Продукція > IXYS > IXYX50N170C
IXYX50N170C

IXYX50N170C IXYS


media-3319280.pdf Виробник: IXYS
IGBT Transistors IGBT DISCRETE
на замовлення 682 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2056.84 грн
10+ 1837.77 грн
120+ 1415.54 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXYX50N170C IXYS

Description: IGBT 1700V 178A PLUS247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 44 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/180ns, Switching Energy: 8.7mJ (on), 5.6mJ (off), Test Condition: 850V, 50A, 1Ohm, 15V, Gate Charge: 260 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 178 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 460 A, Power - Max: 1500 W.

Інші пропозиції IXYX50N170C за ціною від 1228.87 грн до 2105.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXYX50N170C IXYX50N170C Виробник : LITTELFUSE LFSI-S-A0007910793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXYX50N170C - IGBT, 178 A, 2.8 V, 1.5 kW, 1.7 kV, PLUS247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.8
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5
Bauform - Transistor: PLUS247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: ARCA IEC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 178
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2105.13 грн
5+ 2023.23 грн
10+ 1941.33 грн
IXYX50N170C Виробник : IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyx50n170c_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 1700V 178A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 44 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/180ns
Switching Energy: 8.7mJ (on), 5.6mJ (off)
Test Condition: 850V, 50A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 260 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 178 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 460 A
Power - Max: 1500 W
на замовлення 601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2050.42 грн
10+ 1754.43 грн
100+ 1534.51 грн
500+ 1228.87 грн
IXYX50N170C Виробник : Littelfuse littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyx50n170c_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXYX50N170C IXYX50N170C Виробник : IXYS IXYX50N170C.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; XPT™; 1.7kV; 50A; 1.5kW; PLUS247™
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 460A
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 396ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 1.5kW
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 260nC
Technology: XPT™
Kind of package: tube
Mounting: THT
Case: PLUS247™
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXYX50N170C IXYX50N170C Виробник : IXYS IXYX50N170C.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; XPT™; 1.7kV; 50A; 1.5kW; PLUS247™
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 460A
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 396ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 1.5kW
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 260nC
Technology: XPT™
Kind of package: tube
Mounting: THT
Case: PLUS247™
товар відсутній