Продукція > VISHAY > SI1022R-T1-GE3

SI1022R-T1-GE3 VISHAY

Name: SI1022R-T1-GE3
Brand: VISHAY
SKU: 799799-8
Price: 12.67 UAH
Availability: InStock

Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.24A; 0.13W; SC75A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.24A
On-state resistance: 1.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.13W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 0.6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SC75A

на замовлення 3011 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
19+	21.06 грн
25+	17.53 грн
64+	13.4 грн
174+	12.67 грн

Мінімальне замовлення: 19

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI1022R-T1-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SI1022R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 330 mA, 1.25 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 330mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 250mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SC-75A, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.25ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції SI1022R-T1-GE3 за ціною від 7.14 грн до 45.26 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

SI1022R-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.24A; 0.13W; SC75A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.24A
On-state resistance: 1.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.13W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 0.6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SC75A
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 3011 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
12+	25.27 грн
25+	21.84 грн
64+	16.08 грн
174+	15.21 грн

Мінімальне замовлення: 12

SI1022R-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R

на замовлення 3849000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	7.14 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SI1022R-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R

на замовлення 2985000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	7.14 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SI1022R-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	10.3 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SI1022R-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	14.03 грн
6000+	12.82 грн
9000+	11.91 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SI1022R-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SI1022R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 330 mA, 1.25 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SC-75A
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.25ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	14.97 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SI1022R-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
538+	22.44 грн
540+	22.33 грн
604+	19.98 грн
1000+	18.57 грн

Мінімальне замовлення: 538

SI1022R-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	26.24 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SI1022R-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SI1022R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 330 mA, 1.25 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 250mW
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 11346 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
100+	29.56 грн
500+	21.65 грн
1000+	15.38 грн

Мінімальне замовлення: 100

SI1022R-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V

на замовлення 19410 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
8+	41.36 грн
10+	34.25 грн
100+	23.81 грн
500+	17.45 грн
1000+	14.18 грн

Мінімальне замовлення: 8

SI1022R-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SI1022R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 330 mA, 1.25 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SC-75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 26067 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
19+	42.19 грн
50+	34.39 грн
100+	26.52 грн
500+	15.57 грн
1500+	14.1 грн

Мінімальне замовлення: 19

SI1022R-T1-GE3

Виробник : Vishay Semiconductors

MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SC75A

на замовлення 109629 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
8+	45.26 грн
10+	38.22 грн
100+	23.15 грн
500+	18.01 грн
1000+	14.67 грн
3000+	12.44 грн
9000+	12.03 грн

Мінімальне замовлення: 8

SI1022R-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A SI1022R-T1-GE3 VISHAY TSI1022r
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
50+	12.8 грн

Мінімальне замовлення: 50

SI1022R-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R

товар відсутній

SI1022R-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R

товар відсутній