SI1441EDH-T1-GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 4865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 40.08 грн |
| 10+ | 33.18 грн |
| 100+ | 21.53 грн |
| 500+ | 16.93 грн |
| 1000+ | 13.1 грн |
| 3000+ | 10.87 грн |
| 9000+ | 10.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1441EDH-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4A; Idm: -25A, Case: SC70-6; SOT363, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -4A, On-state resistance: 0.1Ω, Type of transistor: P-MOSFET, Power dissipation: 2.8W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 33nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±10V, Pulsed drain current: -25A, Mounting: SMD, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції SI1441EDH-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SI1441EDH-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT-363 |
на замовлення 1939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|
|
SI1441EDH-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET -20V Vds 10V Vgs SC70-6 |
на замовлення 12564 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|
|
SI1441EDH-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT-363 |
на замовлення 1939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SI1441EDH-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4A; Idm: -25A Case: SC70-6; SOT363 Drain-source voltage: -20V Drain current: -4A On-state resistance: 0.1Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 33nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: -25A Mounting: SMD кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||
| SI1441EDH-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4A; Idm: -25A Case: SC70-6; SOT363 Drain-source voltage: -20V Drain current: -4A On-state resistance: 0.1Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 33nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: -25A Mounting: SMD |
товар відсутній |