![IXYN50N170CV1 IXYN50N170CV1](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/408/IXYN82N120C3H1.jpg)
IXYN50N170CV1 IXYS
![littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyn50n170cv1_datasheet.pdf.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: IGBT 1700V 120A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 255 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: SOT-227B
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/236ns
Switching Energy: 8.7mJ (on), 5.6mJ (off)
Test Condition: 850V, 50A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 260 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 485 A
Power - Max: 880 W
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 3265.02 грн |
10+ | 2801.37 грн |
100+ | 2458.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXYN50N170CV1 IXYS
Description: IGBT 1700V 120A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 255 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: SOT-227B, Td (on/off) @ 25°C: 22ns/236ns, Switching Energy: 8.7mJ (on), 5.6mJ (off), Test Condition: 850V, 50A, 1Ohm, 15V, Gate Charge: 260 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 485 A, Power - Max: 880 W.
Інші пропозиції IXYN50N170CV1 за ціною від 2530.49 грн до 3546.59 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXYN50N170CV1 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 98 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXYN50N170CV1 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 50A; SOT227B Semiconductor structure: single transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 485A Power dissipation: 880W Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: XPT™ Case: SOT227B Max. off-state voltage: 1.7kV кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
IXYN50N170CV1 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 50A; SOT227B Semiconductor structure: single transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 485A Power dissipation: 880W Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: XPT™ Case: SOT227B Max. off-state voltage: 1.7kV |
товар відсутній |