SI1034CX-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 220mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 610mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.61 грн |
| 6000+ | 6.1 грн |
| 9000+ | 5.49 грн |
| 30000+ | 5.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1034CX-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 220mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 610mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 500mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 8V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F).
Інші пропозиції SI1034CX-T1-GE3 за ціною від 6.24 грн до 28.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI1034CX-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 220mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 610mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 500mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 8V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) |
на замовлення 63382 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI1034CX-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1034CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 610 mA, 0.33 ohm, SC-89, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 610 Verlustleistung Pd: 220 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 Bauform - Transistor: SC-89 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: TrenchFET Series Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.33 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI1034CX-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SC89-6 |
на замовлення 53139 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI1034CX-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1034CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 610 mA, 0.33 ohm, SC-89, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 610 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 220 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: TrenchFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.33 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 3870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SI1034CX-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.49A; 0.14W; SC89,SOT563 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.49A Power dissipation: 0.14W Case: SC89; SOT563 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 396mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.75nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
 |
SI1034CX-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.61A 6-Pin SC-89 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
| SI1034CX-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.49A; 0.14W; SC89,SOT563 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.49A Power dissipation: 0.14W Case: SC89; SOT563 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 396mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.75nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |