Продукція > VISHAY > SI1029X-T1-GE3
SI1029X-T1-GE3

SI1029X-T1-GE3 Vishay

71435.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.305A/0.19A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1029X-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI1029X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 305 mA, 305 mA, 1.4 ohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 305, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 305, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 305, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.4, Verlustleistung Pd: 250, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5, Verlustleistung, p-Kanal: 250, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-89, Anzahl der Pins: 6, Produktpalette: PW Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.4, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 250, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції SI1029X-T1-GE3 за ціною від 9.27 грн до 39.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI1029X-T1-GE3 SI1029X-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si1029x.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 0.305A SC89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA, 190mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 23pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 750nC @ 4.5V, 1700nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.41 грн
6000+ 10.42 грн
9000+ 9.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI1029X-T1-GE3 SI1029X-T1-GE3 Виробник : VISHAY si1029x.pdf Description: VISHAY - SI1029X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 305 mA, 305 mA, 1.4 ohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 305
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 305
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 305
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.4
Verlustleistung Pd: 250
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung, p-Kanal: 250
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.4
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+14.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI1029X-T1-GE3 SI1029X-T1-GE3 Виробник : Vishay 71435.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.305A/0.19A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+17.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI1029X-T1-GE3 SI1029X-T1-GE3 Виробник : Vishay 71435.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.305A/0.19A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+26.08 грн
6000+ 25.48 грн
12000+ 14.79 грн
15000+ 14.12 грн
24000+ 12.95 грн
30000+ 12.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI1029X-T1-GE3 SI1029X-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si1029x.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 0.305A SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA, 190mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 23pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 750nC @ 4.5V, 1700nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
на замовлення 14391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+33.92 грн
11+ 27.88 грн
100+ 19.36 грн
500+ 14.19 грн
1000+ 11.53 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI1029X-T1-GE3 SI1029X-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si1029x.pdf MOSFET 60V Vds 20V Vgs SC89-6 N&P PAIR
на замовлення 71631 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+37.08 грн
11+ 29.57 грн
100+ 18.75 грн
500+ 14.64 грн
1000+ 11.92 грн
3000+ 9.76 грн
9000+ 9.27 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI1029X-T1-GE3 SI1029X-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISHS97345-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI1029X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 305 mA, 305 mA, 1.4 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 305mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 305mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+39.32 грн
50+ 31.98 грн
100+ 24.47 грн
500+ 18.87 грн
1500+ 13.74 грн
Мінімальне замовлення: 20
SI1029X-T1-GE3 Виробник : VISHAY si1029x.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 0.22/-0.135A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22/-0.135A
Pulsed drain current: 0.65A
Power dissipation: 0.13W
Case: SC89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3/8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.75/1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI1029X-T1-GE3 SI1029X-T1-GE3 Виробник : Vishay 71435.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.305A/0.19A 6-Pin SC-89 T/R
товар відсутній
SI1029X-T1-GE3 SI1029X-T1-GE3 Виробник : Vishay 71435.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.305A/0.19A 6-Pin SC-89 T/R
товар відсутній
SI1029X-T1-GE3 Виробник : VISHAY si1029x.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 0.22/-0.135A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22/-0.135A
Pulsed drain current: 0.65A
Power dissipation: 0.13W
Case: SC89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3/8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.75/1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній