![TK3P80E,RQ TK3P80E,RQ](https://www.mouser.com/images/toshibaamericaelectroniccomponentsinc/lrg/dpak.jpg)
TK3P80E,RQ Toshiba
на замовлення 4072 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 81.59 грн |
10+ | 66.04 грн |
100+ | 44.56 грн |
500+ | 35.99 грн |
1000+ | 30.79 грн |
2000+ | 29.03 грн |
4000+ | 28.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK3P80E,RQ Toshiba
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 80W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TK3P80E,RQ за ціною від 29.93 грн до 75.27 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TK3P80E,RQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V |
на замовлення 1197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
TK3P80E,RQ | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
TK3P80E,RQ | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
TK3P80E,RQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V |
товар відсутній |