![IXYP50N65C3 IXYP50N65C3](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5545/238~TO220-3-TO220AB~~3.jpg)
IXYP50N65C3 IXYS
![littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_50n65c3_datasheet.pdf.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: IGBT 650V 130A 600W TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/80ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Power - Max: 600 W
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 538.26 грн |
50+ | 414.26 грн |
100+ | 370.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXYP50N65C3 IXYS
Description: IGBT 650V 130A 600W TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 36A, Supplier Device Package: TO-220-3, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 22ns/80ns, Switching Energy: 1.3mJ (on), 370µJ (off), Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 80 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 130 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A, Power - Max: 600 W.
Інші пропозиції IXYP50N65C3 за ціною від 280.16 грн до 578.09 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXYP50N65C3 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXYP50N65C3 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 600W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 250A Mounting: THT Gate charge: 86nC Kind of package: tube Turn-on time: 56ns Turn-off time: 145ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IXYP50N65C3 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 600W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 250A Mounting: THT Gate charge: 86nC Kind of package: tube Turn-on time: 56ns Turn-off time: 145ns |
товар відсутній |