Продукція > TK3

товар відсутній

TK30A06J3A(LBS2PQM

товар відсутній

TK30A06J3A(Q,M)

товар відсутній

TK30A06J3A(STA4,QM

товар відсутній

TK30A06J3A,LS2PQ(J

товар відсутній

TK30A06J3A,S5Q(J

товар відсутній

TK30A06N1,S4X

MOSFETs MOSFET NCh11.5ohm VGS10V 10uA VDS60V

на замовлення 1965 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	57.4 грн
10+	54.58 грн
100+	33.04 грн
250+	32.24 грн
500+	26.59 грн
1000+	23.76 грн
5000+	21.45 грн

Мінімальне замовлення: 6

TK30A06N1,S4X

Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 30 V

на замовлення 562 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	90.13 грн
10+	54.57 грн
100+	36.08 грн
500+	26.4 грн

Мінімальне замовлення: 4

TK30A06N1,S4X(S

Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine

товар відсутній

TK30A06N1,S4X(S

Description: TOSHIBA - TK30A06N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0122 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1756 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	78.43 грн
14+	60.55 грн
100+	46.98 грн
500+	34.57 грн
1000+	23.2 грн

Мінімальне замовлення: 11

TK30A06N1,S4X(S

Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine

на замовлення 181 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

153+	80.7 грн

Мінімальне замовлення: 153

TK30A06N1S4X(S

MOSFET

товар відсутній

TK30E06N1,S1X

MOSFET N-Ch PWR FET 43A 53W 60V VDSS

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	69.14 грн
10+	54.83 грн
100+	35.14 грн
500+	30.79 грн
1000+	24.49 грн
5000+	23.84 грн

Мінімальне замовлення: 5

TK30E06N1,S1X

Description: MOSFET N-CH 60V 43A TO220

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

TK30E06N1,S1X

Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

товар відсутній

TK30E06N1,S1X

Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	69.83 грн
11+	57.29 грн

Мінімальне замовлення: 9

TK30E06N1,S1X(S

Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

на замовлення 149 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

137+	90.02 грн

Мінімальне замовлення: 137

TK30E06N1,S1X(S

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; 53W; TO220AB
Mounting: THT
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
On-state resistance: 12.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 53W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB

товар відсутній

TK30E06N1,S1X(S

Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

товар відсутній

TK30E06N1,S1X(S

товар відсутній

TK30E06N1,S1X(S

Description: TOSHIBA - TK30E06N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0122 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 1893 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	80.3 грн
13+	67.7 грн
100+	42.59 грн
500+	33.81 грн
1000+	24.24 грн

Мінімальне замовлення: 11

TK30J25D

MOSFET

товар відсутній

TK30J25D,S1F(O

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товар відсутній

TK30J25D,S1F(O

TK30J25D,S1F(O

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

TK30J25DS1F(O

MOSFET

товар відсутній

TK30S06K3L(T6L1,NQ

Description: MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18Ohm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 10 V

товар відсутній

TK30S06K3L(T6L1,NQ

MOSFET N-Ch MOS 30A 60V 30W 1350pF 0.018

на замовлення 1939 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	94.67 грн
10+	75.82 грн
100+	51.37 грн
500+	43.54 грн
1000+	35.43 грн
2000+	33.26 грн
4000+	32.39 грн

Мінімальне замовлення: 4

TK30S06K3L(T6L1,NQ

Trans MOSFET N-CH Si 60V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R

товар відсутній

TK31

Extech

Digital Multimeters

товар відсутній

TK3140

Description: Replacement for Kenwood TK3140 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3140
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active

товар відсутній

TK3148

Description: Replacement for Kenwood TK3148 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3148
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active

товар відсутній

TK3160

Description: Replacement for Kenwood TK3160 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3160
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active

товар відсутній

TK3168

Description: Replacement for Kenwood TK3168 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3168
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active

товар відсутній

TK3170

Description: Replacement for Kenwood TK3170 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3170
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active

товар відсутній

TK3173

Description: Replacement for Kenwood TK3173 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3173
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active

товар відсутній

TK3178

Description: Replacement for Kenwood TK3178 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3178
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active

товар відсутній

TK31A60W

товар відсутній

TK31A60W,S4VX

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

товар відсутній

TK31A60W,S4VX

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V

на замовлення 47 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	520.41 грн

TK31A60W,S4VX

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

товар відсутній

TK31A60W,S4VX

MOSFETs N-Ch 30.8A 45W FET 600V 3000pF 86nC

на замовлення 32 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	547.75 грн
10+	516.59 грн
25+	442.69 грн
50+	360.09 грн
100+	328.21 грн
250+	320.97 грн
500+	291.26 грн

TK31A60W,S4VX(M

Description: TOSHIBA - TK31A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 44 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	594.14 грн
10+	491.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

TK31A60W,S4VX(M

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

товар відсутній

TK31A60W,S4VX(M

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

на замовлення 62 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	377.1 грн

Мінімальне замовлення: 33

TK31A60WS4VX(M

MOSFET

товар відсутній

TK31A60WS4VX(M-X

MOSFET

товар відсутній

TK31E60W,S1VX

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

TK31E60W,S1VX

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

TK31E60W,S1VX

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V

товар відсутній

TK31E60W,S1VX

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

TK31E60W,S1VX

MOSFETs N-Ch 30.8A 290W FET 600V 3000pF 86nC

на замовлення 33 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	556.2 грн
10+	508.26 грн
25+	430.37 грн
50+	376.03 грн
100+	349.95 грн
250+	339.81 грн
500+	313 грн

TK31E60W,S1VX

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

TK31E60W,S1VX

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

TK31E60W,S1VX(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220

на замовлення 45 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	433.19 грн
45+	276.51 грн

Мінімальне замовлення: 29

TK31E60W,S1VX(S

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30.8A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30.8A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

TK31E60W,S1VX(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220

на замовлення 188 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	496.18 грн
39+	316.5 грн
50+	256.97 грн
100+	231.67 грн

Мінімальне замовлення: 25

TK31E60W,S1VX(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220

товар відсутній

TK31E60W,S1VX(S

Description: TOSHIBA - TK31E60W,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 19 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	601.46 грн
10+	480.35 грн

Мінімальне замовлення: 2

TK31E60W,S1VX(S

товар відсутній

TK31E60X,S1X

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

TK31E60X,S1X

MOSFET DTMOSIV-High Speed 600V 88m (VGS=10V)

на замовлення 178 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	387.14 грн
10+	330.79 грн
50+	272.42 грн
100+	230.4 грн
250+	223.16 грн
500+	207.22 грн
1000+	178.96 грн

TK31E60X,S1X

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

TK31E60X,S1X

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	388.74 грн
50+	296.53 грн

TK31E60X,S1X(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220

товар відсутній

TK31E60X,S1X(S

Description: TOSHIBA - TK31E60X,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	412.89 грн
10+	305.6 грн
100+	250.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

TK31E60X,S1X(S)

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220

на замовлення 34 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

TK31E60XS1X(S

MOSFET

товар відсутній

TK31J60W,S1VQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube

товар відсутній

TK31J60W,S1VQ

MOSFET N-Ch 30.8A 230W FET 600V 3000pF 86nC

товар відсутній

TK31J60W,S1VQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	331.54 грн

Мінімальне замовлення: 3

TK31J60W,S1VQ

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO3P

товар відсутній

TK31J60W,S1VQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

TK31J60W,S1VQ(O

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

TK31J60W,S1VQ(O

TK31J60W,S1VQ(O

товар відсутній

TK31J60W5,S1VQ

MOSFET N-Ch 30.8A 230W FET 600V 3000pF 105nC

товар відсутній

TK31J60W5,S1VQ

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3P(N)

товар відсутній

TK31J60W5,S1VQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube

товар відсутній

TK31J60W5,S1VQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube

товар відсутній

TK31J60W5,S1VQ(O

TK31J60W5,S1VQ(O

товар відсутній

TK31J60W5,S1VQ(O

TK31J60W5,S1VQ(O

на замовлення 157 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

51+	243.74 грн

Мінімальне замовлення: 51

TK31N60W,S1VF
Код товару: 129935

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

TK31N60W,S1VF

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

TK31N60W,S1VF

MOSFETs DTMOSIV 600V 88mOhm 30.8A 230W 3000pF

на замовлення 89 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	682.15 грн
10+	525.76 грн
30+	439.79 грн
60+	400.67 грн
120+	379.66 грн
270+	376.76 грн
510+	370.96 грн

TK31N60W,S1VF

Description: MOSFET N CH 600V 30.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V

товар відсутній

TK31N60W,S1VF(S

Description: TOSHIBA - TK31N60W,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	726.62 грн
10+	524.24 грн
100+	453.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

TK31N60W,S1VF(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247

на замовлення 55 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	430.37 грн
34+	364.56 грн
42+	296.66 грн

Мінімальне замовлення: 29

TK31N60W,S1VF(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247

товар відсутній

TK31N60W5

товар відсутній

TK31N60W5,S1VF

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

TK31N60W5,S1VF

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	563.52 грн
10+	369.59 грн

TK31N60W5,S1VF

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

TK31N60W5,S1VF

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

TK31N60W5,S1VF
Код товару: 171563

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

TK31N60W5,S1VF

MOSFETs MOSFET NChtrr135ns 0.082ohm DTMOS

на замовлення 82 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	568.88 грн
10+	423.27 грн
30+	349.23 грн
60+	329.66 грн
120+	269.53 грн
510+	247.79 грн

TK31N60W5,S1VF(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247

товар відсутній

TK31N60W5,S1VF(S

Description: TOSHIBA - TK31N60W5,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.082 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 259 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	563.26 грн
10+	429.15 грн
100+	347.06 грн

Мінімальне замовлення: 2

TK31N60W5S1VF(S

MOSFETs

товар відсутній

TK31N60WS1VF(S

MOSFETs

товар відсутній

TK31N60WS1VF(S-X

MOSFET

товар відсутній

TK31N60X,S1F

MOSFETs DTMOSIV-H/S 600V 88mOhmmax(VGS=10V)

на замовлення 90 шт:

термін постачання 177-186 дні (днів)

1+	470.83 грн
10+	338.28 грн
30+	272.42 грн
60+	213.74 грн
270+	187.65 грн

TK31N60X,S1F
Код товару: 169333

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товар відсутній

TK31N60X,S1F

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

TK31N60X,S1F

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V

товар відсутній

TK31N60X,S1F(S

Description: TOSHIBA - TK31N60X,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	488.48 грн
10+	397.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

TK31N60X,S1F(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

TK31N60X,S1F(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

TK31N60XS1F(S

MOSFETs

товар відсутній

TK31V60W

MOSFET

товар відсутній

TK31V60W,LVQ

MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 240W 3000pF 30.8A

товар відсутній

TK31V60W,LVQ

TK31V60W,LVQ Toshiba MOSFETs Transistor N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R Si - Arrow.com

товар відсутній

TK31V60W,LVQ

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V

на замовлення 2455 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	612.89 грн
10+	505.66 грн
100+	421.37 грн
500+	348.92 грн
1000+	314.03 грн

TK31V60W,LVQ

TK31V60W,LVQ Toshiba MOSFETs Transistor N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R Si - Arrow.com

товар відсутній

TK31V60W,LVQ

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V

товар відсутній

TK31V60W,LVQ

TK31V60W,LVQ Toshiba MOSFETs Transistor N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R Si - Arrow.com

на замовлення 1033 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	331.77 грн
100+	313.59 грн
500+	299.97 грн
1000+	284.78 грн

Мінімальне замовлення: 23

TK31V60W,LVQ

TK31V60W,LVQ Toshiba MOSFETs Transistor N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R Si - Arrow.com

на замовлення 1033 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	357.29 грн
100+	337.71 грн
500+	323.04 грн
1000+	306.69 грн

Мінімальне замовлення: 35

TK31V60W,LVQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP

товар відсутній

TK31V60W,LVQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

31+	404.52 грн
48+	258.07 грн
59+	208.92 грн
100+	188.62 грн
200+	173.73 грн
500+	148.35 грн
1000+	138.69 грн
2000+	135.18 грн
2500+	134.3 грн

Мінімальне замовлення: 31

TK31V60W,LVQ(S

Description: TOSHIBA - TK31V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.078 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 2326 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	312.11 грн
10+	238.14 грн
100+	204.82 грн
500+	179.62 грн
1000+	151.18 грн

Мінімальне замовлення: 3

TK31V60W,LVQ(S

Description: TOSHIBA - TK31V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.078 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 240W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.078ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 2326 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	204.82 грн
500+	179.62 грн
1000+	151.18 грн

Мінімальне замовлення: 100

TK31V60W5,LVQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R

товар відсутній

TK31V60W5,LVQ

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V

на замовлення 11747 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	357.39 грн
10+	229.28 грн
100+	163.71 грн
500+	127.34 грн
1000+	122.94 грн

TK31V60W5,LVQ

MOSFET N-Ch DTMOSIV 600V 240W 3000pF 30.8A

на замовлення 12518 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	315.29 грн
10+	261.63 грн
25+	215.19 грн
100+	184.03 грн
250+	173.89 грн
500+	163.74 грн
1000+	139.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

TK31V60W5,LVQ

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	136.04 грн

Мінімальне замовлення: 2500

TK31V60W5,LVQ(S

Description: TOSHIBA - TK31V60W5,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.087 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 240W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.087ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2295 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	199.94 грн
500+	175.1 грн
1000+	137.94 грн

Мінімальне замовлення: 100

TK31V60W5,LVQ(S

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30.8A; 240W; DFN; 8x8mm
Case: DFN
Mounting: SMD
Dimensions: 8x8mm
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 105nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30.8A
On-state resistance: 109mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 240W
Polarisation: unipolar

товар відсутній

TK31V60W5,LVQ(S

Description: TOSHIBA - TK31V60W5,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.087 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2295 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	348.68 грн
10+	247.08 грн
100+	199.94 грн
500+	175.1 грн
1000+	137.94 грн

Мінімальне замовлення: 3

TK31V60W5,LVQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R

на замовлення 2490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	379.94 грн
37+	333.86 грн
50+	265.24 грн
100+	254.78 грн
200+	224.94 грн
500+	193.12 грн
1000+	188.73 грн

Мінімальне замовлення: 33

TK31V60W5,LVQ(S

товар відсутній

TK31V60W5,LVQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R

товар відсутній

TK31V60X,LQ

MOSFETs DTMOSIV-High Speed 600V 88mVGS=10V)

на замовлення 2063 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	391.37 грн
10+	308.29 грн
25+	245.62 грн
50+	225.33 грн
100+	193.45 грн
250+	182.58 грн
500+	167.37 грн

TK31V60X,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP

товар відсутній

TK31V60X,LQ

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	175.26 грн

Мінімальне замовлення: 2500

TK31V60X,LQ

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V

на замовлення 23727 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	360.52 грн
10+	291.1 грн
100+	235.49 грн
500+	196.45 грн
1000+	168.21 грн

TK31V60X,LQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R

товар відсутній

TK31V60X,LQ(S

Description: TOSHIBA - TK31V60X,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.078 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	438.9 грн
10+	332.43 грн
100+	269.84 грн
500+	221.89 грн
1000+	188.1 грн

Мінімальне замовлення: 2

TK31V60X,LQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	433.19 грн
34+	367.65 грн
50+	279.58 грн
100+	268.61 грн
200+	234.08 грн
500+	198.38 грн
1000+	193.12 грн
2500+	185.22 грн

Мінімальне замовлення: 29

TK31V60X,LQ(S

Description: TOSHIBA - TK31V60X,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.078 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 240W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.078ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	332.43 грн
100+	269.84 грн
500+	221.89 грн
1000+	188.1 грн

Мінімальне замовлення: 10

TK31Z60X,S1F

Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(T)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V

на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	974.2 грн
10+	847.1 грн

TK31Z60X,S1F

MOSFET TO-247-4L PD=230W 1MHz PWR MOSFET TRNS

на замовлення 49 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	912.07 грн
10+	769.89 грн
25+	636.86 грн
50+	598.46 грн
100+	550.65 грн
250+	536.15 грн
500+	491.96 грн

TK31Z60X,S1F

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

TK31Z60X,S1F(O

Description: TOSHIBA - TK31Z60X,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 19 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	950.95 грн
10+	701.43 грн

TK31Z60X,S1F(O

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товар відсутній

TK31Z60X,S1F(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

TK31Z60X,S1F(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 175 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

66+	186.39 грн
69+	178.19 грн
71+	175.12 грн
120+	167.88 грн

Мінімальне замовлення: 66

TK32

Extech

Clamp Multimeters & Accessories TRMS PROFESSIONAL

товар відсутній

TK32-T01-MG01-B1C-1553-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 155C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

товар відсутній

TK32-T01-MG01-B1C-1603-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 160C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

товар відсутній

TK32-T01-MG01-B1C-1703-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 170C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

товар відсутній

TK32-T01-MG01-B1C-1853-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 185C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	720.19 грн
10+	642.41 грн
50+	450.66 грн
100+	381.83 грн
200+	371.69 грн
500+	313 грн
1000+	278.95 грн

TK32-T01-MG01-B1C-1903-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 190C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 99 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	578.18 грн
10+	455.77 грн
100+	313 грн
200+	303.58 грн
500+	293.44 грн
1000+	274.6 грн
2000+	269.53 грн

TK32-T01-MG01-B1C-1953-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 195C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	578.18 грн
10+	455.77 грн
100+	313 грн
200+	303.58 грн
500+	293.44 грн
1000+	274.6 грн
2000+	269.53 грн

TK32-T01-MG01-B1C-2003-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 150C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	720.19 грн
10+	642.41 грн
50+	450.66 грн
100+	381.83 грн
200+	371.69 грн
500+	313 грн
1000+	278.95 грн

TK32-T01-MG01-B1C-2053-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 200C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 94 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	720.19 грн
10+	642.41 грн
50+	450.66 грн
100+	381.83 грн
200+	371.69 грн
500+	313 грн
1000+	278.95 грн

TK32-T01-MG01-B1C-2103-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 210C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	720.19 грн
10+	642.41 грн
50+	450.66 грн
100+	381.83 грн
200+	371.69 грн
500+	313 грн
1000+	278.95 грн

TK32-T01-MG01-B1C-2153-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 215C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	720.19 грн
10+	642.41 грн
50+	450.66 грн
100+	381.83 грн
200+	371.69 грн
500+	313 грн
1000+	278.95 грн

TK32-T01-MG01-B1C-2203-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 220C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	720.19 грн
10+	642.41 грн
50+	450.66 грн
100+	381.83 грн
200+	371.69 грн
500+	313 грн
1000+	278.95 грн

TK32-T01-MG01-B1P-1053-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 105C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	650.87 грн
10+	580.75 грн
50+	407.91 грн
100+	344.88 грн
200+	336.18 грн
500+	283.29 грн
1000+	252.14 грн

TK32-T01-MG01-B1P-1103-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 110C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

товар відсутній

TK32-T01-MG01-B1P-1253-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 125C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

товар відсутній

TK32-T01-MG01-B1P-1303-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 130C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

товар відсутній

TK32-T01-MG01-B1P-303-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 30C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 89 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	650.87 грн
10+	580.75 грн
50+	407.91 грн
100+	344.88 грн
200+	336.18 грн
500+	283.29 грн
1000+	252.14 грн

TK32-T01-MG01-B1P-403-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 40C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	650.87 грн
10+	580.75 грн
50+	407.91 грн
100+	344.88 грн
200+	336.18 грн
500+	283.29 грн
1000+	252.14 грн

TK32-T01-MG01-B1P-653-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 65C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	650.87 грн
10+	580.75 грн
50+	407.91 грн
100+	344.88 грн
200+	336.18 грн
500+	283.29 грн
1000+	252.14 грн

TK32-T01-MG01-B1P-903-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 90C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

товар відсутній

TK32-T02-MG01-B1C-1553-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 155C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

товар відсутній

TK32-T02-MG01-B1C-1653-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 165C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 98 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	720.19 грн
10+	642.41 грн
50+	450.66 грн
100+	381.83 грн
200+	371.69 грн
500+	313 грн
1000+	278.95 грн

TK32-T02-MG01-B1C-1853-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 185C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

товар відсутній

TK32-T02-MG01-B1C-1903-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 190C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

товар відсутній

TK32-T02-MG01-B1C-1953-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 195C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

товар відсутній

TK32-T02-MG01-B1C-2053-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 205C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

товар відсутній

TK32-T02-MG01-B1C-2353-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 235C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	792.04 грн
10+	706.56 грн
50+	495.58 грн
100+	419.5 грн
200+	409.36 грн
500+	344.88 грн
1000+	306.48 грн

TK32-T02-MG01-B1C-2404-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 240C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-4% tol.

на замовлення 191 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	792.04 грн
10+	706.56 грн
50+	495.58 грн
100+	419.5 грн
200+	409.36 грн
500+	344.88 грн
1000+	306.48 грн

TK32-T02-MG01-B1P-1203-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 120C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 99 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	650.87 грн
10+	580.75 грн
50+	407.91 грн
100+	344.88 грн
200+	336.18 грн
500+	283.29 грн
1000+	252.14 грн

TK32-T02-MG01-B1P-1303-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 130C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

товар відсутній

TK32-T02-MG01-B1P-1503-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 150C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	650.87 грн
10+	580.75 грн
50+	407.91 грн
100+	344.88 грн
200+	336.18 грн
500+	283.29 грн
1000+	252.14 грн

TK32-T02-MG01-B1P-453-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 45C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	650.87 грн
10+	580.75 грн
50+	407.91 грн
100+	344.88 грн
200+	336.18 грн
500+	283.29 грн
1000+	252.14 грн

TK32-T02-MG01-B1P-553-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 55C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

товар відсутній

TK32-T02-MG01-B1P-703-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 70C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	650.87 грн
10+	580.75 грн
50+	407.91 грн
100+	344.88 грн
200+	336.18 грн
500+	283.29 грн
1000+	252.14 грн

TK32-T02-MG01-B1P-753-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 75C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 99 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	650.87 грн
10+	580.75 грн
50+	407.91 грн
100+	344.88 грн
200+	336.18 грн
500+	283.29 грн
1000+	252.14 грн

TK32-T02-MG01-B1P-953-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 95C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

товар відсутній

TK3200

Description: Replacement for Kenwood TK3200 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3200
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active

товар відсутній

TK3202

Description: Replacement for Kenwood TK3202 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3202
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active

товар відсутній

TK3206

Description: Replacement for Kenwood TK3206 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3206
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active

товар відсутній

TK3207

Description: Replacement for Kenwood TK3207 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3207
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active

товар відсутній

TK32A12N1,S4X

Trans MOSFET N-CH Si 120V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine

на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	93.25 грн
10+	82.01 грн

Мінімальне замовлення: 7

TK32A12N1,S4X

Description: MOSFET N-CH 120V 32A TO-220

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

TK32A12N1,S4X

MOSFET MOSFET NCh11ohm VGS10V10uAVDS120V

на замовлення 193 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	93.83 грн
10+	75.24 грн
100+	57.02 грн
500+	43.4 грн
1000+	36.3 грн
2500+	35.36 грн

Мінімальне замовлення: 4

TK32A12N1,S4X(S

Trans MOSFET N-CH Si 120V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine

товар відсутній

TK32E12N1

товар відсутній

TK32E12N1,S1X
Код товару: 190147

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

TK32E12N1,S1X

Trans MOSFET N-CH Si 120V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

товар відсутній

TK32E12N1,S1X

Description: MOSFET N CH 120V 60A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 60 V

на замовлення 123 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	103.46 грн
50+	80.15 грн
100+	63.52 грн

Мінімальне замовлення: 4

TK32E12N1,S1X

MOSFET N-Ch 60A 98W FET 120V 2000pF 34nC

на замовлення 190 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	116.65 грн
10+	97.49 грн
100+	65.93 грн
500+	53.62 грн
1000+	42.02 грн
2500+	41.08 грн
5000+	39.12 грн

Мінімальне замовлення: 3

TK32E12N1,S1X(S

Description: TOSHIBA - TK32E12N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 60 A, 0.011 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 98W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 1874 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	130.04 грн
10+	100.78 грн
100+	75.43 грн
500+	56.98 грн
1000+	40.27 грн

Мінімальне замовлення: 7

TK32E12N1,S1X(S

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 32A; 98W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 32A
Power dissipation: 98W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

TK32E12N1,S1X(S

Trans MOSFET N-CH Si 120V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

TK32E12N1,S1X(S

товар відсутній

TK32E12N1,S1X(S

Trans MOSFET N-CH Si 120V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

товар відсутній

TK32SCR.05.1,30.S.150.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 1.3mm
Related items: TK32SCR
Mounting: screw-in
Contact material: steel
Blade tip shape: head 05
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 2.54mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Operational spring compression: 4mm
Tip diameter: 1.3mm
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 5A
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

TK32SCR.05.1,30.S.150.A

товар відсутній

TK32SCR.05.2,00.S.150.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 2mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 05
Tip diameter: 2mm
Mounting: screw-in
Related items: TK32SCR

товар відсутній

TK32SCR.05.2,00.S.150.A

товар відсутній

TK32SCR.08.1,30.S.150.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 1.3mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 08
Tip diameter: 1.3mm
Mounting: screw
Related items: TK32SCR
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

TK32SCR.08.1,30.S.150.A

товар відсутній

TK32SCR.08.2,00.S.150.R

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 2mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact plating: rhodium plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 08
Tip diameter: 2mm
Mounting: screw
Related items: TK32SCR

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	292.6 грн
5+	215.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

TK32SCR.08.2,00.S.150.R

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 2mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact plating: rhodium plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 08
Tip diameter: 2mm
Mounting: screw
Related items: TK32SCR
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 10 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	351.12 грн
5+	268.98 грн
12+	244.53 грн

TK32SCR.09.1,30.C.150.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 1.3mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: CuBe
Blade tip shape: head 09
Tip diameter: 1.3mm
Mounting: screw
Related items: TK32SCR

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	406.39 грн

TK32SCR.09.1,30.C.150.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 1.3mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: CuBe
Blade tip shape: head 09
Tip diameter: 1.3mm
Mounting: screw
Related items: TK32SCR
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	351.12 грн
5+	268.98 грн
12+	244.53 грн

TK32SCR.09.2,00.S.150.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 2mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 09
Tip diameter: 2mm
Mounting: screw-in
Related items: TK32SCR
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

TK32SCR.09.2,00.S.150.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 2mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 09
Tip diameter: 2mm
Mounting: screw-in
Related items: TK32SCR

товар відсутній

TK32SCR.10.1,50.C.150.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 1.5mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: CuBe
Blade tip shape: head 10
Tip diameter: 1.5mm
Mounting: screw-in
Related items: TK32SCR

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	319.42 грн
4+	245.28 грн
10+	232.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

TK32SCR.10.1,50.C.150.A

на замовлення 10 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	383.31 грн
4+	305.66 грн
10+	278.95 грн
25+	278.04 грн

TK32SCR.10.2,00.S.150.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 2mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 10
Tip diameter: 2mm
Mounting: screw-in
Related items: TK32SCR
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 10 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	375.5 грн
4+	299.08 грн
10+	272.61 грн

TK32SCR.10.2,00.S.150.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 2mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 10
Tip diameter: 2mm
Mounting: screw-in
Related items: TK32SCR

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	312.92 грн
4+	240 грн
10+	227.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

TK32SCR.13.1,30.S.150.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 1.3mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 13
Tip diameter: 1.3mm
Mounting: screw
Related items: TK32SCR

товар відсутній

TK32SCR.13.1,30.S.150.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 1.3mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 13
Tip diameter: 1.3mm
Mounting: screw
Related items: TK32SCR
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

TK33.7 -AS

Category: Multipurpose Enclosures
Description: Enclosure: multipurpose; X: 133mm; Y: 188mm; Z: 59mm; TEKMAR; ABS
Enclosure material: ABS
Version: PCB is fastened in guides
Body colour: light grey
Type of enclosure: multipurpose
Dimension Y: 188mm
Dimension X: 133mm
Dimension Z: 59mm
Enclosure series: TEKMAR

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1212.66 грн

TK33.7 -AS

на замовлення 1 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	1455.2 грн
3+	1327.05 грн
30+	1226.27 грн

TK33.9

Category: Multipurpose Enclosures
Description: Enclosure: multipurpose; X: 133mm; Y: 188mm; Z: 59mm; TEKMAR; ABS
Type of enclosure: multipurpose
Dimension X: 133mm
Dimension Y: 188mm
Dimension Z: 59mm
Enclosure series: TEKMAR
Body colour: black
Enclosure material: ABS
Version: PCB is fastened in guides
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	2030.64 грн
2+	1851.84 грн
10+	1782.35 грн

TK33.9

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1692.2 грн
2+	1486.05 грн

TK3306

Description: Replacement for Kenwood TK3306 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3306
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active

товар відсутній

TK3312

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 12m; black; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Core section: 0.25mm²
Insulation colour: black
Number of cores: 2
Cable length: 12m
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin

товар відсутній

TK3312

товар відсутній

TK3312PSF-A

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 12m; orange; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Core section: 0.25mm²
Insulation colour: orange
Number of cores: 2
Cable length: 12m
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

TK3312PSF-A

товар відсутній

TK3312PSF-B

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 12m; blue; 0.25mm2; Cores: 2
Cable length: 12m
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Core section: 0.25mm²
Insulation colour: blue
Number of cores: 2

товар відсутній

TK3312PSF-B

товар відсутній

TK3312PSF-G

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 12m; yellow; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 12m
Insulation colour: yellow
Core section: 0.25mm²
Number of cores: 2

товар відсутній

TK3312PSF-G

товар відсутній

TK3312PSF-TB

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 12m; brown; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Core section: 0.25mm²
Insulation colour: brown
Number of cores: 2
Cable length: 12m
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin

товар відсутній

TK3312PSF-TB

товар відсутній

TK3312PSF-V

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 12m; green; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 12m
Insulation colour: green
Core section: 0.25mm²
Number of cores: 2

товар відсутній

TK3312PSF-V

товар відсутній

TK333

TAS-TK333 Audio - Video Cables

на замовлення 9 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	1716.59 грн
2+	1046.04 грн
3+	988.99 грн

TK333PSF-A

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; orange; 0.25mm2
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 3m
Core section: 0.25mm²
Insulation colour: orange
Number of cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 6 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	1364.49 грн
3+	1243.34 грн

TK333PSF-A

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1137.08 грн
3+	997.74 грн

TK333PSF-B

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; blue; 0.25mm2; Cores: 2
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 3m
Core section: 0.25mm²
Insulation colour: blue
Number of cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 10 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	1364.49 грн
3+	1243.34 грн

TK333PSF-B

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1137.08 грн
3+	997.74 грн

TK333PSF-G

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; yellow; 0.25mm2
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 3m
Core section: 0.25mm²
Insulation colour: yellow
Number of cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1137.08 грн
3+	997.74 грн

TK333PSF-G

на замовлення 10 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	1364.49 грн
3+	1243.34 грн

TK333PSF-TB

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; brown; 0.25mm2; Cores: 2
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 3m
Core section: 0.25mm²
Insulation colour: brown
Number of cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 10 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	1364.49 грн
3+	1243.34 грн

TK333PSF-TB

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1137.08 грн
3+	997.74 грн

TK333PSF-V

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; green; 0.25mm2; Cores: 2
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 3m
Core section: 0.25mm²
Insulation colour: green
Number of cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 8 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	1364.49 грн
3+	1243.34 грн

TK333PSF-V

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1137.08 грн
3+	997.74 грн

TK336

TAS-TK336 Audio - Video Cables

товар відсутній

TK336PSF-A

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 6m; orange; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 6m
Insulation colour: orange
Core section: 0.25mm²
Number of cores: 2
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

TK336PSF-A

товар відсутній

TK336PSF-B

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 6m; blue; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 6m
Insulation colour: blue
Core section: 0.25mm²
Number of cores: 2

товар відсутній

TK336PSF-B

товар відсутній

TK336PSF-G

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 6m; yellow; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 6m
Insulation colour: yellow
Core section: 0.25mm²
Number of cores: 2
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

TK336PSF-G

товар відсутній

TK336PSF-TB

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 6m; brown; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 6m
Insulation colour: brown
Core section: 0.25mm²
Number of cores: 2
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

TK336PSF-TB

товар відсутній

TK336PSF-V

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 6m; green; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 6m
Insulation colour: green
Core section: 0.25mm²
Number of cores: 2

товар відсутній

TK336PSF-V

товар відсутній

TK338M

N/A

05+ DIP8

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TK339

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 9m; black; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 9m
Insulation colour: black
Core section: 0.25mm²
Number of cores: 2

товар відсутній

TK339

товар відсутній

TK339PSF-A

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 9m; orange; 0.25mm2
Number of cores: 2
Core section: 0.25mm²
Insulation colour: orange
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 9m
Type of connection cable: XLR - XLR

товар відсутній

TK339PSF-A

товар відсутній

TK339PSF-B

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 9m; blue; 0.25mm2; Cores: 2
Cable length: 9m
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Core section: 0.25mm²
Insulation colour: blue
Number of cores: 2
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

TK339PSF-B

товар відсутній

TK339PSF-G

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 9m; yellow; 0.25mm2
Number of cores: 2
Cable length: 9m
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Insulation colour: yellow
Core section: 0.25mm²

товар відсутній

TK339PSF-G

товар відсутній

TK339PSF-TB

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 9m; brown; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 9m
Insulation colour: brown
Core section: 0.25mm²
Number of cores: 2

товар відсутній

TK339PSF-TB

товар відсутній

TK339PSF-V

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 9m; green; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 9m
Insulation colour: green
Core section: 0.25mm²
Number of cores: 2

товар відсутній

TK339PSF-V

товар відсутній

TK33S.7

TK33S.7 Desktop Enclosures

на замовлення 6 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	2154.58 грн
2+	2036.84 грн

TK33S.9 -AS

Category: Desktop Enclosures
Description: Enclosure: desktop; TEKMAR; X: 133mm; Y: 188mm; Z: 75mm; ABS; black
Type of enclosure: desktop
Enclosure series: TEKMAR
Dimension X: 133mm
Dimension Y: 188mm
Dimension Z: 75mm
Enclosure material: ABS
Body colour: black
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	1652.21 грн
2+	1506.68 грн
30+	1399.26 грн

TK33S.9 -AS

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1376.85 грн

TK33S10N1L,LQ

MOSFET 125W 1MHz Automotive; AEC-Q101

на замовлення 1640 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	139.47 грн
10+	114.15 грн
100+	78.97 грн
250+	72.45 грн
500+	66.58 грн
1000+	56.44 грн
2000+	53.69 грн

