SI1013X-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.79 грн |
| 6000+ | 8.95 грн |
| 9000+ | 8.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1013X-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-89, SOT-490, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 250mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min), Supplier Device Package: SC-89-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V.
Інші пропозиції SI1013X-T1-GE3 за ціною від 8.06 грн до 29.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI1013X-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: SC-89-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V |
на замовлення 13732 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI1013X-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 20V 350mA 175mW 1.2 ohms @ 4.5V |
на замовлення 8199 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI1013X-T1-GE3 |
|
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
 |
SI1013X-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -400mA; Idm: -1A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -400mA Pulsed drain current: -1A Power dissipation: 0.275W Case: SC89 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 2.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
SI1013X-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-89 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SI1013X-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -400mA; Idm: -1A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -400mA Pulsed drain current: -1A Power dissipation: 0.275W Case: SC89 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 2.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |