Продукція > VISHAY > SI1036X-T1-GE3
SI1036X-T1-GE3

SI1036X-T1-GE3 Vishay

si1036x.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 0.61A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1036X-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI1036X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 610 mA, 610 mA, 0.45 ohm, tariffCode: 85412900, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.45ohm, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 610mA, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 610mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, hazardous: false, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Produktpalette: TrenchFET Series, Bauform - Transistor: SC-89, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Verlustleistung, n-Kanal: 220mW, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, Verlustleistung, p-Kanal: 220mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm, Dauer-Drainstrom Id: 610mA, rohsPhthalatesCompliant: YES, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.45ohm, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, usEccn: EAR99, Transistormontage: Oberflächenmontage, Verlustleistung Pd: 220mW, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції SI1036X-T1-GE3 за ціною від 5.78 грн до 33.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI1036X-T1-GE3 SI1036X-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si1036x.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.61A SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 220mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 610mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-6
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.58 грн
6000+ 7 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI1036X-T1-GE3 SI1036X-T1-GE3 Виробник : Vishay si1036x.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.61A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI1036X-T1-GE3 SI1036X-T1-GE3 Виробник : VISHAY si1036x.pdf Description: VISHAY - SI1036X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 610 mA, 610 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.45ohm
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 610mA
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 610mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Produktpalette: TrenchFET Series
Bauform - Transistor: SC-89
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 220mW
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Verlustleistung, p-Kanal: 220mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
Dauer-Drainstrom Id: 610mA
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.45ohm
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 220mW
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 6545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+16.87 грн
500+ 11.79 грн
1000+ 8.18 грн
3000+ 7.43 грн
6000+ 6.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI1036X-T1-GE3 SI1036X-T1-GE3 Виробник : VISHAY si1036x.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 610mA; Idm: 2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 610mA
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.22W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+26.02 грн
20+ 19.04 грн
100+ 11.42 грн
140+ 6.15 грн
384+ 5.78 грн
Мінімальне замовлення: 16
SI1036X-T1-GE3 SI1036X-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si1036x.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.61A SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 220mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 610mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-6
Part Status: Active
на замовлення 6853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.13 грн
14+ 21.01 грн
100+ 12.6 грн
500+ 10.95 грн
1000+ 7.45 грн
Мінімальне замовлення: 11
SI1036X-T1-GE3 SI1036X-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix si1036x.pdf MOSFETs 30V Vds 8V Vgs SC89-6
на замовлення 51270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+30.5 грн
14+ 23.44 грн
100+ 11.39 грн
1000+ 7.73 грн
3000+ 6.75 грн
9000+ 6.26 грн
24000+ 6.04 грн
Мінімальне замовлення: 11
SI1036X-T1-GE3 SI1036X-T1-GE3 Виробник : VISHAY si1036x.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 610mA; Idm: 2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 610mA
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.22W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1987 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.22 грн
12+ 23.72 грн
100+ 13.71 грн
140+ 7.38 грн
384+ 6.94 грн
75000+ 6.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
SI1036X-T1-GE3 SI1036X-T1-GE3 Виробник : VISHAY 3672830.pdf Description: VISHAY - SI1036X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 610 mA, 610 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 610mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 610mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.45ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 220mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 220mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+33.67 грн
31+ 25.7 грн
100+ 12.85 грн
500+ 9.52 грн
1000+ 6.49 грн
5000+ 6.29 грн
Мінімальне замовлення: 24
SI1036X-T1-GE3 SI1036X-T1-GE3 Виробник : Vishay si1036x.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.61A 6-Pin SC-89 T/R
товар відсутній