Продукція > TOSHIBA > TK31V60W,LVQ(S
TK31V60W,LVQ(S

TK31V60W,LVQ(S TOSHIBA

TOSCS49618-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK31V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.078 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 240W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.078ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+191.1 грн
500+ 167.59 грн
1000+ 141.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK31V60W,LVQ(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK31V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.078 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 30.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 240W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 240W, Bauform - Transistor: DFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.078ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).

Інші пропозиції TK31V60W,LVQ(S за ціною від 129.48 грн до 390 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TK31V60W,LVQ(S TK31V60W,LVQ(S Виробник : TOSHIBA TOSCS49618-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TOSHIBA - TK31V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.078 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+291.2 грн
10+ 222.19 грн
100+ 191.1 грн
500+ 167.59 грн
1000+ 141.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK31V60W,LVQ(S TK31V60W,LVQ(S Виробник : Toshiba 1545docget.jsplangenpidtk31v60wtypedatasheet.jsplangenpidtk31v60wtype.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
31+390 грн
48+ 248.81 грн
59+ 201.42 грн
100+ 181.85 грн
200+ 167.5 грн
500+ 143.02 грн
1000+ 133.72 грн
2000+ 130.33 грн
2500+ 129.48 грн
Мінімальне замовлення: 31
TK31V60W,LVQ(S TK31V60W,LVQ(S Виробник : Toshiba 1545docget.jsplangenpidtk31v60wtypedatasheet.jsplangenpidtk31v60wtype.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP
товар відсутній