![TK31E60W,S1VX TK31E60W,S1VX](https://www.mouser.com/images/mouserelectronics/lrg/TO_220_AB_3_SPL.jpg)
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 564.1 грн |
10+ | 485.51 грн |
50+ | 421.47 грн |
100+ | 354.43 грн |
250+ | 343.73 грн |
500+ | 316.64 грн |
1000+ | 283.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK31E60W,S1VX Toshiba
Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 15.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 230W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TK31E60W,S1VX
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
TK31E60W,S1VX | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
![]() |
TK31E60W,S1VX | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
![]() |
TK31E60W,S1VX | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
TK31E60W,S1VX | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |
|
TK31E60W,S1VX | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |
||
![]() |
TK31E60W,S1VX | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 15.4A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V |
товар відсутній |