Продукція > VISHAY SILICONIX > SI1050X-T1-GE3
SI1050X-T1-GE3

SI1050X-T1-GE3 Vishay Siliconix

si1050x.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 8V 1.34A SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.34A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 1.34A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 4 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1050X-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI1050X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 1.34 A, 0.12 ohm, SC-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 8V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 350mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 236mW, Bauform - Transistor: SC-89, Anzahl der Pins: 6Pins, Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 1.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SI1050X-T1-GE3 за ціною від 11.38 грн до 38.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI1050X-T1-GE3 SI1050X-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si1050x.pdf Description: MOSFET N-CH 8V 1.34A SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.34A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 1.34A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 4 V
на замовлення 34899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+35.27 грн
11+ 28.91 грн
100+ 20.06 грн
500+ 14.7 грн
1000+ 11.95 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI1050X-T1-GE3 SI1050X-T1-GE3 Виробник : VISHAY si1050x.pdf Description: VISHAY - SI1050X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 1.34 A, 0.12 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 350mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 236mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 1.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+35.27 грн
50+ 29.42 грн
100+ 23.57 грн
500+ 13.28 грн
1500+ 11.98 грн
Мінімальне замовлення: 24
SI1050X-T1-GE3 SI1050X-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si1050x.pdf MOSFETs 8V Vds 5V Vgs SC89-6
на замовлення 5710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+37.7 грн
11+ 32.25 грн
100+ 20.94 грн
500+ 16.45 грн
1000+ 12.68 грн
3000+ 11.59 грн
9000+ 11.38 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI1050X-T1-GE3 SI1050X-T1-GE3 Виробник : Vishay si1050x.pdf Trans MOSFET N-CH 8V 1.34A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+38.72 грн
19+ 32.99 грн
Мінімальне замовлення: 16
SI1050X-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001122319-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI1050X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 1.34 A, 0.12 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 236
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 16325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+24.79 грн
500+ 18.11 грн
1000+ 13.24 грн
5000+ 12.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI1050X-T1-GE3 Виробник : VISHAY si1050x.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 1.34A; Idm: 6A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 1.34A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 236mW
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±5V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI1050X-T1-GE3 SI1050X-T1-GE3 Виробник : Vishay si1050x.pdf Trans MOSFET N-CH 8V 1.34A 6-Pin SC-89 T/R
товар відсутній
SI1050X-T1-GE3 SI1050X-T1-GE3 Виробник : Vishay si1050x.pdf Trans MOSFET N-CH 8V 1.34A 6-Pin SC-89 T/R
товар відсутній
SI1050X-T1-GE3 Виробник : VISHAY si1050x.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 1.34A; Idm: 6A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 1.34A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 236mW
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±5V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній