Продукція > TOSHIBA > TK33S10N1Z,LQ(O
TK33S10N1Z,LQ(O

TK33S10N1Z,LQ(O TOSHIBA

3621098.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK33S10N1Z,LQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.0082 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+72.19 грн
13+ 58.85 грн
500+ 54.22 грн
1000+ 46.34 грн
Мінімальне замовлення: 11
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK33S10N1Z,LQ(O TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK33S10N1Z,LQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.0082 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TK33S10N1Z,LQ(O за ціною від 45.36 грн до 92.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TK33S10N1Z,LQ(O TK33S10N1Z,LQ(O Виробник : TOSHIBA 3621098.pdf Description: TOSHIBA - TK33S10N1Z,LQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.0082 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+72.19 грн
13+ 58.85 грн
100+ 46.49 грн
1000+ 46.34 грн
Мінімальне замовлення: 11
TK33S10N1Z,LQ(O TK33S10N1Z,LQ(O Виробник : Toshiba tk33s10n1z_datasheet_en_20200624.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 3840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
129+92.42 грн
141+ 84.12 грн
173+ 68.52 грн
200+ 61.79 грн
500+ 57.04 грн
1000+ 48.67 грн
2000+ 45.36 грн
Мінімальне замовлення: 129
TK33S10N1Z,LQ(O TK33S10N1Z,LQ(O Виробник : Toshiba tk33s10n1z_datasheet_en_20200624.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товар відсутній