на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1024X-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET 2N-CH 20V 485MA SC89, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 250mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 485mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F).
Інші пропозиції SI1024X-T1-GE3 за ціною від 9.48 грн до 28.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI1024X-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET 2N-CH 20V 485MA SC89Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 485mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) |
на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI1024X-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 485MA SC89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 485mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) |
на замовлення 87202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI1024X-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs Dual N-Ch MOSFET 20V 700 mohms @ 4.5V |
на замовлення 282026 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SI1024X-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 515mA; 280mW Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 515mA Pulsed drain current: 0.65A Power dissipation: 0.28W Case: SC89; SOT563 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 1.25Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.75nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
| SI1024X-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 515mA; 280mW Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 515mA Pulsed drain current: 0.65A Power dissipation: 0.28W Case: SC89; SOT563 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 1.25Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.75nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |