![SI1424EDH-T1-GE3 SI1424EDH-T1-GE3](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE6SOT23-40.jpg)
SI1424EDH-T1-GE3 VISHAY
![si1424ed.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: VISHAY - SI1424EDH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.027 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 13.09 грн |
500+ | 10.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1424EDH-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SI1424EDH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.027 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.8W, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції SI1424EDH-T1-GE3 за ціною від 10.98 грн до 34.46 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SI1424EDH-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
SI1424EDH-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 5485 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||
![]() |
SI1424EDH-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; 1.8W; SC70 Drain-source voltage: 20V Drain current: 4A On-state resistance: 33mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 11.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD Case: SC70 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
SI1424EDH-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
SI1424EDH-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; 1.8W; SC70 Drain-source voltage: 20V Drain current: 4A On-state resistance: 33mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 11.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD Case: SC70 |
товар відсутній |