65une.pdf Виробник: NEXPERIA
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMV65UNER NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PMV65UNER - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.063 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 490mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції PMV65UNER за ціною від 4.6 грн до 29.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PMV65UNER PMV65UNER Виробник : Nexperia 322325383309183pmv65une.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMV65UNER PMV65UNER Виробник : Nexperia 322325383309183pmv65une.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
603+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 603
PMV65UNER PMV65UNER Виробник : Nexperia 322325383309183pmv65une.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMV65UNER PMV65UNER Виробник : Nexperia 322325383309183pmv65une.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMV65UNER PMV65UNER Виробник : Nexperia 322325383309183pmv65une.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMV65UNER PMV65UNER Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003105822-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMV65UNER - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.063 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+9.23 грн
500+ 6.96 грн
1000+ 4.94 грн
5000+ 4.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
PMV65UNER PMV65UNER Виробник : NEXPERIA PMV65UNE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.8A; Idm: 11A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 11A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 13725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
35+12.67 грн
45+ 8.28 грн
100+ 7.48 грн
135+ 6.41 грн
360+ 6.06 грн
3000+ 5.95 грн
Мінімальне замовлення: 35
PMV65UNER PMV65UNER Виробник : NEXPERIA PMV65UNE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.8A; Idm: 11A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 11A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 13725 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+15.2 грн
30+ 10.31 грн
100+ 8.97 грн
135+ 7.69 грн
360+ 7.27 грн
3000+ 7.14 грн
Мінімальне замовлення: 20
PMV65UNER PMV65UNER Виробник : Nexperia 322325383309183pmv65une.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
470+15.9 грн
500+ 15.83 грн
1000+ 15.75 грн
3000+ 15.12 грн
6000+ 13.93 грн
Мінімальне замовлення: 470
PMV65UNER PMV65UNER Виробник : Nexperia 322325383309183pmv65une.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
706+17.13 грн
709+ 17.05 грн
1000+ 16.97 грн
3000+ 16.28 грн
6000+ 15 грн
Мінімальне замовлення: 706
PMV65UNER PMV65UNER Виробник : Nexperia USA Inc. PMV65UNE.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 10 V
на замовлення 3022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.39 грн
17+ 17.57 грн
100+ 8.89 грн
500+ 7.39 грн
1000+ 5.75 грн
Мінімальне замовлення: 12
PMV65UNER PMV65UNER Виробник : Nexperia PMV65UNE-2301129.pdf MOSFET PMV65UNE/SOT23/TO-236AB
на замовлення 10683 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+26.51 грн
17+ 19.56 грн
100+ 7.81 грн
1000+ 5.99 грн
3000+ 5.09 грн
9000+ 4.95 грн
24000+ 4.6 грн
Мінімальне замовлення: 13
PMV65UNER PMV65UNER Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003105822-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMV65UNER - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.063 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+29.32 грн
37+ 21.58 грн
100+ 9.23 грн
500+ 6.96 грн
1000+ 4.94 грн
5000+ 4.75 грн
Мінімальне замовлення: 27
PMV65UNER PMV65UNER Виробник : Nexperia 322325383309183pmv65une.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
PMV65UNER PMV65UNER Виробник : Nexperia USA Inc. PMV65UNE.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 10 V
товар відсутній