Мінімальне замовлення: 3

TK33S10N1L,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R

товар відсутній

TK33S10N1L,LQ

Description: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 10 V

на замовлення 1497 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	127.75 грн
10+	102.34 грн
100+	81.49 грн
500+	64.71 грн
1000+	54.9 грн

Мінімальне замовлення: 3

TK33S10N1L,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R

товар відсутній

TK33S10N1L,LQ

Description: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 10 V

товар відсутній

TK33S10N1L,LQ(O

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товар відсутній

TK33S10N1L,LQ(O

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 125W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 125W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 821 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

3+	138.5 грн
5+	120.38 грн
12+	91.47 грн
32+	86.04 грн

Мінімальне замовлення: 3

TK33S10N1L,LQ(O

на замовлення 821 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	115.41 грн
5+	96.6 грн
12+	76.23 грн
32+	71.7 грн

Мінімальне замовлення: 4

TK33S10N1L,LXHQ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R

товар відсутній

TK33S10N1L,LXHQ

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	36.78 грн

Мінімальне замовлення: 2000

TK33S10N1L,LXHQ

на замовлення 3847 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	89.35 грн
10+	70.04 грн
100+	54.48 грн
500+	43.35 грн
1000+	35.31 грн

Мінімальне замовлення: 4

TK33S10N1L,LXHQ

MOSFETs PD=40W F=1MHZ AEC-Q101

на замовлення 3479 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	106.51 грн
10+	86.65 грн
25+	68.03 грн
100+	52.46 грн
500+	41.44 грн
1000+	37.97 грн
2000+	36.81 грн

Мінімальне замовлення: 4

TK33S10N1L,LXHQ(O

TK33S10N1L,LXHQ(O

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

118+	104.61 грн
123+	99.94 грн
250+	95.93 грн
500+	89.16 грн
1000+	79.87 грн

Мінімальне замовлення: 118

TK33S10N1LLQ(O

MOSFET

товар відсутній

TK33S10N1Z,LQ

MOSFET UMOSVIII 100V 10m max(VGS=10V) DPAK

на замовлення 1891 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	85.37 грн
10+	73.99 грн
100+	54.7 грн
250+	54.27 грн
500+	50.21 грн
1000+	46.23 грн
2000+	43.98 грн

Мінімальне замовлення: 4

TK33S10N1Z,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R

на замовлення 7393 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

204+	60.49 грн
205+	60.21 грн
222+	55.54 грн
250+	53.47 грн
500+	49.43 грн
1000+	47.37 грн
3000+	47.3 грн
6000+	47.23 грн

Мінімальне замовлення: 204

TK33S10N1Z,LQ

Description: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 10 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	47.25 грн

Мінімальне замовлення: 2000

TK33S10N1Z,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R

товар відсутній

TK33S10N1Z,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R

на замовлення 7393 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	56.17 грн
25+	55.91 грн
100+	49.73 грн
250+	45.97 грн
500+	44.06 грн
1000+	43.99 грн
3000+	43.92 грн
6000+	43.85 грн

Мінімальне замовлення: 11

TK33S10N1Z,LQ

Description: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 10 V

на замовлення 3597 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	105.02 грн
10+	83.85 грн
100+	66.71 грн
500+	52.97 грн
1000+	44.95 грн

Мінімальне замовлення: 3

TK33S10N1Z,LQ(O

Description: TOSHIBA - TK33S10N1Z,LQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.0082 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2945 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	93.47 грн
12+	73.48 грн
100+	53.56 грн
500+	44.6 грн

Мінімальне замовлення: 9

TK33S10N1Z,LQ(O

на замовлення 2945 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	93.47 грн
12+	73.48 грн
100+	53.56 грн
500+	44.6 грн

Мінімальне замовлення: 9

TK33S10N1Z,LQ(O

Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R

товар відсутній

TK33S10N1Z,LQ(O

Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R

на замовлення 3840 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

129+	95.86 грн
141+	87.25 грн
173+	71.07 грн
200+	64.09 грн
500+	59.16 грн
1000+	50.48 грн
2000+	47.05 грн

Мінімальне замовлення: 129

TK33S10N1Z,LXHQ

Description: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 10 V

на замовлення 3974 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	96.4 грн
10+	75.62 грн
100+	58.79 грн
500+	46.77 грн
1000+	38.1 грн

Мінімальне замовлення: 4

TK33S10N1Z,LXHQ

Description: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 10 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	39.68 грн

Мінімальне замовлення: 2000

TK33S10N1Z,LXHQ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R

товар відсутній

TK33S10N1Z,LXHQ

MOSFET 125W 1MHz Automotive; AEC-Q101

на замовлення 26869 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	104.82 грн
10+	84.15 грн
100+	56.8 грн
500+	48.18 грн
1000+	39.2 грн
2000+	36.95 грн
4000+	35.86 грн

Мінімальне замовлення: 4

TK33S10N1ZLQ(O

MOSFET

товар відсутній

TK33SP.7 -AS

Category: Desktop Enclosures
Description: Enclosure: desktop; TEKMAR; X: 133mm; Y: 188mm; Z: 75mm; ABS
Type of enclosure: desktop
Enclosure series: TEKMAR
Dimension X: 133mm
Dimension Y: 188mm
Dimension Z: 75mm
Enclosure material: ABS
Body colour: light grey
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 28 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	1621.98 грн

TK33SP.7 -AS

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1351.65 грн

TK33SP.9 -AS

на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1380.91 грн
2+	1212.08 грн

TK33SP.9 -AS

на замовлення 15 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	1657.09 грн
2+	1510.44 грн
50+	1399.26 грн

TK3412

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 12m; black; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 12m
Insulation colour: black
Core section: 0.25mm²
Number of cores: 2
Enclosure material: metal
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

TK3412

товар відсутній

TK343

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; black; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 3m
Insulation colour: black
Core section: 0.25mm²
Number of cores: 2
Enclosure material: metal
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 9 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	1286.46 грн
3+	1172.8 грн

TK343

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1072.05 грн
3+	941.14 грн

TK3434

3M (TC)

Description: HOME TAPE KIT - PREMIUM

товар відсутній

TK346

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 6m; black; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 6m
Insulation colour: black
Core section: 0.25mm²
Number of cores: 2
Enclosure material: metal
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

TK346

товар відсутній

TK349

товар відсутній

TK349

товар відсутній

TK34A10N1,S4X

Description: MOSFET N-CH 100V 34A TO-220

на замовлення 120 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

TK34A10N1,S4X

MOSFET MOSFET NCh 8 mOhms VGS10V10uAVDS100V

на замовлення 974 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	116.65 грн
10+	93.32 грн
100+	65.72 грн
500+	55.57 грн
1000+	43.83 грн

Мінімальне замовлення: 3

TK34A10N1,S4X(S

Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine

на замовлення 86 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

TK34A10N1,S4X(S

Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine

товар відсутній

TK34E10N1,S1X

MOSFET N-Ch PWR FET 75A 103W 100V VDSS

на замовлення 273 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	120.03 грн
10+	97.49 грн
100+	73.18 грн
500+	54.34 грн
1000+	43.62 грн
5000+	41.44 грн
10000+	40.14 грн

Мінімальне замовлення: 3

TK34E10N1,S1X

Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 50 V

товар відсутній

TK34E10N1,S1X(S

Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

товар відсутній

TK34E10N1,S1X(S

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; 103W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 103W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

на замовлення 812 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	63.4 грн
10+	55.85 грн
17+	54.34 грн
45+	51.32 грн
50+	50.57 грн

Мінімальне замовлення: 6

TK34E10N1,S1X(S

на замовлення 812 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

4+	79 грн
10+	67.02 грн
17+	65.21 грн
45+	61.59 грн
50+	60.68 грн

Мінімальне замовлення: 4

TK34E10N1,S1X(S

Description: TOSHIBA - TK34E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.0079 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 103W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	131.67 грн
10+	99.16 грн

Мінімальне замовлення: 7

TK34E10N1S1X(S

MOSFET

товар відсутній

TK3501B-EQ

на замовлення 201 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TK3511-EG

на замовлення 14 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TK35A08N1,S4X

Description: MOSFET N-CH 80V 35A TO220SIS

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	79.16 грн
10+	68.08 грн

Мінімальне замовлення: 4

TK35A08N1,S4X

MOSFET MOSFET NCh 10ohm VGS10V10uAVDS80V

на замовлення 700 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	77.01 грн
10+	60.82 грн
100+	42.75 грн
500+	36.23 грн
1000+	27.24 грн
2500+	27.17 грн
5000+	26.45 грн

Мінімальне замовлення: 5

TK35A08N1,S4X(S

Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine

товар відсутній

TK35A08N1,S4X(S

Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

TK35A65W,S5X

MOSFETs MOSFET NChannel 068ohm DTMOS

на замовлення 40 шт:

термін постачання 263-272 дні (днів)

1+	556.2 грн
10+	394.94 грн
100+	263.01 грн
250+	257.93 грн
500+	236.92 грн

TK35A65W,S5X

Trans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

товар відсутній

TK35A65W,S5X

Trans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

товар відсутній

TK35A65W,S5X

Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO-220

на замовлення 88 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

TK35A65W,S5X(M

TK35A65W,S5X(M

товар відсутній

TK35A65W,S5X(M

Description: TOSHIBA - TK35A65W,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.068 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	540.5 грн
5+	486.04 грн
10+	431.58 грн
50+	376.61 грн

Мінімальне замовлення: 2

TK35A65W5,S5X

Trans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

товар відсутній

TK35A65W5,S5X

Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO220SIS

на замовлення 76 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

TK35A65W5,S5X

MOSFETs Power MOSFET N-Channel

на замовлення 59 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	508.02 грн
10+	382.44 грн
25+	310.1 грн
50+	271.7 грн
100+	242.72 грн
250+	230.4 грн
500+	220.26 грн

TK35A65W5,S5X(M

Description: TOSHIBA - TK35A65W5,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.08 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 48 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	504.74 грн
5+	453.53 грн
10+	402.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

TK35A65W5,S5X(M

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товар відсутній

TK35E08N1,S1X

Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

товар відсутній

TK35E08N1,S1X

Description: MOSFET N-CH 80V 55A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 40 V

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	90.92 грн
10+	78.34 грн

Мінімальне замовлення: 4

TK35E08N1,S1X

MOSFET 80V N-Ch PWR FET 55A 72W 25nC

на замовлення 367 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	84.11 грн
10+	68.16 грн
100+	46.95 грн
500+	38.04 грн
1000+	29.92 грн
5000+	29.13 грн

Мінімальне замовлення: 5

TK35E08N1,S1X(S

Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

600+	36.41 грн

Мінімальне замовлення: 600

TK35E08N1,S1X(S

Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

TK35E08N1,S1X(S

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 72W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 55A
Power dissipation: 72W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 112 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

4+	83.88 грн
5+	66.12 грн
10+	55.88 грн
22+	49.45 грн
59+	46.73 грн
250+	46.46 грн

Мінімальне замовлення: 4

TK35E08N1,S1X(S

Description: TOSHIBA - TK35E08N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.01 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 1915 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	86.15 грн
12+	68.68 грн
100+	52.99 грн
500+	43.25 грн
1000+	34.9 грн

Мінімальне замовлення: 10

TK35E08N1,S1X(S

на замовлення 112 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	69.9 грн
8+	53.06 грн
10+	46.57 грн
22+	41.21 грн
59+	38.94 грн

Мінімальне замовлення: 6

TK35E08N1,S1X(S

Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

312+	39.5 грн

Мінімальне замовлення: 312

TK35E10K3(S1SS-Q)

Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO-220AB

товар відсутній

TK35E10K3(S1SS-Q)

MOSFET N-Ch MOS 55A 80V 72W 0.0122 Ohm

товар відсутній

TK35N.02.1,30.S.170.R

TK35N.02130S170R Contact Probes

на замовлення 5 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	280.9 грн
6+	207.4 грн
14+	195.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

TK35N.03.2,00.S.170.R

TK35N.03200S170R Contact Probes

на замовлення 2 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	280.9 грн
5+	211.02 грн
14+	199.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

TK35N.04.2,00.S.170.R

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 6.4mm; 3A; Ø: 2mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 6.4mm
Maksimum spring compression: 8mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 3A
Contact plating: rhodium plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 04
Tip diameter: 2mm
Related items: TK35N

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	225.14 грн
5+	185.66 грн
6+	175.85 грн
14+	166.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

TK35N.04.2,00.S.170.R

на замовлення 20 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	270.17 грн
5+	231.36 грн
6+	211.02 грн
14+	200.15 грн
25+	199.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

TK35N.05.1,30.S.170.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 6.4mm; 3A; Ø: 1.3mm
Related items: TK35N
Contact material: steel
Blade tip shape: head 05
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 2.54mm
Maksimum spring compression: 8mm
Operational spring compression: 6.4mm
Tip diameter: 1.3mm
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 3A

товар відсутній

TK35N.05.1,30.S.170.A

товар відсутній

TK35N.05.2,00.S.170.A

TK35N.05200S170A Contact Probes

товар відсутній

TK35N.07.1,30.S.170.R

TK35N.07130S170R Contact Probes

на замовлення 2 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	316.01 грн
5+	233.66 грн
13+	220.08 грн

TK35N.07.2,00.S.170.R

TK35N.07200S170R Contact Probes

товар відсутній

TK35N.08.2,00.S.170.R

TK35N.08200S170R Contact Probes

товар відсутній

TK35N.12.0,80.S.170.R

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 6.4mm; 3A; Ø: 0.8mm
Related items: TK35N
Blade tip shape: head 12
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 2.54mm
Maksimum spring compression: 8mm
Operational spring compression: 6.4mm
Tip diameter: 0.8mm
Contact plating: rhodium plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 3A
Contact material: steel

на замовлення 36 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	250.34 грн
5+	195.47 грн
13+	184.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

TK35N.12.0,80.S.170.R

на замовлення 36 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	300.4 грн
5+	243.59 грн
13+	221.89 грн

TK35N.13.1,30.S.170.R

TK35N.13130S170R Contact Probes

на замовлення 33 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	316.01 грн
5+	233.66 грн
13+	220.08 грн

TK35N65W

товар відсутній

TK35N65W,S1F

MOSFETs MOSFET NChannel 068ohm DTMOS

товар відсутній

TK35N65W,S1F

Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	547.06 грн

TK35N65W,S1F

Trans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

TK35N65W,S1F(S

Description: TOSHIBA - TK35N65W,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.068 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	633.97 грн
5+	560.82 грн
10+	487.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

TK35N65W,S1F(S

Trans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

TK35N65W,S1F(S

Trans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

TK35N65W5

товар відсутній

TK35N65W5,S1F

Trans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

TK35N65W5,S1F

Trans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	295.78 грн

Мінімальне замовлення: 13

TK35N65W5,S1F

MOSFETs MOSFET NChtrr130ns 0.08ohm DTMOS

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	709.2 грн
10+	492.43 грн
60+	381.1 грн
120+	321.69 грн
270+	318.07 грн

TK35N65W5,S1F

Trans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

TK35N65W5,S1F

Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V

товар відсутній

TK35N65W5,S1F(S

Trans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

TK35N65W5,S1F(S

Description: TOSHIBA - TK35N65W5,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.08 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	672.17 грн
5+	610.4 грн
10+	548.62 грн
50+	469.44 грн
100+	396.4 грн

Мінімальне замовлення: 2

TK35N65W5S1F(S

MOSFET

товар відсутній

TK35N65WS1F(S

MOSFET

товар відсутній

TK35N65WS1F(S-X

MOSFET

товар відсутній

TK35S04K3L(T6L1,NQ

Description: MOSFET N-CH 40V 35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 10 V

на замовлення 1790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	95.62 грн
10+	75.02 грн
100+	58.36 грн
500+	46.42 грн
1000+	37.82 грн

Мінімальне замовлення: 4

TK35S04K3L(T6L1,NQ

Trans MOSFET N-CH Si 40V 35A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R

товар відсутній

TK35S04K3L(T6L1,NQ

Description: MOSFET N-CH 40V 35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 10 V

товар відсутній

TK35S04K3L(T6L1,NQ

MOSFET N-Ch MOS 35A 40V 58W 1370pF 0.0103

товар відсутній

TK3640448(P3640448)

PROFEC

на замовлення 12800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TK36L.02.2,50.S.170.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 5mm; Min.pitch: 4mm
Tip diameter: 2.5mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Blade tip shape: head 02
Minimum pitch: 4mm
Type of test accessories: test needle
Contact plating: gold-plated
Maksimum spring compression: 7mm
Contact material: steel
Current rating: 3A
Related items: TK36L
Operational spring compression: 5mm

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	270.66 грн
5+	200 грн

Мінімальне замовлення: 2

TK36L.02.2,50.S.170.A

на замовлення 10 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	324.79 грн
5+	249.23 грн
13+	226.42 грн

TK36L.02.4,00.S.170.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 5mm; Min.pitch: 4mm
Tip diameter: 4mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Blade tip shape: head 02
Minimum pitch: 4mm
Type of test accessories: test needle
Contact plating: gold-plated
Maksimum spring compression: 7mm
Contact material: steel
Current rating: 3A
Related items: TK36L
Operational spring compression: 5mm
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

TK36L.02.4,00.S.170.A

товар відсутній

TK36L.05.2,50.S.170.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 5mm; Min.pitch: 4mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 5mm
Maksimum spring compression: 7mm
Minimum pitch: 4mm
Current rating: 3A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 05
Tip diameter: 2.5mm
Related items: TK36L

товар відсутній

TK36L.05.2,50.S.170.A

товар відсутній

TK36L.07.2,50.S.170.N

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 5mm; Min.pitch: 4mm
Tip diameter: 2.5mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Blade tip shape: head 07
Minimum pitch: 4mm
Type of test accessories: test needle
Contact plating: nickel plated
Maksimum spring compression: 7mm
Contact material: steel
Current rating: 3A
Related items: TK36L
Operational spring compression: 5mm
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 10 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	289.67 грн
5+	221.96 грн
14+	201.96 грн

Мінімальне замовлення: 2

TK36L.07.2,50.S.170.N

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 5mm; Min.pitch: 4mm
Tip diameter: 2.5mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Blade tip shape: head 07
Minimum pitch: 4mm
Type of test accessories: test needle
Contact plating: nickel plated
Maksimum spring compression: 7mm
Contact material: steel
Current rating: 3A
Related items: TK36L
Operational spring compression: 5mm

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	241.4 грн
5+	178.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

TK36L.08.2,50.S.170.A

на замовлення 51 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	289.67 грн
5+	221.96 грн
13+	201.96 грн

Мінімальне замовлення: 2

TK36L.08.2,50.S.170.A

на замовлення 51 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	241.4 грн
5+	178.11 грн
13+	168.3 грн

Мінімальне замовлення: 2

TK36L.09.2,50.S.170.A

товар відсутній

TK36L.09.2,50.S.170.A

товар відсутній

TK36L.09.4,00.S.170.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 5mm; Min.pitch: 4mm
Related items: TK36L
Tip diameter: 4mm
Contact material: steel
Blade tip shape: head 09
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 7mm
Operational spring compression: 5mm
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 3A
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 104 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	279.92 грн
5+	225.72 грн
14+	205.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

TK36L.09.4,00.S.170.A

на замовлення 104 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	233.27 грн
5+	181.13 грн
14+	171.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

TK36L.10.1,40.S.170.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 5mm; Min.pitch: 4mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 5mm
Maksimum spring compression: 7mm
Minimum pitch: 4mm
Current rating: 3A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 10
Tip diameter: 1.4mm
Related items: TK36L

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	234.08 грн
5+	172.83 грн
14+	163.02 грн

Мінімальне замовлення: 2

TK36L.10.1,40.S.170.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 5mm; Min.pitch: 4mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 5mm
Maksimum spring compression: 7mm
Minimum pitch: 4mm
Current rating: 3A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 10
Tip diameter: 1.4mm
Related items: TK36L
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	280.9 грн
5+	215.37 грн
14+	195.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

TK36L.10.2,50.S.170.A

TK36L.10250S170A Contact Probes

товар відсутній

TK36L.11.1,80.S.170.A

TK36L.11180S170A Contact Probes

товар відсутній

TK36L.13.1,80.S.170.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 5mm; Min.pitch: 4mm
Current rating: 3A
Contact material: steel
Blade tip shape: head 13
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 7mm
Operational spring compression: 5mm
Tip diameter: 1.8mm
Related items: TK36L
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 73 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	274.07 грн
5+	227.6 грн
14+	207.4 грн

Мінімальне замовлення: 2

TK36L.13.1,80.S.170.A

на замовлення 73 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	228.39 грн
5+	182.64 грн
14+	172.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

TK36N.02.2,50.S.170.A

TK36N.02250S170A Contact Probes

на замовлення 4 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	280.9 грн
6+	207.4 грн
14+	195.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

TK36N.05.2,50.S.170.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 5A; Ø: 2.5mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.6mm
Minimum pitch: 4mm
Current rating: 5A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 05
Tip diameter: 2.5mm
Related items: TK36N

товар відсутній

TK36N.05.2,50.S.170.A

товар відсутній

TK36N.07.2,50.S.170.A

TK36N.07250S170A Contact Probes

на замовлення 42 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	324.79 грн
5+	240 грн
13+	226.42 грн

TK36N.07.3,00.S.170.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 5A; Ø: 3mm
Related items: TK36N
Current rating: 5A
Contact material: steel
Blade tip shape: head 07
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 5.6mm
Operational spring compression: 4.5mm
Tip diameter: 3mm
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 15 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	283.82 грн
5+	228.54 грн
14+	207.4 грн

Мінімальне замовлення: 2

TK36N.07.3,00.S.170.A

на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	236.52 грн
5+	183.4 грн
14+	172.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

TK36N.08.2,50.C.170.A

TK36N.08250C170A Contact Probes

на замовлення 2 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	280.9 грн
6+	207.4 грн
14+	195.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

TK36N.08.3,00.S.170.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 5A; Ø: 3mm
Blade tip shape: head 08
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 5.6mm
Operational spring compression: 4.5mm
Tip diameter: 3mm
Related items: TK36N
Current rating: 5A
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact plating: gold-plated
Contact material: steel
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 21 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	283.82 грн
5+	228.54 грн
14+	208.3 грн

Мінімальне замовлення: 2

TK36N.08.3,00.S.170.A

на замовлення 21 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	236.52 грн
5+	183.4 грн
14+	173.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

TK36N.09.2,50.S.170.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 5A; Ø: 2.5mm
Current rating: 5A
Contact material: steel
Blade tip shape: head 09
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 5.6mm
Operational spring compression: 4.5mm
Tip diameter: 2.5mm
Related items: TK36N
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	406.39 грн

TK36N.09.2,50.S.170.A

на замовлення 1 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	292.6 грн
5+	228.54 грн
6+	206.49 грн
15+	195.62 грн

TK36N.09.4,00.S.170.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 5A; Ø: 4mm
Related items: TK36N
Tip diameter: 4mm
Contact material: steel
Blade tip shape: head 09
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 5.6mm
Operational spring compression: 4.5mm
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 5A
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 3 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	300.4 грн
5+	241.71 грн
13+	220.08 грн

TK36N.09.4,00.S.170.A

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	250.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

TK36N.10.1,80.S.170.A

TK36N.10180S170A Contact Probes

на замовлення 46 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	316.01 грн
5+	233.66 грн
13+	220.08 грн

TK36N.10.2,50.S.170.A

TK36N.10250S170A Contact Probes

на замовлення 21 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	193.12 грн
8+	136.76 грн
22+	129.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

TK36N.11.1,80.S.170.N

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 5A; Ø: 1.8mm
Current rating: 5A
Contact material: steel
Blade tip shape: head 11
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 5.6mm
Operational spring compression: 4.5mm
Tip diameter: 1.8mm
Related items: TK36N
Contact plating: nickel plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 24 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	300.4 грн
5+	241.71 грн
13+	220.08 грн

TK36N.11.1,80.S.170.N

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	250.34 грн
5+	193.96 грн
13+	183.4 грн

Мінімальне замовлення: 2

TK36N.14.1,80.S.170.A

TK36N.14180S170A Contact Probes

товар відсутній

TK36SCR.02.3,00.S.300.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; Min.pitch: 4mm
Mounting: screw-in
Blade tip shape: head 02
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 5.3mm
Operational spring compression: 4mm
Tip diameter: 3mm
Related items: TK36SCR
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 5A
Contact material: steel
Contact plating: gold-plated
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 27 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	516.93 грн
3+	400.65 грн
8+	364.98 грн

TK36SCR.02.3,00.S.300.A

на замовлення 27 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	430.77 грн
3+	321.51 грн
8+	304.15 грн

TK36SCR.05.2,30.C.300.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; Min.pitch: 4mm
Mounting: screw-in
Blade tip shape: head 05
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 5.3mm
Operational spring compression: 4mm
Tip diameter: 2.3mm
Related items: TK36SCR
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 10A
Contact material: CuBe
Contact plating: gold-plated

на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	444.59 грн
3+	344.91 грн
7+	326.79 грн

TK36SCR.05.2,30.C.300.A

на замовлення 17 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	533.51 грн
3+	429.81 грн
7+	392.15 грн

TK36SCR.05.3,00.C.300.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; Min.pitch: 4mm
Mounting: screw-in
Blade tip shape: head 05
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 5.3mm
Operational spring compression: 4mm
Tip diameter: 3mm
Related items: TK36SCR
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 10A
Contact material: CuBe
Contact plating: gold-plated

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	389.32 грн
3+	302.64 грн
9+	286.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

TK36SCR.05.3,00.C.300.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; Min.pitch: 4mm
Mounting: screw-in
Blade tip shape: head 05
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 5.3mm
Operational spring compression: 4mm
Tip diameter: 3mm
Related items: TK36SCR
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 10A
Contact material: CuBe
Contact plating: gold-plated
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 18 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	467.18 грн
3+	377.14 грн
9+	343.25 грн

TK36SCR.07.2,30.C.300.A

TK36SCR.07230C300A Contact Probes

на замовлення 15 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	561.79 грн
3+	413.89 грн
7+	392.15 грн

TK36SCR.08.2,30.C.300.A

TK36SCR.08230C300A Contact Probes

на замовлення 4 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	491.57 грн
3+	362.27 грн
8+	342.34 грн

TK36SCR.09.2,30.C.300.A

TK36SCR.09230C300A Contact Probes

на замовлення 5 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	491.57 грн
3+	362.27 грн
8+	342.34 грн

TK36SCR.10.1,40.S.300.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; Min.pitch: 4mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.3mm
Minimum pitch: 4mm
Current rating: 5A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 10
Tip diameter: 1.4mm
Mounting: screw-in
Related items: TK36SCR

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	389.32 грн
3+	299.62 грн
8+	283.02 грн

Мінімальне замовлення: 2

TK36SCR.10.1,40.S.300.A

на замовлення 10 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	467.18 грн
3+	373.38 грн
8+	339.62 грн

TK3701X-EBG

на замовлення 24 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TK3701Y-EBG-LF

2005

на замовлення 10 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TK370A60F,S4X(S

Description: TOSHIBA - TK370A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.3 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	209.7 грн
10+	160.93 грн

Мінімальне замовлення: 4

TK370A60F,S4X(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товар відсутній

TK3711-EBG-LF

TEKNOVUSOO

BGA

на замовлення 96 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TK3711-EBG-LF

06+

на замовлення 26 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TK3711X-EBG-LE

0037+

на замовлення 290 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TK3713A-EEQ-LF

TEKNDVUS

08+ SOT23

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TK3714A-EEQ-LFG

Description: IC TK3714A EPON ONU ASIC W/FEC
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified

товар відсутній

TK3714A-EEQ-LFG-KO

Description: IC TK3714A EPON ONU ASIC W/FEC
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified

товар відсутній

TK3714A-ETG-LFG

Description: IC TK3714A EPON ONU TFBGA W/FE
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified

товар відсутній

TK3715A-EEQ-LF6

на замовлення 125 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TK3715A-EEQ-LFG

O728

на замовлення 23 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TK3715A-EEQ-LFG

Description: IC TK3715A EPON ONU ASIC LEAD

товар відсутній

TK3715A-EEQ-LFG

04+ QFP

на замовлення 102 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TK3721-EBG-LF

0548+ BGA

на замовлення 32 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TK3721-EBG-LF

N/A

0443

на замовлення 9 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TK3723B-HG-LFG

на замовлення 140 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TK3723B-HG-LFG

Description: IC TK3723B EPON OLT ASIC LEA

товар відсутній

TK3723B-HG-LFG

TEKNOVUS 10+ BGA

на замовлення 140 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TK3723B-HG-PBG

на замовлення 49 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TK3723C-HG-LFG

Description: IC EPON OLT ASIC

товар відсутній

TK372G

Description: Replacement for Kenwood TK372G R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK372G
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active

товар відсутній

TK37N.05.2,30.M.300.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 3A; Ø: 2.3mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Minimum pitch: 4.5mm
Current rating: 3A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: brass
Blade tip shape: head 05
Tip diameter: 2.3mm
Related items: TK37N

на замовлення 23 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	236.52 грн
5+	183.4 грн
14+	173.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

TK37N.05.2,30.M.300.A

на замовлення 23 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	283.82 грн
5+	228.54 грн
14+	208.3 грн

Мінімальне замовлення: 2

TK37N.06.2,30.M.300.A

TK37N.06230M300A Contact Probes

на замовлення 43 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	298.45 грн
5+	220.08 грн
14+	208.3 грн

TK37N.06.4,00.M.300.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 3A; Ø: 4mm
Current rating: 3A
Contact material: brass
Contact plating: gold-plated
Related items: TK37N
Max. contact resistance:: 10mΩ
Blade tip shape: head 06
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Operational spring compression: 4.5mm
Tip diameter: 4mm
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 20 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	283.82 грн
5+	227.6 грн
14+	207.4 грн

Мінімальне замовлення: 2

TK37N.06.4,00.M.300.A

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	236.52 грн
5+	182.64 грн
14+	172.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

TK37N.07.4,00.M.300.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 3A; Ø: 4mm
Current rating: 3A
Contact material: brass
Contact plating: gold-plated
Related items: TK37N
Max. contact resistance:: 10mΩ
Blade tip shape: head 07
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Operational spring compression: 4.5mm
Tip diameter: 4mm

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	250.34 грн
5+	193.96 грн
13+	183.4 грн

Мінімальне замовлення: 2

TK37N.07.4,00.M.300.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 3A; Ø: 4mm
Current rating: 3A
Contact material: brass
Contact plating: gold-plated
Related items: TK37N
Max. contact resistance:: 10mΩ
Blade tip shape: head 07
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Operational spring compression: 4.5mm
Tip diameter: 4mm
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 25 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	300.4 грн
5+	241.71 грн
13+	220.08 грн

TK37N.08.2,30.M.300.A

TK37N.08230M300A Contact Probes

на замовлення 2 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	263.34 грн
6+	194.72 грн
15+	183.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

TK37N.09.2,30.M.300.A

TK37N.09230M300A Contact Probes

товар відсутній

TK37N.09.4,00.M.300.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 3A; Ø: 4mm
Related items: TK37N
Tip diameter: 4mm
Contact material: brass
Blade tip shape: head 09
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Operational spring compression: 4.5mm
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 3A

на замовлення 98 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	305.6 грн
4+	236.98 грн
11+	224.15 грн

Мінімальне замовлення: 2

TK37N.09.4,00.M.300.A

на замовлення 98 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	366.73 грн
4+	295.32 грн
11+	268.98 грн

TK37N.10.2,30.M.300.A

TK37N.10230M300A Contact Probes

на замовлення 45 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	298.45 грн
5+	220.08 грн
14+	208.3 грн

TK37N.10.4,00.M.300.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 3A; Ø: 4mm
Current rating: 3A
Contact material: brass
Contact plating: gold-plated
Related items: TK37N
Max. contact resistance:: 10mΩ
Blade tip shape: head 10
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Operational spring compression: 4.5mm
Tip diameter: 4mm
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 56 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	267.24 грн
5+	228.54 грн
6+	206.49 грн
14+	195.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

TK37N.10.4,00.M.300.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 3A; Ø: 4mm
Current rating: 3A
Contact material: brass
Contact plating: gold-plated
Related items: TK37N
Max. contact resistance:: 10mΩ
Blade tip shape: head 10
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Operational spring compression: 4.5mm
Tip diameter: 4mm

на замовлення 56 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	222.7 грн
5+	183.4 грн
6+	172.08 грн
14+	163.02 грн

Мінімальне замовлення: 2

TK37N.10.6,50.M.300.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 3A; Ø: 6.5mm
Contact material: brass
Blade tip shape: head 10
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Operational spring compression: 4.5mm
Tip diameter: 6.5mm
Related items: TK37N
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 3A
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 170 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	263.34 грн
5+	225.72 грн
6+	194.72 грн
15+	183.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

TK37N.10.6,50.M.300.A

на замовлення 170 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	219.45 грн
5+	181.13 грн
6+	162.27 грн
15+	153.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

TK380A60Y,S4X

MOSFET N-Ch DTMOSV 600V 30W 590pF 9.7A

на замовлення 102 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	101.43 грн
10+	80.57 грн
100+	66.51 грн
250+	52.31 грн
500+	46.95 грн
1000+	44.34 грн

Мінімальне замовлення: 4

TK380A60Y,S4X

Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

TK380A60Y,S4X

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.1A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.1A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

TK380A60Y,S4X

Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

товар відсутній

TK380A60Y,S4X

Description: MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS

на замовлення 121 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

TK380A60Y,S4X

товар відсутній

TK380A60Y,S4X(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товар відсутній

TK380A60Y,S4X(S

Description: TOSHIBA - TK380A60Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 540 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	123.54 грн
10+	100.78 грн
100+	91.03 грн
500+	74.79 грн

Мінімальне замовлення: 7

TK380A65Y,S4X

Trans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

товар відсутній

TK380A65Y,S4X

Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	143.43 грн
10+	123.93 грн

Мінімальне замовлення: 3

TK380A65Y,S4X

Trans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

товар відсутній

TK380A65Y,S4X

MOSFETs TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS

на замовлення 314 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	159.76 грн
10+	109.98 грн
50+	94.91 грн
100+	76.08 грн
250+	75.35 грн
500+	52.38 грн
1000+	51.73 грн

Мінімальне замовлення: 3

TK380A65Y,S4X(S

TK380A65Y,S4X(S

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

TK380A65Y,S4X(S

Description: TOSHIBA - TK380A65Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	151.18 грн
10+	113.79 грн

Мінімальне замовлення: 6

TK380A65Y,S4X(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товар відсутній

TK380P60Y,RQ

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 9.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	56.11 грн

Мінімальне замовлення: 2000

TK380P60Y,RQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

TK380P60Y,RQ

MOSFET N-Ch DTMOSV 600V 80W 590pF 9.7A

на замовлення 1886 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	127.64 грн
10+	103.32 грн
100+	70.06 грн
500+	58.9 грн
1000+	48.04 грн
2000+	45.21 грн
4000+	43.04 грн

Мінімальне замовлення: 3

TK380P60Y,RQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

TK380P60Y,RQ

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 9.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V

на замовлення 7735 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	132.45 грн
10+	113.81 грн
100+	88.76 грн
500+	68.81 грн
1000+	54.33 грн

Мінімальне замовлення: 3

TK380P60Y,RQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

TK380P60Y,RQ(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товар відсутній

TK380P60Y,RQ(S

Description: TOSHIBA - TK380P60Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 699 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	139.8 грн
10+	104.85 грн
100+	78.6 грн
500+	61.36 грн

Мінімальне замовлення: 6

TK380P60Y,RQ(S

на замовлення 699 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	139.8 грн
10+	104.85 грн
100+	78.6 грн
500+	61.36 грн

Мінімальне замовлення: 6

TK380P65Y,RQ

Trans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 266 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

TK380P65Y,RQ

MOSFET N-Ch DTMOSV 650V 80W 590pF 9.7A

на замовлення 41 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	130.17 грн
10+	96.65 грн
100+	68.03 грн
250+	65.21 грн
500+	61.95 грн
1000+	53.11 грн
2000+	50.43 грн

Мінімальне замовлення: 3

TK380P65Y,RQ

Trans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 266 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

203+	37.5 грн

Мінімальне замовлення: 203

TK380P65Y,RQ

Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 9.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V

товар відсутній

TK380P65Y,RQ

Trans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

TK380P65Y,RQ

Trans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

TK380P65Y,RQ

Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 9.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V

на замовлення 1836 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	84.64 грн
10+	67.55 грн
100+	53.74 грн
500+	45.53 грн

Мінімальне замовлення: 4

TK380P65Y,RQ(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товар відсутній

TK380P65Y,RQ(S

Description: TOSHIBA - TK380P65Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	142.24 грн
10+	99.16 грн
100+	73.15 грн
500+	64.53 грн
1000+	54.2 грн

Мінімальне замовлення: 6

TK380P65Y,RQ(S

на замовлення 1100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	73.15 грн
500+	64.53 грн
1000+	54.2 грн

Мінімальне замовлення: 100

TK39A60W

товар відсутній

TK39A60W,S4VX

MOSFETs N-Ch DTMOSIV 600 V 50W 4100pF 38.8A

на замовлення 132 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	714.27 грн
10+	546.59 грн
25+	474.57 грн
50+	437.62 грн
100+	358.64 грн
250+	353.57 грн
500+	341.98 грн

TK39A60W,S4VX

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

товар відсутній

TK39A60W,S4VX

Description: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V

на замовлення 54 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	667.76 грн
50+	513.15 грн

TK39A60W,S4VX

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

товар відсутній

TK39A60W,S4VX(M

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	474.16 грн

Мінімальне замовлення: 26

TK39A60W,S4VX(M

Description: TOSHIBA - TK39A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 626 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	775.39 грн
5+	697.36 грн
10+	619.34 грн
50+	521.51 грн
100+	441.69 грн
250+	416.61 грн

Мінімальне замовлення: 2

TK39A60W,S4VX(M

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

товар відсутній

TK39J60W,S1VQ

Description: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	840.18 грн

TK39J60W,S1VQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN

товар відсутній

TK39J60W,S1VQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN

товар відсутній

TK39J60W,S1VQ

MOSFET N-Ch 38.8A 270W FET 600V 4100pF 110nC

на замовлення 46 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	819.93 грн
10+	730.73 грн
25+	604.99 грн
100+	525.29 грн

TK39J60W,S1VQ(O

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38.8A; 270W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38.8A
Power dissipation: 270W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

TK39J60W,S1VQ(O

товар відсутній

TK39J60W,S1VQ(O

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube

товар відсутній

TK39J60W,S1VQ(O

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

TK39J60W5,S1VQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube

на замовлення 49 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	447.4 грн

Мінімальне замовлення: 2

TK39J60W5,S1VQ

MOSFET N-Ch 38.8A 270W FET 600V 4100pF 135nC

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	918.83 грн
10+	805.72 грн
25+	679.61 грн
100+	557.17 грн
250+	550.65 грн
500+	499.2 грн
1000+	446.31 грн

TK39J60W5,S1VQ

Description: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V

на замовлення 35 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	832.34 грн
25+	639.73 грн

TK39J60W5,S1VQ(O

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN

товар відсутній

TK39J60W5,S1VQ(O

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

TK39N60W

товар відсутній

TK39N60W,S1VF

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

TK39N60W,S1VF

Description: MOSFET N CH 600V 38.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	430.28 грн
10+	278.27 грн

TK39N60W,S1VF

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

TK39N60W,S1VF

MOSFETs DTMOSIV 600V 65mOhm 38.8A 270W 4100pF

на замовлення 60 шт:

термін постачання 69-78 дні (днів)

1+	438.7 грн
10+	318.29 грн
30+	264.45 грн
60+	244.17 грн
120+	199.25 грн
270+	197.07 грн
510+	173.16 грн

TK39N60W,S1VF(S

Description: TOSHIBA - TK39N60W,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 270 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	450.28 грн
10+	321.86 грн
100+	256.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

TK39N60W,S1VF(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247

товар відсутній

TK39N60W,S1VF(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247

на замовлення 29 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

TK39N60W5
Код товару: 183831

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1

товар відсутній

TK39N60W5,S1VF

MOSFETs Power MOSFET N-Channel

на замовлення 2222 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	470.83 грн
10+	338.28 грн
30+	276.77 грн
60+	261.56 грн
120+	236.2 грн
510+	204.32 грн

TK39N60W5,S1VF

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247

товар відсутній

TK39N60W5,S1VF

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247

товар відсутній

TK39N60W5,S1VF

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247

товар відсутній

TK39N60W5,S1VF

Description: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 19.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V

на замовлення 2858 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	500.03 грн
10+	325.74 грн
100+	237.43 грн
500+	192.14 грн

TK39N60W5,S1VF

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247

товар відсутній

TK39N60W5,S1VF(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 22 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

TK39N60W5,S1VF(S

Description: TOSHIBA - TK39N60W5,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.062 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	473.04 грн
10+	339.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

TK39N60W5,S1VF(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

TK39N60W5S1VF(S

MOSFETs

товар відсутній

TK39N60WS1VF(S

MOSFETs

товар відсутній

TK39N60X,S1F

MOSFETs DTMOSIV-H/S 600V 65mOhmmax(VGS=10V)

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	578.18 грн
10+	429.1 грн
30+	353.57 грн
60+	331.11 грн
120+	273.87 грн
270+	265.9 грн
510+	252.14 грн

TK39N60X,S1F

Description: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	571.35 грн
10+	374.95 грн

TK39N60X,S1F

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

TK39N60X,S1F

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

TK39N60X,S1F(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1136 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

270+	164.83 грн

Мінімальне замовлення: 270

TK39N60X,S1F(S

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38.8A; 270W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38.8A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

на замовлення 70 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	480.35 грн
3+	335.85 грн
8+	317.74 грн

TK39N60X,S1F(S

Description: TOSHIBA - TK39N60X,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	560 грн
10+	392.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

TK39N60X,S1F(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1110 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

57+	216.81 грн

Мінімальне замовлення: 57

TK39N60X,S1F(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	749.64 грн
23+	546.87 грн
30+	518.19 грн

Мінімальне замовлення: 17

TK39N60X,S1F(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1110 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

270+	202.07 грн

Мінімальне замовлення: 270

TK39N60X,S1F(S

на замовлення 70 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	576.42 грн
3+	418.52 грн
8+	381.29 грн

TK39N60XS1F(S

MOSFETs

товар відсутній

TK39N60XS1F(S-X

MOSFET

товар відсутній

TK39Z60X,S1F(O

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товар відсутній

TK39Z60X,S1F(O

Description: TOSHIBA - TK39Z60X,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	671.35 грн
5+	521.8 грн
10+	442.15 грн

Мінімальне замовлення: 2

TK39Z60X,S1F(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товар відсутній

TK39Z60X,S1FS

MOSFET

товар відсутній

TK3A60DA

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TK3A60DA(Q,M)

Description: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

TK3A60DA(Q,M)

Trans MOSFET N-CH Si 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

товар відсутній

TK3A60DA(STA4,Q,M)

MOSFETs N-ch 600V 2.5A 30w 2.8 Ohm

на замовлення 51 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	92.98 грн
10+	60.91 грн
100+	35.5 грн
500+	30.65 грн

Мінімальне замовлення: 4

TK3A60DA(STA4,Q,M)

Trans MOSFET N-CH Si 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

товар відсутній

TK3A60DA(STA4,Q,M)

Description: TOSHIBA - TK3A60DA(STA4,Q,M) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.5 A, 2.2 ohm, SC-67, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: SC-67
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 2390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	101.6 грн
10+	82.09 грн
100+	57.06 грн
500+	44.91 грн
1000+	32.33 грн

Мінімальне замовлення: 8

TK3A60DA(STA4,Q,M)

Description: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS

товар відсутній

TK3A65D

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.93Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 22 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

3+	116.62 грн
10+	99.62 грн
29+	96.91 грн
50+	93.28 грн

Мінімальне замовлення: 3

TK3A65D

на замовлення 22 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	112.16 грн
5+	93.59 грн
10+	83.02 грн

Мінімальне замовлення: 4

TK3A65D(STA4,Q,M)

MOSFET N-Ch MOS 3A 650V 35W 540pF 2.25 Ohm

на замовлення 183 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	107.35 грн
10+	87.49 грн
100+	65.86 грн
500+	51.08 грн
1000+	41.88 грн
5000+	40.72 грн

Мінімальне замовлення: 4

TK3A65D(STA4,Q,M)

Trans MOSFET N-CH Si 650V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

на замовлення 32 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	40.2 грн

Мінімальне замовлення: 16

TK3A65D(STA4,Q,M)

Description: MOSFET N-CH 650V 3A TO-220SIS

товар відсутній

TK3A65D(STA4,Q,M)

Trans MOSFET N-CH Si 650V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

на замовлення 32 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

TK3A65DA(STA4,QM)

Trans MOSFET N-CH Si 650V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

товар відсутній

TK3A65DA(STA4,QM)

MOSFET N-Ch MOS 2.5A 650V 35W 490pF 2.51

товар відсутній

TK3A65DA(STA4,QM)

Description: MOSFET N-CH 650V 2.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.51Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V

товар відсутній

TK3A90E,S4X

MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ

на замовлення 260 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.45 грн
10+	71.41 грн
100+	50.28 грн
500+	40.65 грн
1000+	31.95 грн
5000+	31.08 грн

Мінімальне замовлення: 4

TK3A90E,S4X

Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V

на замовлення 47 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	85.43 грн

Мінімальне замовлення: 4

TK3A90E,S4X(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товар відсутній

TK3A90E,S4X(S

Description: TOSHIBA - TK3A90E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.5 A, 3.7 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

TK3A90ES4X(S

MOSFET

товар відсутній

TK3J10

2004

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TK3L10

2004

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TK3L10Z

на замовлення 76 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TK3P-3.5

Traktronix

Description: 3PIN 3.5MM SCREW PLUG QUICK CONN
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	176.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

TK3P-5.08

Traktronix

Description: 3PIN 5.08MM PITCH PLUG CONNECTOR
Packaging: Bulk

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	143.43 грн

Мінімальне замовлення: 3

TK3P50D

товар відсутній

TK3P50D

Description: TOSHIBA - TK3P50D - Leistungs-MOSFET, leistungsstark, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)

