SI1330EDL-T1-E3

SI1330EDL-T1-E3 Vishay Siliconix


SI1330ED.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 240MA SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.77 грн
6000+ 10.76 грн
9000+ 9.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1330EDL-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 240MA SC70-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 250mA, 10V, Power Dissipation (Max): 280mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-70-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V.

Інші пропозиції SI1330EDL-T1-E3 за ціною від 9.76 грн до 34.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI1330EDL-T1-E3 SI1330EDL-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors SI1330ED.pdf MOSFET 60V Vds 20V Vgs SC70-3
на замовлення 10471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+32.38 грн
100+ 19.58 грн
500+ 15.26 грн
1000+ 12.47 грн
3000+ 10.52 грн
9000+ 9.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
SI1330EDL-T1-E3 SI1330EDL-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix SI1330ED.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 240MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
на замовлення 36571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.68 грн
11+ 28.75 грн
100+ 19.99 грн
500+ 14.64 грн
1000+ 11.9 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI1330EDL-T1-E3 SI1330EDL-T1-E3 Виробник : Vishay si1330ed.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SI1330EDL-T1-E3 SI1330EDL-T1-E3 Виробник : Vishay si1330ed.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
SI1330EDL-T1-E3 SI1330EDL-T1-E3 Виробник : VISHAY SI1330ED.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; 0.18W; SC70
Case: SC70
Mounting: SMD
Gate charge: 0.4nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Drain current: 0.19A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 2.5Ω
Power dissipation: 0.18W
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SI1330EDL-T1-E3 SI1330EDL-T1-E3 Виробник : VISHAY SI1330ED.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; 0.18W; SC70
Case: SC70
Mounting: SMD
Gate charge: 0.4nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Drain current: 0.19A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 2.5Ω
Power dissipation: 0.18W
товар відсутній