Продукція > TOSHIBA > TK3R1P04PL,RQ(S2
TK3R1P04PL,RQ(S2

TK3R1P04PL,RQ(S2 TOSHIBA

3934710.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK3R1P04PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+50.13 грн
500+ 39.5 грн
1000+ 34.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK3R1P04PL,RQ(S2 TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK3R1P04PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 130A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 87W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).

Інші пропозиції TK3R1P04PL,RQ(S2 за ціною від 34.97 грн до 90.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TK3R1P04PL,RQ(S2 TK3R1P04PL,RQ(S2 Виробник : TOSHIBA 3934710.pdf Description: TOSHIBA - TK3R1P04PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+90.24 грн
11+ 69.31 грн
100+ 50.13 грн
500+ 39.5 грн
1000+ 34.97 грн
Мінімальне замовлення: 9
TK3R1P04PL,RQ(S2 Виробник : Toshiba PWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній