на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 905.52 грн |
10+ | 764.36 грн |
25+ | 632.29 грн |
50+ | 594.17 грн |
100+ | 546.69 грн |
250+ | 532.31 грн |
500+ | 488.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK31Z60X,S1F Toshiba
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 9.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 230W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA, Supplier Device Package: TO-247-4L(T), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TK31Z60X,S1F за ціною від 841.02 грн до 967.21 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TK31Z60X,S1F | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 9.4A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA Supplier Device Package: TO-247-4L(T) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
TK31Z60X,S1F | Виробник : Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |