Продукція > TOSHIBA > TK31V60W,LVQ
TK31V60W,LVQ

TK31V60W,LVQ Toshiba

1545docget.jsplangenpidtk31v60wtypedatasheet.jsplangenpidtk31v60wtype.pdf Виробник: Toshiba
TK31V60W,LVQ Toshiba MOSFETs Transistor N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R Si - Arrow.com
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+325.42 грн
100+ 307.58 грн
500+ 294.23 грн
1000+ 279.33 грн
Мінімальне замовлення: 23
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK31V60W,LVQ Toshiba

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 15.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 240W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA, Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V.

Інші пропозиції TK31V60W,LVQ за ціною від 300.82 грн до 594.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TK31V60W,LVQ TK31V60W,LVQ Виробник : Toshiba 1545docget.jsplangenpidtk31v60wtypedatasheet.jsplangenpidtk31v60wtype.pdf TK31V60W,LVQ Toshiba MOSFETs Transistor N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R Si - Arrow.com
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
35+350.45 грн
100+ 331.24 грн
500+ 316.86 грн
1000+ 300.82 грн
Мінімальне замовлення: 35
TK31V60W,LVQ TK31V60W,LVQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TK31V60W_datasheet_en_20140225.pdf?did=14155&prodName=TK31V60W Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+594.56 грн
10+ 490.54 грн
100+ 408.76 грн
500+ 338.48 грн
1000+ 304.63 грн
TK31V60W,LVQ TK31V60W,LVQ Виробник : Toshiba 1545docget.jsplangenpidtk31v60wtypedatasheet.jsplangenpidtk31v60wtype.pdf TK31V60W,LVQ Toshiba MOSFETs Transistor N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R Si - Arrow.com
товар відсутній
TK31V60W,LVQ TK31V60W,LVQ Виробник : Toshiba 1545docget.jsplangenpidtk31v60wtypedatasheet.jsplangenpidtk31v60wtype.pdf TK31V60W,LVQ Toshiba MOSFETs Transistor N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R Si - Arrow.com
товар відсутній
TK31V60W,LVQ TK31V60W,LVQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TK31V60W_datasheet_en_20140225.pdf?did=14155&prodName=TK31V60W Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
товар відсутній
TK31V60W,LVQ TK31V60W,LVQ Виробник : Toshiba TK31V60W_datasheet_en_20140225-1915987.pdf MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 240W 3000pF 30.8A
товар відсутній