IXYP20N65C3D1 Littelfuse
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 126.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXYP20N65C3D1 Littelfuse
Description: LITTELFUSE - IXYP20N65C3D1 - IGBT, 50 A, 2.27 V, 200 W, 650 V, TO-220AB, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.27V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Інші пропозиції IXYP20N65C3D1 за ціною від 122.36 грн до 276.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXYP20N65C3D1 | Виробник : IXYS |
 Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 20A Power dissipation: 200W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 105A Mounting: THT Gate charge: 30nC Kind of package: tube Turn-on time: 51ns Turn-off time: 132ns |
на замовлення 64 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXYP20N65C3D1 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT 650V 18A 50W TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 135 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-220-3 IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 19ns/80ns Switching Energy: 430µJ (on), 350µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V Gate Charge: 30 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A Power - Max: 200 W |
на замовлення 578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXYP20N65C3D1 | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXYP20N65C3D1 - IGBT, 50 A, 2.27 V, 200 W, 650 V, TO-220AB, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.27V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 516 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXYP20N65C3D1 | Виробник : IXYS |
IGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-220AB/FP |
на замовлення 1396 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IXYP20N65C3D1 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 20A Power dissipation: 200W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 105A Mounting: THT Gate charge: 30nC Kind of package: tube Turn-on time: 51ns Turn-off time: 132ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 64 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXYP20N65C3D1 | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 50A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |