Продукція > IXYS > IXYY8N90C3
IXYY8N90C3

IXYY8N90C3 IXYS

IXYP(y)8N90C3.pdf Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO252
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 8A
Power dissipation: 125W
Case: TO252
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 48A
Mounting: SMD
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 39ns
Turn-off time: 238ns
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+152.45 грн
7+ 122.69 грн
20+ 116.15 грн
70+ 113.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXYY8N90C3 IXYS

Description: IGBT 900V 20A 125W C3 TO-252, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 8A, Supplier Device Package: TO-252AA, Td (on/off) @ 25°C: 16ns/40ns, Switching Energy: 460µJ (on), 180µJ (off), Test Condition: 450V, 8A, 30Ohm, 15V, Gate Charge: 13.3 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A, Power - Max: 125 W.

Інші пропозиції IXYY8N90C3 за ціною від 100.61 грн до 244.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXYY8N90C3 IXYY8N90C3 Виробник : IXYS IXYP(y)8N90C3.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO252
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 8A
Power dissipation: 125W
Case: TO252
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 48A
Mounting: SMD
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 39ns
Turn-off time: 238ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 356 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+220.47 грн
3+ 189.98 грн
7+ 147.22 грн
20+ 139.38 грн
70+ 135.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXYY8N90C3 IXYY8N90C3 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_8n90c3_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 900V 20A 125W C3 TO-252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-252AA
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/40ns
Switching Energy: 460µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 450V, 8A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 13.3 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 125 W
на замовлення 2357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+228.42 грн
70+ 174.53 грн
140+ 149.59 грн
560+ 124.79 грн
1050+ 106.85 грн
2030+ 100.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXYY8N90C3 IXYY8N90C3 Виробник : IXYS media-3319631.pdf IGBT Transistors 900V 8A 2.5V XPT IGBTs GenX3
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+244.73 грн
10+ 220.4 грн
25+ 166.56 грн
70+ 142.87 грн
280+ 137.99 грн
560+ 120.57 грн
1050+ 104.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXYY8N90C3 IXYY8N90C3 Виробник : Littelfuse littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_8n90c3_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 900V 20A 125000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
товар відсутній