на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1016CX-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI1016CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.33 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.33ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 220mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.33ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 220mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції SI1016CX-T1-GE3 за ціною від 6.57 грн до 34.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI1016CX-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N/P-CH 20V SC89Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 220mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 500mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI1016CX-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1016CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.33 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.33ohm Verlustleistung, p-Kanal: 220mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.33ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 220mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI1016CX-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-89 T/R |
на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI1016CX-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-89 T/R |
на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI1016CX-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-89 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI1016CX-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 20V SC89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 220mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 500mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) |
на замовлення 48491 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI1016CX-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1016CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.33 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.33ohm Verlustleistung, p-Kanal: 220mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.33ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 220mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 37055 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI1016CX-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 20V Vds 8V Vgs SC89-6 N&P PAIR |
на замовлення 29534 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI1016CX-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1016CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.33 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.33ohm Verlustleistung, p-Kanal: 220mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.33ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 220mW SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
SI1016CX-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-89 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| SI1016CX-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 0.49A; 0.14W Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.49A Power dissipation: 0.14W Case: SC89 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 396/756mΩ Mounting: SMD Gate charge: 2/2.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| SI1016CX-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 0.49A; 0.14W Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.49A Power dissipation: 0.14W Case: SC89 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 396/756mΩ Mounting: SMD Gate charge: 2/2.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |