![IXYK140N90C3 IXYK140N90C3](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/202/IXYK140N90C3.jpg)
IXYK140N90C3 IXYS
![littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_140n90c3_datasheet.pdf.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: IGBT 900V 310A 1630W TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 140A
Supplier Device Package: TO-264 (IXYK)
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/145ns
Switching Energy: 4.3mJ (on), 4mJ (off)
Test Condition: 450V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 330 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 310 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 840 A
Power - Max: 1630 W
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1996.66 грн |
25+ | 1593.76 грн |
100+ | 1494.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXYK140N90C3 IXYS
Description: IGBT 900V 310A 1630W TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 140A, Supplier Device Package: TO-264 (IXYK), Td (on/off) @ 25°C: 40ns/145ns, Switching Energy: 4.3mJ (on), 4mJ (off), Test Condition: 450V, 100A, 1Ohm, 15V, Gate Charge: 330 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 310 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 840 A, Power - Max: 1630 W.
Інші пропозиції IXYK140N90C3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXYK140N90C3 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 140A; 1.63kW; TO264 Mounting: THT Collector-emitter voltage: 900V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 140A Pulsed collector current: 840A Turn-on time: 122ns Turn-off time: 0.3µs Type of transistor: IGBT Power dissipation: 1.63kW Kind of package: tube Gate charge: 330nC Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Case: TO264 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
![]() |
IXYK140N90C3 | Виробник : IXYS |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IXYK140N90C3 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 140A; 1.63kW; TO264 Mounting: THT Collector-emitter voltage: 900V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 140A Pulsed collector current: 840A Turn-on time: 122ns Turn-off time: 0.3µs Type of transistor: IGBT Power dissipation: 1.63kW Kind of package: tube Gate charge: 330nC Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Case: TO264 |
товар відсутній |