товар відсутній

TK3P50D,RDVQ(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товар відсутній

TK3P50D,RQ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

TK3P50D,RQ

товар відсутній

TK3P50D,RQ(S

Description: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V

товар відсутній

TK3P50D,RQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 500V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

TK3P50D,RQ(S

Description: TOSHIBA - TK3P50D,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	99.16 грн
11+	76.32 грн
100+	55.27 грн
500+	43.47 грн
1000+	29.26 грн

Мінімальне замовлення: 9

TK3P50D,RQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 500V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

TK3P50D,RQ(S

Description: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V

на замовлення 1399 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	79.16 грн
10+	62.26 грн
100+	48.47 грн
500+	38.55 грн
1000+	31.41 грн

Мінімальне замовлення: 4

TK3P50D,RQ(S

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	55.27 грн
500+	43.47 грн
1000+	29.26 грн

Мінімальне замовлення: 100

TK3P50D,RQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 500V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 1900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

170+	72.51 грн
207+	59.5 грн
266+	46.29 грн
267+	44.54 грн
500+	35.02 грн
1000+	27.39 грн

Мінімальне замовлення: 170

TK3P50D,RQ(S

MOSFET N-Ch MOS 3A 500V 60W 280pF 3 Ohm

на замовлення 1265 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	88.76 грн
10+	71.41 грн
100+	48.33 грн
500+	40.94 грн
1000+	33.33 грн
2000+	31.3 грн
4000+	29.85 грн

Мінімальне замовлення: 4

TK3P50D,RTRIDQ(S

TK 3P50D,RTRIDQ(S

товар відсутній

TK3P80E,RQ

Trans MOSFET N-CH Si 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

TK3P80E,RQ

Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V

товар відсутній

TK3P80E,RQ

MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) MOQ=2000 PD=80W F=1MHZ

на замовлення 4004 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	84.11 грн
10+	68.07 грн
25+	53.69 грн
100+	46.08 грн
250+	44.34 грн
500+	37.1 грн
1000+	31.81 грн

Мінімальне замовлення: 5

TK3P80E,RQ

Trans MOSFET N-CH Si 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

TK3P80E,RQ

Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V

на замовлення 1188 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	119.13 грн
10+	72.53 грн
100+	48.57 грн
500+	35.93 грн
1000+	32.81 грн

Мінімальне замовлення: 3

TK3P80E,RQ(S

Description: TOSHIBA - TK3P80E,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 3.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.9ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 1813 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	94.28 грн
12+	73.56 грн
100+	53.24 грн
500+	41.81 грн
1000+	28.22 грн

Мінімальне замовлення: 9

TK3P80E,RQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 1900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

200+	61.55 грн
235+	52.43 грн
274+	44.86 грн
289+	41.08 грн
500+	35.57 грн
1000+	32.04 грн

Мінімальне замовлення: 200

TK3P80E,RQ(S

MOSFETs Silicon N-Channel MOS

товар відсутній

TK3P80E,RQ(S

на замовлення 1813 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	53.24 грн
500+	41.81 грн
1000+	28.22 грн

Мінімальне замовлення: 100

TK3R1A04PL,S4X

Trans MOSFET N 40V 82A TK3R1A04PL,S4X TTK3r1a04pl
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 10 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

5+	157.08 грн

Мінімальне замовлення: 5

TK3R1A04PL,S4X

MOSFETs N-Ch 40V 4670pF 63.4nC 82A 36W

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	106.51 грн
10+	79.82 грн
100+	51.95 грн
500+	43.91 грн
1000+	35.07 грн
2500+	33.91 грн
5000+	32.02 грн

Мінімальне замовлення: 4

TK3R1A04PL,S4X

Description: MOSFET N-CH 40V 82A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 30A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 20 V

на замовлення 87 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	124.62 грн
10+	76.23 грн

Мінімальне замовлення: 3

TK3R1A04PL,S4X

Trans MOSFET N-CH Si 40V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

товар відсутній

TK3R1A04PL,S4X(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товар відсутній

TK3R1A04PL,S4X(S

Silicon N-channel MOS

на замовлення 277 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

127+	96.78 грн
140+	88.18 грн
172+	71.69 грн
200+	64.69 грн

Мінімальне замовлення: 127

TK3R1A04PL,S4X(S

Description: TOSHIBA - TK3R1A04PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 82 A, 0.0025 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	111.35 грн
10+	85.34 грн

Мінімальне замовлення: 8

TK3R1E04PL,S1X

Trans MOSFET N-CH Si 40V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	88.34 грн
10+	75.19 грн

Мінімальне замовлення: 7

TK3R1E04PL,S1X

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 30A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 20 V

на замовлення 63 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	135.59 грн
10+	83.4 грн

Мінімальне замовлення: 3

TK3R1E04PL,S1X

Trans MOSFET N 40V 100A TK3R1E04PL,S1X TTK3r1e04pl
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 10 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

5+	157.08 грн

Мінімальне замовлення: 5

TK3R1E04PL,S1X

MOSFETs N-Ch 40V 4670pF 63.4nC 128A 87W

товар відсутній

TK3R1E04PL,S1X(S

Description: TOSHIBA - TK3R1E04PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 128 A, 0.0025 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 44 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	123.54 грн
10+	93.47 грн

Мінімальне замовлення: 7

TK3R1E04PL,S1X(S

Trans MOSFET N-CH Si 40V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

TK3R1E04PL,S1X(S

Trans MOSFET N-CH Si 40V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2627 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

249+	49.36 грн
271+	45.47 грн
278+	44.24 грн
800+	42.46 грн
1600+	36.85 грн

Мінімальне замовлення: 249

TK3R1P04PL

товар відсутній

TK3R1P04PL,RQ

Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

TK3R1P04PL,RQ

Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 58A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 20 V

на замовлення 13532 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	116.78 грн
10+	71.32 грн
100+	47.76 грн
500+	35.33 грн
1000+	32.27 грн

Мінімальне замовлення: 3

TK3R1P04PL,RQ

Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

TK3R1P04PL,RQ

Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 58A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 20 V

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	32.05 грн
5000+	28.68 грн
7500+	28.39 грн

Мінімальне замовлення: 2500

TK3R1P04PL,RQ

Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

TK3R1P04PL,RQ

MOSFET N-Ch 40V 4670pF 60nC 130A 87W

на замовлення 4498 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	87.91 грн
10+	70.66 грн
100+	47.82 грн
500+	40.57 грн
1000+	33.04 грн
2500+	29.42 грн

Мінімальне замовлення: 4

TK3R1P04PL,RQ(S2

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товар відсутній

TK3R1P04PL,RQ(S2

Description: TOSHIBA - TK3R1P04PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 1988 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	53.72 грн
500+	42.34 грн
1000+	37.48 грн

Мінімальне замовлення: 100

TK3R1P04PL,RQ(S2

на замовлення 1988 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	96.72 грн
11+	74.29 грн
100+	53.72 грн
500+	42.34 грн
1000+	37.48 грн

Мінімальне замовлення: 9

TK3R2A08QM,S4X

MOSFET UMOS10 TO-220SIS 80V 3.2mohm

на замовлення 12 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	168.21 грн
10+	126.65 грн
100+	90.57 грн
500+	76.8 грн
1000+	61.51 грн

Мінімальне замовлення: 3

TK3R2A08QM,S4X

Description: UMOS10 TO-220SIS 80V 3.2MOHM

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	163.8 грн

Мінімальне замовлення: 2

TK3R2A08QM,S4X(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товар відсутній

TK3R2A10PL,S4X

Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

товар відсутній

TK3R2A10PL,S4X

MOSFETs TO-220SIS PD=54W 1MHz PWR MOSFET TRNS

на замовлення 226 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	229.07 грн
10+	176.64 грн
25+	140.56 грн
50+	131.14 грн
100+	108.68 грн
250+	99.99 грн
500+	88.39 грн

Мінімальне замовлення: 2

TK3R2A10PL,S4X

Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	249.23 грн
10+	157.13 грн
100+	109.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

TK3R2A10PL,S4X(S

Description: TOSHIBA - TK3R2A10PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 106 A, 0.0026 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 484 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	240.58 грн
10+	160.93 грн
100+	103.22 грн

Мінімальне замовлення: 4

TK3R2A10PL,S4X(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товар відсутній

TK3R2A10PL,S4X(S

Silicon N-channel MOS

на замовлення 86 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	340.53 грн

Мінімальне замовлення: 37

TK3R2E06PL

товар відсутній

TK3R2E06PL,S1X

Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 168W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 30 V

на замовлення 120 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	170.86 грн
10+	105.96 грн
100+	72.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

TK3R2E06PL,S1X

Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

TK3R2E06PL,S1X

MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR

на замовлення 2563 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	155.53 грн
10+	114.98 грн
50+	99.26 грн
100+	71.44 грн
250+	69.41 грн
500+	58.98 грн
1000+	52.38 грн

Мінімальне замовлення: 3

TK3R2E06PL,S1X(S

Description: TOSHIBA - TK3R2E06PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 160 A, 0.0024 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 168W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	144.67 грн
10+	110.54 грн

Мінімальне замовлення: 6

TK3R2E06PL,S1X(S

Silicon N-channel MOS

на замовлення 86 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

TK3R2E06PL,S1X(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товар відсутній

TK3R3A06PL,S4X

Trans MOSFET N-CH Si 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

товар відсутній

TK3R3A06PL,S4X

Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 30 V

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	173.99 грн
10+	107.77 грн

Мінімальне замовлення: 2

TK3R3A06PL,S4X

MOSFET TO-220SIS PD=42W 1MHz PWR MOSFET TRNS

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	131.87 грн
10+	102.49 грн
100+	73.9 грн
250+	72.09 грн
500+	63.11 грн
1000+	50.93 грн
5000+	50.79 грн

Мінімальне замовлення: 3

TK3R3A06PL,S4X(S

Description: TOSHIBA - TK3R3A06PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 88 A, 0.0025 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	151.99 грн
10+	114.6 грн

Мінімальне замовлення: 6

TK3R3A06PL,S4X(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товар відсутній

TK3R3A06PL,S4X(S

TK3R3A06PL,S4X(S

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

TK3R3E08QM

товар відсутній

TK3R3E08QM,S1X

MOSFETs UMOS10 TO-220AB 80V 3.3mohm

на замовлення 1260 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	173.28 грн
10+	141.65 грн
25+	114.48 грн
50+	106.51 грн
100+	87.67 грн
250+	82.6 грн
500+	71.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

TK3R3E08QM,S1X

Trans MOSFET N-CH Si 80V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

TK3R3E08QM,S1X

Description: UMOS10 TO-220AB 80V 3.3MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V

на замовлення 163 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	158.32 грн
50+	122.82 грн
100+	101.06 грн

Мінімальне замовлення: 2

TK3R3E08QM,S1X

Trans MOSFET N-CH Si 80V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 185 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

87+	141.47 грн
94+	131.27 грн
110+	112.26 грн

Мінімальне замовлення: 87

TK3R3E08QM,S1X(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товар відсутній

TK3R3E08QM,S1X(S

Description: TOSHIBA - TK3R3E08QM,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 0.0026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 41 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	237.33 грн
10+	205.63 грн

Мінімальне замовлення: 4

TK3R9E10PL,S1X

Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

TK3R9E10PL,S1X

MOSFETs TO-220 PD=230W 1MHz PWR MOSFET TRNS

на замовлення 116 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	240.91 грн
50+	138.31 грн
100+	92.74 грн
250+	89.84 грн
500+	73.18 грн
1000+	66.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

TK3R9E10PL,S1X

Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

TK3R9E10PL,S1X

Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6320 pF @ 50 V

товар відсутній

TK3R9E10PL,S1X(S