Продукція > TOSHIBA > TK3P80E,RQ(S
TK3P80E,RQ(S

TK3P80E,RQ(S TOSHIBA

3934707.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK3P80E,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 3.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.9ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 1813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+49.67 грн
500+ 39.01 грн
1000+ 26.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK3P80E,RQ(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK3P80E,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 3.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.9ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).

Інші пропозиції TK3P80E,RQ(S за ціною від 26.32 грн до 87.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TK3P80E,RQ(S TK3P80E,RQ(S Виробник : Toshiba 2257docget.jsplangenpidtk3p80etypedatasheet.jsplangenpidtk3p80etypeda.pdf Trans MOSFET N-CH Si 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
200+59.34 грн
235+ 50.55 грн
274+ 43.25 грн
289+ 39.61 грн
500+ 34.3 грн
1000+ 30.89 грн
Мінімальне замовлення: 200
TK3P80E,RQ(S TK3P80E,RQ(S Виробник : TOSHIBA 3934707.pdf Description: TOSHIBA - TK3P80E,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 3.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.9ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 1813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+87.97 грн
12+ 68.63 грн
100+ 49.67 грн
500+ 39.01 грн
1000+ 26.32 грн
Мінімальне замовлення: 9
TK3P80E,RQ(S TK3P80E,RQ(S Виробник : Toshiba 2257docget.jsplangenpidtk3p80etypedatasheet.jsplangenpidtk3p80etypeda.pdf MOSFETs Silicon N-Channel MOS
товар відсутній