SI1079X-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SI1079X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.44 A, 0.083 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 330mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 11874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 14.59 грн |
| 500+ | 11.71 грн |
| 1000+ | 9.19 грн |
| 5000+ | 7.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1079X-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SI1079X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.44 A, 0.083 ohm, SC-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 330mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330mW, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції SI1079X-T1-GE3 за ціною від 6.68 грн до 38.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI1079X-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs -30V Vds 12V Vgs SC89-6 |
на замовлення 4864 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI1079X-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1079X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.44 A, 0.083 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 11874 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI1079X-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 1.44A SC89-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.44A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 330mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| SI1079X-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 1.44A SC89-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.44A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 330mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V |
на замовлення 5890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
SI1079X-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SI1079X-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -1.44A; Idm: -8A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -1.44A Pulsed drain current: -8A Power dissipation: 0.33W Case: SC89 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: SMD Gate charge: 26nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SI1079X-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -1.44A; Idm: -8A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -1.44A Pulsed drain current: -8A Power dissipation: 0.33W Case: SC89 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: SMD Gate charge: 26nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |