Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (19922) > Сторінка 257 з 333

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 33 66 99 132 165 198 231 252 253 254 255 256 257 258 259 260 261 262 264 297 330 333  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IXYH8N250CV1HV IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh8n250cv1hv_datasheet.pdf.pdf IXYH8N250CV1HV THT IGBT transistors
товар відсутній
IXYJ20N120C3D1 IXYS IXYJ20N120C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 21A; 105W; TO247
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 21A
Power dissipation: 105W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 90ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXYK100N120C3 IXYK100N120C3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyx100n120c3_datasheet.pdf.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 100A; 1.15kW; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Power dissipation: 1.15kW
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 490A
Mounting: THT
Gate charge: 260C
Kind of package: tube
Turn-on time: 143ns
Turn-off time: 271ns
товар відсутній
IXYK120N120C3 IXYK120N120C3 IXYS IXYK(x)120N120C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 120A
Power dissipation: 1.5kW
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 700A
Mounting: THT
Gate charge: 412nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 346ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 268 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1812.51 грн
2+ 1652.79 грн
IXYK140N90C3 IXYK140N90C3 IXYS IXYK(X)140N90C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 140A; 1.63kW; TO264
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 900V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 140A
Pulsed collector current: 840A
Turn-on time: 122ns
Turn-off time: 0.3µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 1.63kW
Kind of package: tube
Gate charge: 330nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Case: TO264
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXYK200N65B3 IXYS IXYK200N65B3 THT IGBT transistors
товар відсутній
IXYL40N250CV1 IXYS IXYL40N250CV1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; XPT™; 2.5kV; 40A; 577W; ISOPLUS i5-pac™
Type of transistor: IGBT
Technology: XPT™
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 577W
Case: ISOPLUS i5-pac™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 43ns
Turn-off time: 505ns
Features of semiconductor devices: high voltage
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXYL60N450 IXYS IXYL60N450.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; XPT™; 4.5kV; 38A; 417W; ISOPLUS i5-pac™
Type of transistor: IGBT
Technology: XPT™
Collector-emitter voltage: 4.5kV
Collector current: 38A
Power dissipation: 417W
Case: ISOPLUS i5-pac™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 680A
Mounting: THT
Gate charge: 366nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 724ns
Turn-off time: 1.58µs
Features of semiconductor devices: high voltage
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXYN100N120B3H1 IXYN100N120B3H1 IXYS IXYN100N120B3H1.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 76A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 76A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
Power dissipation: 690W
Technology: GenX3™; XPT™
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXYN100N120C3 IXYN100N120C3 IXYS IXYN100N120C3.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 84A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 84A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 460A
Power dissipation: 830W
Technology: GenX3™; XPT™
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXYN100N120C3H1 IXYN100N120C3H1 IXYS IXYN100N120C3H1.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 62A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 62A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 440A
Power dissipation: 690W
Technology: GenX3™; XPT™
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXYN100N65A3 IXYN100N65A3 IXYS IXYN100N65A3.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 100A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Collector current: 100A
Power dissipation: 600W
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 460A
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 650V
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
кількість в упаковці: 300 шт
товар відсутній
IXYN100N65B3D1 IXYN100N65B3D1 IXYS IXYN100N65B3D1.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 100A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Collector current: 100A
Power dissipation: 600W
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 490A
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 650V
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXYN100N65C3H1 IXYN100N65C3H1 IXYS IXYN100N65C3H1.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 90A; SOT227B; 600W
Technology: GenX3™; XPT™
Collector current: 90A
Power dissipation: 600W
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 420A
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 650V
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXYN120N120C3 IXYN120N120C3 IXYS IXYN120N120C3.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 120A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Collector current: 120A
Power dissipation: 1.2kW
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 700A
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXYN150N60B3 IXYN150N60B3 IXYS IXYN150N60B3.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 140A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Collector current: 140A
Power dissipation: 830W
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 750A
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXYN30N170CV1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyn30n170cv1_datasheet.pdf.pdf IXYN30N170CV1 IGBT modules
товар відсутній
IXYN50N170CV1 IXYN50N170CV1 IXYS IXYN50N170CV1.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 50A; SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 485A
Power dissipation: 880W
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: XPT™
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 1.7kV
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXYN75N65C3D1 IXYN75N65C3D1 IXYS IXYN75N65C3D1.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 75A; SOT227B; 600W
Technology: GenX3™; XPT™
Collector current: 75A
Power dissipation: 600W
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 360A
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 650V
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXYN80N90C3H1 IXYN80N90C3H1 IXYS IXYN80N90C3H1.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 900V; Ic: 70A; SOT227B; 500W
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 900V
Collector current: 70A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 340A
Power dissipation: 500W
Technology: GenX3™; XPT™
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2950.49 грн
IXYN82N120C3 IXYN82N120C3 IXYS IXYN82N120C3.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 46A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 46A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 380A
Power dissipation: 600W
Technology: GenX3™; XPT™
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXYN82N120C3H1 IXYN82N120C3H1 IXYS IXYN82N120C3H1.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 66A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 66A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 320A
Power dissipation: 500W
Technology: GenX3™; XPT™
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXYP10N65C3 IXYP10N65C3 IXYS IXYP10N65C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 10A; 160W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 10A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 54A
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 128ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXYP10N65C3D1M IXYP10N65C3D1M IXYS IXYP10N65C3D1M.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 7A; 53W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 7A
Power dissipation: 53W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 128ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+205.46 грн
3+ 179.12 грн
8+ 138.51 грн
21+ 130.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXYP15N65C3 IXYP15N65C3 IXYS IXYP15N65C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 15A
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 122ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXYP15N65C3D1 IXYP15N65C3D1 IXYS IXYA(P)15N65C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 15A
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXYP15N65C3D1M IXYP15N65C3D1M IXYS IXYP15N65C3D1M.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 57W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 9A
Power dissipation: 57W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 122ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXYP20N120C3 IXYP20N120C3 IXYS IXYH(P)20N120C3_HV.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 278W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 96A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXYP20N65B3D1 IXYP20N65B3D1 IXYS IXYP20N65B3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 230W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 108A
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 39ns
Turn-off time: 271ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXYP20N65C3D1 IXYP20N65C3D1 IXYS IXY_20N65C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+276.75 грн
7+ 175.5 грн
17+ 159.42 грн
500+ 155.93 грн
1000+ 154.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXYP20N65C3D1M IXYP20N65C3D1M IXYS IXYP20N65C3D1M.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 50W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 9A
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXYP30N120C3 IXYP30N120C3 IXYS IXY_30N120C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 500W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 500W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 145A
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 296ns
кількість в упаковці: 300 шт
товар відсутній
IXYP30N65C3 IXYP30N65C3 IXYS IXYH(P)30N65C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 270W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 118A
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 0.12µs
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXYP50N65C3 IXYP50N65C3 IXYS IXY_50N65C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXYP8N90C3 IXYP8N90C3 IXYS IXYP(y)8N90C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 8A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 48A
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 39ns
Turn-off time: 238ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXYP8N90C3D1 IXYP8N90C3D1 IXYS IXYA(P)8N90C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 8A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 48A
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 39ns
Turn-off time: 238ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 147 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+351.81 грн
3+ 304.87 грн
5+ 234.34 грн
12+ 222.14 грн
IXYR100N120C3 IXYR100N120C3 IXYS IXYR100N120C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 56A; 484W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 56A
Power dissipation: 484W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 450A
Mounting: THT
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 143ns
Turn-off time: 271ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXYR50N120C3D1 IXYR50N120C3D1 IXYS IXYR50N120C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 32A; 290W; PLUS247™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 32A
Pulsed collector current: 210A
Turn-on time: 96ns
Turn-off time: 0.22µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 290W
Gate charge: 142nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Kind of package: tube
Mounting: THT
Case: PLUS247™
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXYT20N120C3D1HV IXYT20N120C3D1HV IXYS IXYT20N120C3D1HV.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 17A; 230W; TO268HV
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 17A
Power dissipation: 230W
Case: TO268HV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 88A
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 0.22µs
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXYT25N250CHV IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_25n250chv_datasheet.pdf.pdf IXYT25N250CHV SMD IGBT transistors
товар відсутній
IXYT30N450HV IXYT30N450HV IXYS IXYH(t)30N450HV.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; XPT™; 4.5kV; 30A; 430W; TO268HV
Type of transistor: IGBT
Technology: XPT™
Collector-emitter voltage: 4.5kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 430W
Case: TO268HV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: SMD
Gate charge: 88nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 632ns
Turn-off time: 1542ns
Features of semiconductor devices: high voltage
кількість в упаковці: 300 шт
товар відсутній
IXYT30N65C3H1HV IXYS IXY_30N65C3H1_HV.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO268HV
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 270W
Case: TO268HV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 118A
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 0.12µs
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXYT80N90C3 IXYS DS100446B(IXYT-YH80N90C3).pdf IXYT80N90C3 SMD IGBT transistors
товар відсутній
IXYX100N120B3 IXYX100N120B3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_100n120b3_datasheet.pdf.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 100A; 1.15kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Power dissipation: 1.15kW
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 530A
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 125ns
Turn-off time: 450ns
товар відсутній
IXYX100N120C3 IXYX100N120C3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyx100n120c3_datasheet.pdf.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 100A; 1.15kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Power dissipation: 1.15kW
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 490A
Mounting: THT
Gate charge: 260C
Kind of package: tube
Turn-on time: 143ns
Turn-off time: 271ns
товар відсутній
IXYX100N65B3D1 IXYX100N65B3D1 IXYS IXYK(X)100N65B3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 100A; 830W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 100A
Power dissipation: 830W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 460A
Mounting: THT
Gate charge: 168nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 358ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXYX120N120B3 IXYX120N120B3 IXYS IXYX120N120B3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 120A
Power dissipation: 1.5kW
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 800A
Mounting: THT
Gate charge: 400nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 826ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2292.84 грн
2+ 2090.64 грн
IXYX120N120C3 IXYX120N120C3 IXYS IXYK(x)120N120C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 120A
Power dissipation: 1.5kW
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 700A
Mounting: THT
Gate charge: 412nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 346ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2320.99 грн
2+ 2115.97 грн
IXYX140N90C3 IXYX140N90C3 IXYS IXYK(X)140N90C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 140A; 1.63kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 140A
Power dissipation: 1.63kW
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 840A
Mounting: THT
Gate charge: 330nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 122ns
Turn-off time: 0.3µs
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXYX200N65B3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_200n65b3_datasheet.pdf.pdf IXYX200N65B3 THT IGBT transistors
товар відсутній
IXYX25N250CV1 IXYS IXYX25N250CV1 THT IGBT transistors
товар відсутній
IXYX25N250CV1HV IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_25n250cv1_datasheet.pdf.pdf IXYX25N250CV1HV THT IGBT transistors
товар відсутній
IXYX30N170CV1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_30n170cv1_datasheet.pdf.pdf IXYX30N170CV1 THT IGBT transistors
товар відсутній
IXYX40N250CHV IXYX40N250CHV IXYS IXYX40N250CHV.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; XPT™; 2.5kV; 40A; 1.5kW; TO247HV
Type of transistor: IGBT
Technology: XPT™
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 1.5kW
Case: TO247HV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 380A
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 43ns
Turn-off time: 505ns
Features of semiconductor devices: high voltage
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXYX40N450HV IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyx40n450hv_datasheet.pdf.pdf IXYX40N450HV THT IGBT transistors
товар відсутній
IXYX50N170C IXYX50N170C IXYS IXYX50N170C.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; XPT™; 1.7kV; 50A; 1.5kW; PLUS247™
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 460A
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 396ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 1.5kW
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 260nC
Technology: XPT™
Kind of package: tube
Mounting: THT
Case: PLUS247™
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXYY8N90C3 IXYY8N90C3 IXYS IXYP(y)8N90C3.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO252
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 8A
Power dissipation: 125W
Case: TO252
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 48A
Mounting: SMD
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 39ns
Turn-off time: 238ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 356 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+220.47 грн
3+ 189.98 грн
7+ 147.22 грн
20+ 139.38 грн
70+ 135.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
LAA100 LAA100 IXYS LAA100.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; 25Ω; THT
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 25Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Manufacturer series: OptoMOS
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+609.8 грн
4+ 282.25 грн
11+ 256.12 грн
LAA100L LAA100L IXYS LAA100L.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; 25Ω; THT
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 25Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Manufacturer series: OptoMOS
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+617.3 грн
4+ 285.87 грн
11+ 259.6 грн
LAA100LS LAA100LS IXYS LAA100L.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; 25Ω; SMT
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Manufacturer series: OptoMOS
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+617.3 грн
4+ 285.87 грн
11+ 259.6 грн
IXYH8N250CV1HV littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh8n250cv1hv_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXYH8N250CV1HV THT IGBT transistors
товар відсутній
IXYJ20N120C3D1 IXYJ20N120C3D1.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 21A; 105W; TO247
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 21A
Power dissipation: 105W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 90ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXYK100N120C3 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyx100n120c3_datasheet.pdf.pdf
IXYK100N120C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 100A; 1.15kW; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Power dissipation: 1.15kW
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 490A
Mounting: THT
Gate charge: 260C
Kind of package: tube
Turn-on time: 143ns
Turn-off time: 271ns
товар відсутній
IXYK120N120C3 IXYK(x)120N120C3.pdf
IXYK120N120C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 120A
Power dissipation: 1.5kW
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 700A
Mounting: THT
Gate charge: 412nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 346ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 268 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1812.51 грн
2+ 1652.79 грн
IXYK140N90C3 IXYK(X)140N90C3.pdf
IXYK140N90C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 140A; 1.63kW; TO264
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 900V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 140A
Pulsed collector current: 840A
Turn-on time: 122ns
Turn-off time: 0.3µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 1.63kW
Kind of package: tube
Gate charge: 330nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Case: TO264
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXYK200N65B3
Виробник: IXYS
IXYK200N65B3 THT IGBT transistors
товар відсутній
IXYL40N250CV1 IXYL40N250CV1.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; XPT™; 2.5kV; 40A; 577W; ISOPLUS i5-pac™
Type of transistor: IGBT
Technology: XPT™
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 577W
Case: ISOPLUS i5-pac™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 43ns
Turn-off time: 505ns
Features of semiconductor devices: high voltage
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXYL60N450 IXYL60N450.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; XPT™; 4.5kV; 38A; 417W; ISOPLUS i5-pac™
Type of transistor: IGBT
Technology: XPT™
Collector-emitter voltage: 4.5kV
Collector current: 38A
Power dissipation: 417W
Case: ISOPLUS i5-pac™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 680A
Mounting: THT
Gate charge: 366nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 724ns
Turn-off time: 1.58µs
Features of semiconductor devices: high voltage
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXYN100N120B3H1 IXYN100N120B3H1.pdf
IXYN100N120B3H1
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 76A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 76A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
Power dissipation: 690W
Technology: GenX3™; XPT™
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXYN100N120C3 IXYN100N120C3.pdf
IXYN100N120C3
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 84A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 84A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 460A
Power dissipation: 830W
Technology: GenX3™; XPT™
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXYN100N120C3H1 IXYN100N120C3H1.pdf
IXYN100N120C3H1
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 62A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 62A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 440A
Power dissipation: 690W
Technology: GenX3™; XPT™
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXYN100N65A3 IXYN100N65A3.pdf
IXYN100N65A3
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 100A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Collector current: 100A
Power dissipation: 600W
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 460A
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 650V
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
кількість в упаковці: 300 шт
товар відсутній
IXYN100N65B3D1 IXYN100N65B3D1.pdf
IXYN100N65B3D1
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 100A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Collector current: 100A
Power dissipation: 600W
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 490A
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 650V
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXYN100N65C3H1 IXYN100N65C3H1.pdf
IXYN100N65C3H1
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 90A; SOT227B; 600W
Technology: GenX3™; XPT™
Collector current: 90A
Power dissipation: 600W
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 420A
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 650V
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXYN120N120C3 IXYN120N120C3.pdf
IXYN120N120C3
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 120A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Collector current: 120A
Power dissipation: 1.2kW
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 700A
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXYN150N60B3 IXYN150N60B3.pdf
IXYN150N60B3
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 140A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Collector current: 140A
Power dissipation: 830W
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 750A
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXYN30N170CV1 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyn30n170cv1_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXYN30N170CV1 IGBT modules
товар відсутній
IXYN50N170CV1 IXYN50N170CV1.pdf
IXYN50N170CV1
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 50A; SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 485A
Power dissipation: 880W
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: XPT™
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 1.7kV
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXYN75N65C3D1 IXYN75N65C3D1.pdf
IXYN75N65C3D1
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 75A; SOT227B; 600W
Technology: GenX3™; XPT™
Collector current: 75A
Power dissipation: 600W
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 360A
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 650V
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXYN80N90C3H1 IXYN80N90C3H1.pdf
IXYN80N90C3H1
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 900V; Ic: 70A; SOT227B; 500W
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 900V
Collector current: 70A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 340A
Power dissipation: 500W
Technology: GenX3™; XPT™
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2950.49 грн
IXYN82N120C3 IXYN82N120C3.pdf
IXYN82N120C3
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 46A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 46A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 380A
Power dissipation: 600W
Technology: GenX3™; XPT™
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXYN82N120C3H1 IXYN82N120C3H1.pdf
IXYN82N120C3H1
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 66A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 66A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 320A
Power dissipation: 500W
Technology: GenX3™; XPT™
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXYP10N65C3 IXYP10N65C3.pdf
IXYP10N65C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 10A; 160W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 10A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 54A
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 128ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXYP10N65C3D1M IXYP10N65C3D1M.pdf
IXYP10N65C3D1M
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 7A; 53W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 7A
Power dissipation: 53W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 128ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+205.46 грн
3+ 179.12 грн
8+ 138.51 грн
21+ 130.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXYP15N65C3 IXYP15N65C3.pdf
IXYP15N65C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 15A
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 122ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXYP15N65C3D1 IXYA(P)15N65C3D1.pdf
IXYP15N65C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 15A
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXYP15N65C3D1M IXYP15N65C3D1M.pdf
IXYP15N65C3D1M
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 57W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 9A
Power dissipation: 57W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 122ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXYP20N120C3 IXYH(P)20N120C3_HV.pdf
IXYP20N120C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 278W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 96A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXYP20N65B3D1 IXYP20N65B3D1.pdf
IXYP20N65B3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 230W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 108A
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 39ns
Turn-off time: 271ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXYP20N65C3D1 IXY_20N65C3D1.pdf
IXYP20N65C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+276.75 грн
7+ 175.5 грн
17+ 159.42 грн
500+ 155.93 грн
1000+ 154.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXYP20N65C3D1M IXYP20N65C3D1M.pdf
IXYP20N65C3D1M
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 50W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 9A
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXYP30N120C3 IXY_30N120C3.pdf
IXYP30N120C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 500W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 500W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 145A
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 296ns
кількість в упаковці: 300 шт
товар відсутній
IXYP30N65C3 IXYH(P)30N65C3.pdf
IXYP30N65C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 270W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 118A
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 0.12µs
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXYP50N65C3 IXY_50N65C3.pdf
IXYP50N65C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXYP8N90C3 IXYP(y)8N90C3.pdf
IXYP8N90C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 8A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 48A
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 39ns
Turn-off time: 238ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXYP8N90C3D1 IXYA(P)8N90C3D1.pdf
IXYP8N90C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 8A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 48A
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 39ns
Turn-off time: 238ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 147 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+351.81 грн
3+ 304.87 грн
5+ 234.34 грн
12+ 222.14 грн
IXYR100N120C3 IXYR100N120C3.pdf
IXYR100N120C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 56A; 484W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 56A
Power dissipation: 484W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 450A
Mounting: THT
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 143ns
Turn-off time: 271ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXYR50N120C3D1 IXYR50N120C3D1.pdf
IXYR50N120C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 32A; 290W; PLUS247™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 32A
Pulsed collector current: 210A
Turn-on time: 96ns
Turn-off time: 0.22µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 290W
Gate charge: 142nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Kind of package: tube
Mounting: THT
Case: PLUS247™
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXYT20N120C3D1HV IXYT20N120C3D1HV.pdf
IXYT20N120C3D1HV
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 17A; 230W; TO268HV
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 17A
Power dissipation: 230W
Case: TO268HV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 88A
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 0.22µs
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXYT25N250CHV littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_25n250chv_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXYT25N250CHV SMD IGBT transistors
товар відсутній
IXYT30N450HV IXYH(t)30N450HV.pdf
IXYT30N450HV
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; XPT™; 4.5kV; 30A; 430W; TO268HV
Type of transistor: IGBT
Technology: XPT™
Collector-emitter voltage: 4.5kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 430W
Case: TO268HV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: SMD
Gate charge: 88nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 632ns
Turn-off time: 1542ns
Features of semiconductor devices: high voltage
кількість в упаковці: 300 шт
товар відсутній
IXYT30N65C3H1HV IXY_30N65C3H1_HV.pdf
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO268HV
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 270W
Case: TO268HV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 118A
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 0.12µs
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXYT80N90C3 DS100446B(IXYT-YH80N90C3).pdf
Виробник: IXYS
IXYT80N90C3 SMD IGBT transistors
товар відсутній
IXYX100N120B3 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_100n120b3_datasheet.pdf.pdf
IXYX100N120B3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 100A; 1.15kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Power dissipation: 1.15kW
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 530A
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 125ns
Turn-off time: 450ns
товар відсутній
IXYX100N120C3 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyx100n120c3_datasheet.pdf.pdf
IXYX100N120C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 100A; 1.15kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Power dissipation: 1.15kW
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 490A
Mounting: THT
Gate charge: 260C
Kind of package: tube
Turn-on time: 143ns
Turn-off time: 271ns
товар відсутній
IXYX100N65B3D1 IXYK(X)100N65B3D1.pdf
IXYX100N65B3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 100A; 830W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 100A
Power dissipation: 830W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 460A
Mounting: THT
Gate charge: 168nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 358ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXYX120N120B3 IXYX120N120B3.pdf
IXYX120N120B3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 120A
Power dissipation: 1.5kW
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 800A
Mounting: THT
Gate charge: 400nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 826ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2292.84 грн
2+ 2090.64 грн
IXYX120N120C3 IXYK(x)120N120C3.pdf
IXYX120N120C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 120A
Power dissipation: 1.5kW
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 700A
Mounting: THT
Gate charge: 412nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 346ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2320.99 грн
2+ 2115.97 грн
IXYX140N90C3 IXYK(X)140N90C3.pdf
IXYX140N90C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 140A; 1.63kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 140A
Power dissipation: 1.63kW
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 840A
Mounting: THT
Gate charge: 330nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 122ns
Turn-off time: 0.3µs
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXYX200N65B3 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_200n65b3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXYX200N65B3 THT IGBT transistors
товар відсутній
IXYX25N250CV1
Виробник: IXYS
IXYX25N250CV1 THT IGBT transistors
товар відсутній
IXYX25N250CV1HV littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_25n250cv1_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXYX25N250CV1HV THT IGBT transistors
товар відсутній
IXYX30N170CV1 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_30n170cv1_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXYX30N170CV1 THT IGBT transistors
товар відсутній
IXYX40N250CHV IXYX40N250CHV.pdf
IXYX40N250CHV
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; XPT™; 2.5kV; 40A; 1.5kW; TO247HV
Type of transistor: IGBT
Technology: XPT™
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 1.5kW
Case: TO247HV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 380A
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 43ns
Turn-off time: 505ns
Features of semiconductor devices: high voltage
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXYX40N450HV littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyx40n450hv_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXYX40N450HV THT IGBT transistors
товар відсутній
IXYX50N170C IXYX50N170C.pdf
IXYX50N170C
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; XPT™; 1.7kV; 50A; 1.5kW; PLUS247™
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 460A
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 396ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 1.5kW
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 260nC
Technology: XPT™
Kind of package: tube
Mounting: THT
Case: PLUS247™
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXYY8N90C3 IXYP(y)8N90C3.pdf
IXYY8N90C3
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO252
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 8A
Power dissipation: 125W
Case: TO252
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 48A
Mounting: SMD
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 39ns
Turn-off time: 238ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 356 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+220.47 грн
3+ 189.98 грн
7+ 147.22 грн
20+ 139.38 грн
70+ 135.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
LAA100 LAA100.pdf
LAA100
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; 25Ω; THT
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 25Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Manufacturer series: OptoMOS
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+609.8 грн
4+ 282.25 грн
11+ 256.12 грн
LAA100L LAA100L.pdf
LAA100L
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; 25Ω; THT
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 25Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Manufacturer series: OptoMOS
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+617.3 грн
4+ 285.87 грн
11+ 259.6 грн
LAA100LS LAA100L.pdf
LAA100LS
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; 25Ω; SMT
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Manufacturer series: OptoMOS
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+617.3 грн
4+ 285.87 грн
11+ 259.6 грн
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 33 66 99 132 165 198 231 252 253 254 255 256 257 258 259 260 261 262 264 297 330 333  [ Наступна Сторінка >> ]