Продукція > IXYS > IXYN50N170CV1
IXYN50N170CV1

IXYN50N170CV1 IXYS


littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyn50n170cv1_datasheet.pdf.pdf Виробник: IXYS
Description: IGBT 1700V 120A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 255 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: SOT-227B
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/236ns
Switching Energy: 8.7mJ (on), 5.6mJ (off)
Test Condition: 850V, 50A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 260 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 485 A
Power - Max: 880 W
на замовлення 126 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3265.02 грн
10+ 2801.37 грн
100+ 2458.9 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXYN50N170CV1 IXYS

Description: IGBT 1700V 120A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 255 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: SOT-227B, Td (on/off) @ 25°C: 22ns/236ns, Switching Energy: 8.7mJ (on), 5.6mJ (off), Test Condition: 850V, 50A, 1Ohm, 15V, Gate Charge: 260 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 485 A, Power - Max: 880 W.

Інші пропозиції IXYN50N170CV1 за ціною від 2530.49 грн до 3546.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXYN50N170CV1 IXYN50N170CV1 Виробник : IXYS media-3320798.pdf IGBT Transistors 1700V/120A High Volt
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3546.59 грн
10+ 3114.43 грн
20+ 2619 грн
50+ 2571.61 грн
100+ 2530.49 грн
IXYN50N170CV1 IXYN50N170CV1 Виробник : IXYS IXYN50N170CV1.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 50A; SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 485A
Power dissipation: 880W
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: XPT™
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 1.7kV
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXYN50N170CV1 IXYN50N170CV1 Виробник : IXYS IXYN50N170CV1.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 50A; SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 485A
Power dissipation: 880W
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: XPT™
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 1.7kV
товар відсутній