на замовлення 5676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMV100EPAR NEXPERIA
Description: MOSFET P-CH 60V 2.2A TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 616 pF @ 30 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції PMV100EPAR за ціною від 7.3 грн до 36.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMV100EPAR | Виробник : Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET P-CH 60V 2.2A TO236ABPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 616 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMV100EPAR | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 60V 2.2A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 616 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 13534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMV100EPAR | Виробник : Nexperia |
MOSFET PMV100EPA/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 85974 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMV100EPAR | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -1.4A; Idm: -9A Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Drain current: -1.4A On-state resistance: 276mΩ Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 17nC Technology: Trench Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -9A Drain-source voltage: -60V кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
PMV100EPAR | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -1.4A; Idm: -9A Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Drain current: -1.4A On-state resistance: 276mΩ Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 17nC Technology: Trench Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -9A Drain-source voltage: -60V |
товар відсутній |