![SI1330EDL-T1-GE3 SI1330EDL-T1-GE3](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2603/Pkg 5549.jpg)
SI1330EDL-T1-GE3 Vishay Siliconix
![si1330ed.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 60V 240MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 35.43 грн |
10+ | 29.69 грн |
100+ | 22.16 грн |
500+ | 16.33 грн |
1000+ | 12.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1330EDL-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 240MA SC70-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 250mA, 10V, Power Dissipation (Max): 280mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-70-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V.
Інші пропозиції SI1330EDL-T1-GE3 за ціною від 9.97 грн до 38.54 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SI1330EDL-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 21968 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI1330EDL-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
SI1330EDL-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
SI1330EDL-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Drain current: 0.25A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape On-state resistance: 8Ω Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 0.31W кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
SI1330EDL-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 280mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
SI1330EDL-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Drain current: 0.25A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape On-state resistance: 8Ω Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 0.31W |
товар відсутній |