на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 5.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMV280ENEAR NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMV280ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.1 A, 0.285 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.1, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 580, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7, euEccn: NLR, Verlustleistung: 580, Bauform - Transistor: TO-236AB, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.285, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції PMV280ENEAR за ціною від 4.92 грн до 41.2 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PMV280ENEAR | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMV280ENEAR | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMV280ENEAR | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMV280ENEAR | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 1.1A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 580mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 50 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMV280ENEAR | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMV280ENEAR | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMV280ENEAR | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMV280ENEAR | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV280ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.1 A, 0.285 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 580 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 16680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMV280ENEAR | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 7766 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMV280ENEAR | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 800mA; Idm: 5A; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.8A Pulsed drain current: 5A Case: SOT23; TO236AB On-state resistance: 1078mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level |
на замовлення 985 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMV280ENEAR | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 1.1A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 580mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 50 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 34561 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMV280ENEAR | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 7766 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMV280ENEAR | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 800mA; Idm: 5A; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.8A Pulsed drain current: 5A Case: SOT23; TO236AB On-state resistance: 1078mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 985 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMV280ENEAR | Виробник : Nexperia | MOSFET PMV280ENEA/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 237745 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMV280ENEAR | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV280ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.1 A, 0.285 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.1 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 580 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7 euEccn: NLR Verlustleistung: 580 Bauform - Transistor: TO-236AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.285 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 16680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMV280ENEAR Код товару: 194408 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|