![PMV48XP,215 PMV48XP,215](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2019/1/8/15/1/27/140273/nexpe_/manual/sot23_3d.jpg)
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 6.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMV48XP,215 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMV48XP,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.048 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 510mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції PMV48XP,215 за ціною від 8.57 грн до 38.54 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PMV48XP,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMV48XP,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: true rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 510mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMV48XP,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMV48XP,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMV48XP,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMV48XP,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMV48XP,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 510mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V |
на замовлення 11480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMV48XP,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMV48XP,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 7943 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMV48XP,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 7943 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMV48XP,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 510mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 12161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMV48XP,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -14A; 930mW Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.2A Pulsed drain current: -14A Power dissipation: 930mW Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 55mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2075 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMV48XP,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 510mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 12161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMV48XP,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 510mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V |
на замовлення 11516 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMV48XP,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -14A; 930mW Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.2A Pulsed drain current: -14A Power dissipation: 930mW Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 55mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2075 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMV48XP,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 82419 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
PMV48XP,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|