на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 495.28 грн |
| 30+ | 389.48 грн |
| 60+ | 319.07 грн |
| 120+ | 294.06 грн |
| 270+ | 285.95 грн |
| 510+ | 261.61 грн |
| 1020+ | 231.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK31N60W5,S1VF Toshiba
Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 230W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA, Supplier Device Package: TO-247, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TK31N60W5,S1VF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
TK31N60W5,S1VF Код товару: 171563 |
 Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||
| TK31N60W5,S1VF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||
 |
TK31N60W5,S1VF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|
|
|
TK31N60W5,S1VF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|
 |
TK31N60W5,S1VF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15.4A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA Supplier Device Package: TO-247 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V |
товар відсутній |