SI1302DL-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.87 грн |
| 6000+ | 9.02 грн |
| 9000+ | 8.38 грн |
| 30000+ | 7.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1302DL-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI1302DL-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 640 mA, 0.41 ohm, SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 640mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції SI1302DL-T1-E3 за ціною від 8.04 грн до 35.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI1302DL-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.6A 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI1302DL-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 600mA, 10V Power Dissipation (Max): 280mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V |
на замовлення 61640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI1302DL-T1-E3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 30V N-CH TRENCH |
на замовлення 178515 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI1302DL-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1302DL-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 640 mA, 0.41 ohm, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 640mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 6625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI1302DL-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.6A 3-Pin SC-70 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SI1302DL-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.6A 3-Pin SC-70 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
SI1302DL-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.6A 3-Pin SC-70 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
SI1302DL-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.6A; Idm: 1.5A; 0.18W; SC70 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.6A Pulsed drain current: 1.5A Power dissipation: 0.18W Case: SC70 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 480mΩ Mounting: SMD Gate charge: 1.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SI1302DL-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.6A; Idm: 1.5A; 0.18W; SC70 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.6A Pulsed drain current: 1.5A Power dissipation: 0.18W Case: SC70 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 480mΩ Mounting: SMD Gate charge: 1.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |