Продукція > TOSHIBA > TK380P65Y,RQ
TK380P65Y,RQ

TK380P65Y,RQ Toshiba

13209docget.jspdid55884prodnametk380p65y.jspdid55884prodnametk380p65y..pdf Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
203+37.32 грн
Мінімальне замовлення: 203
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK380P65Y,RQ Toshiba

Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 9.7A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 80W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V.

Інші пропозиції TK380P65Y,RQ за ціною від 44.81 грн до 128.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TK380P65Y,RQ TK380P65Y,RQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TK380P65Y_datasheet_en_20161115.pdf?did=55884&prodName=TK380P65Y Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 9.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
на замовлення 1836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+83.31 грн
10+ 66.49 грн
100+ 52.89 грн
500+ 44.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK380P65Y,RQ TK380P65Y,RQ Виробник : Toshiba TK380P65Y_datasheet_en_20161115-1115901.pdf MOSFET N-Ch DTMOSV 650V 80W 590pF 9.7A
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+128.13 грн
10+ 95.13 грн
100+ 66.96 грн
250+ 64.18 грн
500+ 60.97 грн
1000+ 52.27 грн
2000+ 49.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK380P65Y,RQ TK380P65Y,RQ Виробник : Toshiba 13209docget.jspdid55884prodnametk380p65y.jspdid55884prodnametk380p65y..pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK380P65Y,RQ TK380P65Y,RQ Виробник : Toshiba 13209docget.jspdid55884prodnametk380p65y.jspdid55884prodnametk380p65y..pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TK380P65Y,RQ TK380P65Y,RQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TK380P65Y_datasheet_en_20161115.pdf?did=55884&prodName=TK380P65Y Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 9.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
товар відсутній