![TK31V60W,LVQ TK31V60W,LVQ](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/1639d12d3647bbc6f4c89bdcf28591b50ce120f6/dfn8x8.jpg)
TK31V60W,LVQ Toshiba
![1545docget.jsplangenpidtk31v60wtypedatasheet.jsplangenpidtk31v60wtype.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
TK31V60W,LVQ Toshiba MOSFETs Transistor N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R Si - Arrow.com
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
23+ | 325.42 грн |
100+ | 307.58 грн |
500+ | 294.23 грн |
1000+ | 279.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK31V60W,LVQ Toshiba
Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 15.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 240W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA, Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TK31V60W,LVQ за ціною від 300.82 грн до 594.56 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TK31V60W,LVQ | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 1033 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
TK31V60W,LVQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 15.4A, 10V Power Dissipation (Max): 240W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V |
на замовлення 2455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
TK31V60W,LVQ | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
TK31V60W,LVQ | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
TK31V60W,LVQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 15.4A, 10V Power Dissipation (Max): 240W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
TK31V60W,LVQ | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |