на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 119.17 грн |
10+ | 96.79 грн |
100+ | 72.65 грн |
500+ | 53.95 грн |
1000+ | 43.3 грн |
5000+ | 41.15 грн |
10000+ | 39.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK34E10N1,S1X Toshiba
Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 103W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 50 V.
Інші пропозиції TK34E10N1,S1X
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
TK34E10N1,S1X | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 103W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 50 V |
товар відсутній |