Продукція > FQP

TO-220AB

на замовлення 13000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP10N20

Trans MOSFET N-CH 200V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail

товар відсутній

FQP10N20

Description: MOSFET N-CH 200V 10A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP10N20

MOSFET 200V N-Channel QFET

товар відсутній

FQP10N20C

Trans MOSFET N-CH 200V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP10N20C

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 6A; Idm: 38A; 72W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 72W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FQP10N20C

Trans MOSFET N-CH 200V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 320 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

161+	75.18 грн
168+	71.93 грн
289+	41.75 грн

Мінімальне замовлення: 161

FQP10N20C

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 4.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

461+	45.62 грн

Мінімальне замовлення: 461

FQP10N20C

на замовлення 980 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP10N20C

MOSFET 200V N-Ch MOSFET

на замовлення 99 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	120.54 грн
10+	107.5 грн
100+	73.1 грн
500+	59.88 грн

Мінімальне замовлення: 3

FQP10N20C

на замовлення 33924 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP10N20C

Trans MOSFET N-CH 200V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 320 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	74.94 грн
10+	74.05 грн
25+	70.84 грн
50+	39.65 грн

Мінімальне замовлення: 8

FQP10N20C

Description: MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 4.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP10N20C

товар відсутній

FQP10N20CTSTU

Description: MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 4.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP10N20L

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP10N60C

MOSFETs 600V N-Ch Q-FET advance C-Series

товар відсутній

FQP10N60C

09+ SSOP

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP10N60C

Trans MOSFET N-CH 600V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

товар відсутній

FQP10N60C

Description: MOSFET N-CH 600V 9.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 4.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP10N60C_NL

MOSFETs N-CH/600V/10A/QFET C-Series

товар відсутній

FQP10N60C_Q

MOSFETs 600V N-Ch Q-FET advance C-Series

товар відсутній

FQP11N40

Description: MOSFET N-CH 400V 11.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

на замовлення 1919 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

333+	63.81 грн

Мінімальне замовлення: 333

FQP11N40

MOSFET 400V N-Channel QFET

товар відсутній

FQP11N40

Description: MOSFET N-CH 400V 11.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP11N40C

Trans MOSFET N-CH 400V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 5381 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	82.01 грн
10+	67.92 грн
100+	66.01 грн

Мінімальне замовлення: 8

FQP11N40C

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.6A; 135W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 135W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 61 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	170.31 грн
3+	152.36 грн
10+	102.79 грн
28+	96.64 грн
500+	93.13 грн

Мінімальне замовлення: 2

FQP11N40C

Trans MOSFET N-CH 400V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 5381 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.04 грн

Мінімальне замовлення: 5

FQP11N40C
Код товару: 203650

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1

товар відсутній

FQP11N40C

N-MOSFET 400V 10.5A 530mΩ 135W FQP11N40C Fairchild TFQP11n40c
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

30+	27.02 грн

Мінімальне замовлення: 30

FQP11N40C

Description: ONSEMI - FQP11N40C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10.5 A, 0.43 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 497 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	178.98 грн
10+	108.02 грн
100+	90.67 грн

Мінімальне замовлення: 5

FQP11N40C

MOSFETs 400V N-Channel Advance Q-FET

на замовлення 1827 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	86.92 грн
10+	70.4 грн

Мінімальне замовлення: 4

FQP11N40C

Description: MOSFET N-CH 400V 10.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V

на замовлення 2550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	109.48 грн
10+	67.8 грн
100+	46.05 грн
500+	38.31 грн

Мінімальне замовлення: 3

FQP11N40C

Trans MOSFET N-CH 400V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP11N40C

на замовлення 61 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	122.27 грн
10+	85.66 грн
28+	80.54 грн

Мінімальне замовлення: 3

FQP11N40C

Trans MOSFET N-CH 400V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 5376 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

138+	87.78 грн
166+	72.69 грн
171+	70.65 грн

Мінімальне замовлення: 138

FQP11N40C

N-MOSFET 400V 10.5A 530mΩ 135W FQP11N40C Fairchild TFQP11n40c
кількість в упаковці: 48 шт

на замовлення 28 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

48+	27.02 грн

Мінімальне замовлення: 48

FQP11N40C_Q

MOSFETs 400V N-Channel Advance Q-FET

товар відсутній

FQP11N50CF

Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V

на замовлення 2116 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

157+	135.42 грн

Мінімальне замовлення: 157

FQP11N50CF

Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP11P06

Description: MOSFET P-CH 60V 11.4A TO220-3

товар відсутній

FQP11P06

Trans MOSFET P-CH 60V 11.4A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP11P06

Trans MOSFET P-CH 60V 11.4A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP11P06

MOSFET 60V P-Channel QFET

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FQP11P06

Trans MOSFET P-CH 60V 11.4A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP11P06
Код товару: 34162

товар відсутній

FQP11P06

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

товар відсутній

FQP12N60

Description: MOSFET N-CH 600V 10.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V

на замовлення 9664 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

222+	94.43 грн

Мінімальне замовлення: 222

FQP12N60C

Description: ONSEMI - FQP12N60C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.53 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4055 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	263.35 грн
10+	210.52 грн
100+	172.67 грн
500+	136.91 грн
1000+	123 грн

Мінімальне замовлення: 3

FQP12N60C

Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP12N60C

MOSFETs 600V N-Ch Q-FET advance C-Series

на замовлення 440 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	243.54 грн
10+	201.26 грн
25+	165.17 грн
100+	141.27 грн
250+	133.54 грн
500+	125.81 грн
1000+	107.54 грн

Мінімальне замовлення: 2

FQP12N60C
Код товару: 166497

товар відсутній

FQP12N60C

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V

на замовлення 4340 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

166+	126.6 грн

Мінімальне замовлення: 166

FQP12N60C

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP12N60C

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP12P10

Trans MOSFET P-CH 100V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 859 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	66.93 грн
10+	60.12 грн
100+	48.09 грн
500+	41.33 грн

Мінімальне замовлення: 9

FQP12P10

Trans MOSFET P-CH 100V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP12P10

Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.1A; Idm: -46A; 75W
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Power dissipation: 75W
Drain current: -8.1A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Pulsed drain current: -46A
Gate charge: 27nC
Polarisation: unipolar

товар відсутній

FQP12P10

Description: MOSFET P-CH 100V 11.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP12P10

Trans MOSFET P-CH 100V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP12P10

Trans MOSFET P-CH 100V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP12P10

Trans MOSFET P-CH 100V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP12P10

MOSFET 100V P-Channel QFET

на замовлення 497 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	109.06 грн
10+	97.8 грн
25+	82.94 грн
100+	69.37 грн
250+	68.04 грн
500+	65.51 грн
1000+	58.48 грн

Мінімальне замовлення: 4

FQP12P10

товар відсутній

FQP12P20
Код товару: 46795

товар відсутній

FQP12P20

Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FQP12P20

MOSFETs 200V P-Channel QFET

товар відсутній

FQP12P20

Description: ONSEMI - FQP12P20 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 11.5 A, 0.36 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 120W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.36ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	201.06 грн
10+	175.83 грн
100+	145.87 грн
500+	111.29 грн

Мінімальне замовлення: 4

FQP12P20

Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP12P20

Description: MOSFET P-CH 200V 11.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 5.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP13N06

Description: MOSFET N-CH 60V 13A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP13N06

Trans MOSFET N-CH 60V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail

товар відсутній

FQP13N06

Description: MOSFET N-CH 60V 13A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V

на замовлення 79652 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

888+	23.63 грн

Мінімальне замовлення: 888

FQP13N06

FAIR

на замовлення 7000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP13N06L

Trans MOSFET N-CH 60V 13.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 469 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	46.29 грн

Мінімальне замовлення: 13

FQP13N06L

MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level

товар відсутній

FQP13N06L

Description: MOSFET N-CH 60V 13.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP13N06L

Description: ONSEMI - FQP13N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 13.6 A, 0.088 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 287 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	79.63 грн
13+	62.29 грн
100+	47.86 грн

Мінімальне замовлення: 10

FQP13N06L

Trans MOSFET N-CH 60V 13.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 868 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

224+	53.85 грн
650+	37.21 грн

Мінімальне замовлення: 224

FQP13N06L

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

на замовлення 46988 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

649+	31.97 грн

Мінімальне замовлення: 649

FQP13N06L

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.6A; 45W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9.6A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	91.52 грн

Мінімальне замовлення: 4

FQP13N06L

Trans MOSFET N-CH 60V 13.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 880 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	50.37 грн
650+	34.81 грн

Мінімальне замовлення: 12

FQP13N06L

Trans MOSFET N-CH 60V 13.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 880 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FQP13N06L.

Description: ONSEMI - FQP13N06L. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 13.6 A, 0.11 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 13.6
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 45
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 45
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.11
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

товар відсутній

FQP13N06L_Q

MOSFET

товар відсутній

FQP13N10

Trans MOSFET N-CH 100V 12.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP13N10

Trans MOSFET N-CH 100V 12.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 5700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

220+	54.98 грн

Мінімальне замовлення: 220

FQP13N10

MOSFET N-CH/100V/12.8A 0.18OHM

товар відсутній

FQP13N10

Description: ONSEMI - FQP13N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12.8 A, 0.142 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 12.8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 65
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.142
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товар відсутній

FQP13N10

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.05A; 65W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.05A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FQP13N10

Trans MOSFET N-CH 100V 12.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP13N10

Trans MOSFET N-CH 100V 12.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP13N10

Description: MOSFET N-CH 100V 12.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP13N10

Trans MOSFET N-CH 100V 12.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 5700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	54.66 грн

Мінімальне замовлення: 2000

FQP13N10L

Description: MOSFET N-CH 100V 12.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP13N10L

Trans MOSFET N-CH 100V 12.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP13N10L

Trans MOSFET N-CH 100V 12.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP13N10L

MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level

товар відсутній

FQP13N10L

Trans MOSFET N-CH 100V 12.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP13N10L

Description: ONSEMI - FQP13N10L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12.8 A, 0.142 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.142ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 52 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	111.17 грн
10+	94.62 грн

Мінімальне замовлення: 8

FQP13N50

Trans MOSFET N-CH 500V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP13N50 TFQP13n50
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 47 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	114.62 грн

Мінімальне замовлення: 10

FQP13N50

Trans MOSFET N-CH 500V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP13N50

MOSFET 500V N-Channel QFET

товар відсутній

FQP13N50

Trans MOSFET N-CH 500V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP13N50
Код товару: 143458

товар відсутній

FQP13N50

Trans MOSFET N-CH 500V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP13N50

Description: MOSFET N-CH 500V 12.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 6.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

товар відсутній

FQP13N50C

Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP13N50C
Код товару: 152424

товар відсутній

FQP13N50C

Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP13N50C

Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

товар відсутній

FQP13N50C

MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series

товар відсутній

FQP13N50C-G

N-CHANNEL MOSFET 500V

товар відсутній

FQP13N50C-G

Description: N-CHANNEL QFET MOSFET 500V, 13A,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

товар відсутній

FQP13N50C_F105

Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

товар відсутній

FQP14N15

Description: MOSFET N-CH 150V 14.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP14N30

MOSFET 300V N-Channel QFET

на замовлення 1140 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FQP14N30

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 9.1A; Idm: 57.6A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 9.1A
Pulsed drain current: 57.6A
Power dissipation: 147W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 290mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FQP14N30

Trans MOSFET N-CH 300V 14.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP14N30

Trans MOSFET N-CH 300V 14.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP14N30

Description: MOSFET N-CH 300V 14.4A TO220-3

товар відсутній

FQP14N30

товар відсутній

FQP15P12

Description: MOSFET P-CH 120V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP15P12

MOSFET 120V P-Channel QFET

товар відсутній

FQP15P12

Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -120V; -10.6A; Idm: -60A; 100W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -120V
Drain current: -10.6A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 200mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FQP15P12

Trans MOSFET P-CH 120V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP15P12

Trans MOSFET P-CH 120V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP15P12

Description: MOSFET P-CH 120V 15A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP15P12

Description: ONSEMI - FQP15P12 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товар відсутній

FQP15P12

товар відсутній

FQP16N15

Description: MOSFET N-CH 150V 16.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 108W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V

на замовлення 4866 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

468+	45.56 грн

Мінімальне замовлення: 468

FQP16N25

Description: ONSEMI - FQP16N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 16 A, 0.18 ohm, TO-220
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 16
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 142
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 142
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товар відсутній

FQP16N25

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10A; Idm: 64A; 142W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 142W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FQP16N25

Description: MOSFET N-CH 250V 16A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP16N25

товар відсутній

FQP16N25

Trans MOSFET N-CH 250V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 406 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	85.81 грн
10+	76.52 грн
100+	63.52 грн

Мінімальне замовлення: 7

FQP16N25

MOSFET 250V N-Channel QFET

на замовлення 595 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	145.14 грн
10+	129.33 грн
100+	89.97 грн
500+	74.5 грн

Мінімальне замовлення: 3

FQP16N25

на замовлення 100000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP16N25

Trans MOSFET N-CH 250V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP16N25

Trans MOSFET N-CH 250V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 987 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	95.39 грн
10+	83.55 грн
100+	67.7 грн
500+	57.11 грн

Мінімальне замовлення: 7

FQP16N25C

Trans MOSFET N-CH 250V 15.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail

товар відсутній

FQP16N25C

Description: MOSFET N-CH 250V 15.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP16N25C-F105

Description: FQP16N25 - POWER FIELD-EFFECT TR
Packaging: Bulk

товар відсутній

FQP16N25C-F105

Description: FQP16N25 - POWER FIELD-EFFECT TR
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

FQP17N08

Description: MOSFET N-CH 80V 16.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 8.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP17N08

на замовлення 2331 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

888+	24.2 грн

Мінімальне замовлення: 888

FQP17N08

Description: ONSEMI - FQP17N08 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 2331 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1069+	24.76 грн

Мінімальне замовлення: 1069

FQP17N08L

Description: ONSEMI - FQP17N08L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2957 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

782+	38.71 грн

Мінімальне замовлення: 782

FQP17N08L

MOSFETs 80V N-Channel QFET Logic Level

товар відсутній

FQP17N08L

Description: MOSFET N-CH 80V 16.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V

на замовлення 2957 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

650+	32.18 грн

Мінімальне замовлення: 650

FQP17N08L

Description: MOSFET N-CH 80V 16.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP17N40

Description: MOSFET N-CH 400V 16A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

товар відсутній

FQP17N40

Trans MOSFET N-CH 400V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP17N40

Trans MOSFET N-CH 400V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP17N40

Trans MOSFET N-CH 400V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP17N40

Trans MOSFET N-CH 400V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP17N40
Код товару: 43558

товар відсутній

FQP17N40

Description: ONSEMI - FQP17N40 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 16 A, 0.27 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 16
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 170
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.27
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товар відсутній

FQP17N40

MOSFET 400V N-Channel QFET

товар відсутній

FQP17P06

Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -12A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FQP17P06

Trans MOSFET P-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP17P06

Trans MOSFET P-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP17P06
Код товару: 126278

товар відсутній

FQP17P06

Description: ONSEMI - FQP17P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 17 A, 0.12 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1406 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	155.33 грн
10+	116.69 грн
100+	89.88 грн
500+	70.8 грн
1000+	56.3 грн

Мінімальне замовлення: 6

FQP17P06

MOSFET 60V P-Channel QFET

на замовлення 25982 шт:

термін постачання 196-205 дні (днів)

3+	141.86 грн
10+	116.39 грн
100+	80.13 грн
250+	73.8 грн
500+	67.33 грн
1000+	58.55 грн

Мінімальне замовлення: 3

FQP17P06

Description: MOSFET P-CH 60V 17A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V

на замовлення 679 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	132.29 грн
50+	102.47 грн
100+	84.32 грн
500+	66.96 грн

Мінімальне замовлення: 3

FQP17P06

товар відсутній

FQP17P06TU

TO-220 04+

на замовлення 10 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP17P06_Q

MOSFET

товар відсутній

FQP17P10

Description: MOSFET P-CH 100V 16.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP17P10

Trans MOSFET P-CH 100V 16.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP17P10

MOSFETs 100V P-Channel QFET

товар відсутній

FQP17P10

Trans MOSFET P-CH 100V 16.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP17P10

Trans MOSFET P-CH 100V 16.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP18N20V2

Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail

товар відсутній

FQP18N20V2

Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO-220

товар відсутній

FQP18N50
Код товару: 118942

товар відсутній

FQP18N50V2

Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail

товар відсутній

FQP18N50V2

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP18N50V2

MOSFET 500V N-Ch QFET V2 Series

товар відсутній

FQP18N50V2

Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V

на замовлення 532 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

69+	305.67 грн

Мінімальне замовлення: 69

FQP18N50V2_Q

MOSFET 500V N-Ch QFET V2 Series

товар відсутній

FQP19N10

Description: MOSFET N-CH 100V 19A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP19N10

Trans MOSFET N-CH 100V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail

товар відсутній

FQP19N10

на замовлення 9080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP19N10L

Description: MOSFET N-CH 100V 19A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V

на замовлення 1021 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

740+	28.68 грн

Мінімальне замовлення: 740

FQP19N20

на замовлення 6855 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP19N20

Trans MOSFET N-CH 200V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP19N20

Trans MOSFET N-CH 200V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP19N20

Description: MOSFET N-CH 200V 19.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP19N20

FAIRCHIL

TO-220-3P 08+

на замовлення 679 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP19N20

MOSFETs 200V N-Channel QFET

товар відсутній

FQP19N20
Код товару: 35440

Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 19,4 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1220/31
Монтаж: THT

у наявності 9 шт:

5 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Харків

1+	72 грн

FQP19N20

Trans MOSFET N-CH 200V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP19N20 /FSC

08+;

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP19N20-T

Trans MOSFET

товар відсутній

FQP19N20-T

Description: MOSFET N-CH 200V 28A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP19N20C

MOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET

товар відсутній

FQP19N20C

Description: ONSEMI - FQP19N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.17 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 6287 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	87.52 грн
11+	76.56 грн
100+	63.47 грн
500+	52.79 грн
1000+	45.01 грн
5000+	44.13 грн

Мінімальне замовлення: 10

FQP19N20C

Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

50+	84.72 грн

Мінімальне замовлення: 50

FQP19N20C

Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP19N20C

Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP19N20CTSTU

Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP19N20C_F080

Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP19N20C_Q

MOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET

товар відсутній

FQP19N20L

Description: MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP1N50

Description: MOSFET N-CH 500V 1.4A TO-220

товар відсутній

FQP1N60

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP1N60

MOSFET 600V N-Channel QFET

товар відсутній

FQP1N60

Description: MOSFET N-CH 600V 1.2A TO-220

товар відсутній

FQP1N60C

MOSFET

товар відсутній

FQP1P50

Trans MOSFET P-CH 500V 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail

товар відсутній

FQP1P50

на замовлення 1080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP1P50

Description: MOSFET P-CH 500V 1.5A TO-220

товар відсутній

FQP20N06

Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	66.89 грн
10+	63.46 грн

Мінімальне замовлення: 9

FQP20N06

на замовлення 1080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP20N06

Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 4077 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

170+	70.91 грн
190+	63.48 грн
205+	59.02 грн
219+	53.3 грн
1000+	46.78 грн

Мінімальне замовлення: 170

FQP20N06

MOSFETs 60V N-Channel QFET

товар відсутній

FQP20N06

Description: MOSFET N-CH 60V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP20N06

Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP20N06

Description: ONSEMI - FQP20N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.048 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	96.19 грн
11+	78.06 грн
100+	63.63 грн
500+	48.91 грн

Мінімальне замовлення: 9

FQP20N06

Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 4077 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	74.41 грн
10+	65.84 грн
25+	58.94 грн
50+	52.85 грн
100+	45.82 грн
1000+	41.7 грн

Мінімальне замовлення: 9

FQP20N06L

Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 70mOhm; 21A; 53W; -55°C ~ 175°C; FQP20N06L TFQP20n06l
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 90 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

30+	27.2 грн

Мінімальне замовлення: 30

FQP20N06L

MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level

товар відсутній

FQP20N06L

Description: MOSFET N-CH 60V 21A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V

на замовлення 2440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	100.36 грн
50+	77.34 грн
100+	61.29 грн
500+	48.75 грн
1000+	39.71 грн
2000+	37.39 грн

Мінімальне замовлення: 4

FQP20N06L
Код товару: 114280

товар відсутній

FQP20N06L

Trans MOSFET N-CH 60V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP20N06L

Trans MOSFET N-CH 60V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 401 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

133+	90.92 грн
136+	89.08 грн
172+	70.21 грн

Мінімальне замовлення: 133

FQP20N06L

Description: ONSEMI - FQP20N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.042 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 53
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.042
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 467 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	130.88 грн
10+	107.23 грн
100+	80.42 грн

Мінімальне замовлення: 7

FQP20N06L

Trans MOSFET N-CH 60V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 401 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	104.33 грн
10+	84.43 грн
50+	82.72 грн
100+	62.87 грн

Мінімальне замовлення: 6

FQP20N06L

Trans MOSFET N-CH 60V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP20N06TSTU

Description: MOSFET N-CH 60V 20A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP20N06TSTU

товар відсутній

FQP20N06_Q

MOSFETs

товар відсутній

FQP22N30

MOSFET 300V N-Channel QFET

товар відсутній

FQP22N30

Trans MOSFET N-CH 300V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP22N30

Trans MOSFET N-CH 300V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP22N30

Description: ONSEMI - FQP22N30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 21 A, 0.16 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 47 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	262.56 грн
10+	201.85 грн

Мінімальне замовлення: 4

FQP22N30

Description: MOSFET N-CH 300V 21A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP22P10

Description: MOSFET P-CH 100V 22A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP22P10

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP22P10

MOSFET 100V P-Channel QFET

товар відсутній

FQP22P10

Trans MOSFET P-CH 100V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail

товар відсутній

FQP22P10_NL

MOSFET

товар відсутній

FQP24N08

MOSFET 80V N-Channel QFET

на замовлення 2041 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FQP24N08

Description: MOSFET N-CH 80V 24A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP24N08

FQP24N08 THT N channel transistors

товар відсутній

FQP24N08

Trans MOSFET N-CH 80V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP24N08

Trans MOSFET N-CH 80V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP24N08

Description: MOSFET N-CH 80V 24A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP27N25

Trans MOSFET N-CH 250V 25.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	95.65 грн
2000+	95.13 грн

Мінімальне замовлення: 1000

FQP27N25

Trans MOSFET N-CH 250V 25.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP27N25

Description: MOSFET N-CH 250V 25.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP27N25

Description: ONSEMI - FQP27N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25.5 A, 0.083 ohm, TO-220
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 25.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 180
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 180
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товар відсутній

FQP27N25

MOSFET 250V N-Channel QFET

товар відсутній

FQP27N25..

Description: ONSEMI - FQP27N25.. - N CH MOSFET, 250V, 25.5A, TO-220
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 25.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 180
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 180
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.11
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11
SVHC: Lead

товар відсутній

FQP27P06

MOSFETs 60V P-Channel QFET

на замовлення 13322 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	160.72 грн
10+	130.94 грн
100+	94.18 грн
500+	81.53 грн
1000+	69.93 грн
2000+	67.97 грн
5000+	67.33 грн

Мінімальне замовлення: 3

FQP27P06

Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -27A; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -27A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

на замовлення 548 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	137.98 грн
10+	107.62 грн
11+	81.27 грн
29+	76.88 грн
500+	73.95 грн

Мінімальне замовлення: 3

FQP27P06

P-MOSFET 60V 0.07Ohm FQP27P06 TFQP27p06
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 48 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	126.81 грн

Мінімальне замовлення: 10

FQP27P06

Trans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP27P06

Description: ONSEMI - FQP27P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 27 A, 0.07 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 17298 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	169.52 грн
10+	125.37 грн
100+	98.56 грн
500+	81.27 грн
1000+	64.74 грн

Мінімальне замовлення: 5

FQP27P06

Trans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP27P06
Код товару: 197511

товар відсутній

FQP27P06

на замовлення 548 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	165.58 грн
10+	134.12 грн
11+	97.52 грн
29+	92.25 грн
500+	88.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

FQP27P06

Description: MOSFET P-CH 60V 27A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

на замовлення 7992 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	146.74 грн
50+	113.91 грн
100+	93.71 грн
500+	74.41 грн
1000+	63.14 грн
2000+	59.98 грн
5000+	56.78 грн

Мінімальне замовлення: 3

FQP27P06-SW82127

Trans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail

товар відсутній

FQP27P06-SW82127

MOSFET 60V 27A 0.07 Ohm P-Channel QFET

на замовлення 542 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FQP27P06_SW82127

Description: MOSFET P-CH 60V 27A TO-220

на замовлення 166 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FQP2N30

Description: MOSFET N-CH 300V 2.1A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP2N40

Description: MOSFET N-CH 400V 1.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP2N40-F080

Trans MOSFET N-CH 400V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP2N40-F080

Description: MOSFET N-CH 400V 1.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP2N40-F080

MOSFET N-CH 400V 1.8A 5.8OHM

на замовлення 759 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	107.42 грн
10+	96.19 грн
100+	64.66 грн
500+	53.42 грн

Мінімальне замовлення: 4

FQP2N40-F080

Trans MOSFET N-CH 400V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP2N40-F080

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.14A; Idm: 7.2A; 40W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 7.2A
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.14A
On-state resistance: 5.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET

товар відсутній

FQP2N40-F080

товар відсутній

FQP2N50

Trans MOSFET N-CH 500V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail

товар відсутній

FQP2N50

Description: MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V

на замовлення 3015 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

683+	30.88 грн

Мінімальне замовлення: 683

FQP2N60

MOSFET

товар відсутній

FQP2N60

Description: MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

на замовлення 84915 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

307+	68.55 грн

Мінімальне замовлення: 307

FQP2N60

09+

на замовлення 4618 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP2N60B

на замовлення 87090 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP2N60C

Description: MOSFET N-CH 600V 2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP2N60C

Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP2N60C
Код товару: 48426

Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 2 А
Rds(on), Ohm: 3,6 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 180/8.5

товар відсутній

FQP2N60C

MOSFET 600V N-Channel Advance Q-FET

на замовлення 227 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	98.4 грн
10+	79.7 грн
100+	53.98 грн
500+	45.76 грн
1000+	37.18 грн
2000+	36.34 грн

Мінімальне замовлення: 4

FQP2N60C

Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP2N60C

N-NOSFET 2A 600V 54W 4.7Ω FQP2N60C TFQP2n60c
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 50 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

30+	26.49 грн

Мінімальне замовлення: 30

FQP2N60C

Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 179 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	44.59 грн
15+	41.2 грн
100+	37.78 грн

Мінімальне замовлення: 14

FQP2N60C_Q

MOSFET 600V N-Channel Advance Q-FET

товар відсутній

FQP2N80

Description: MOSFET N-CH 800V 2.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP2N80

Trans MOSFET N-CH 800V 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP2N80

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.52A; Idm: 9.6A; 85W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
On-state resistance: 6.3Ω
Drain current: 1.52A
Drain-source voltage: 800V
Power dissipation: 85W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 9.6A
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FQP2N80

Trans MOSFET N-CH 800V 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP2N80

товар відсутній

FQP2N80

Description: MOSFET N-CH 800V 2.4A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V

на замовлення 900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

415+	50.54 грн

Мінімальне замовлення: 415

FQP2N80

MOSFET 800V N-Channel QFET

на замовлення 993 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	128.74 грн
10+	113.97 грн
100+	77.31 грн
500+	63.75 грн

Мінімальне замовлення: 3

FQP2N90

Trans MOSFET N-CH 900V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP2N90

Trans MOSFET N-CH 900V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP2N90

Description: ONSEMI - FQP2N90 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.2 A, 5.6 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 2.2
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 85
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 85
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 5.6
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.6
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 260 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	141.13 грн
10+	115.9 грн
100+	85.15 грн

Мінімальне замовлення: 6

FQP2N90

MOSFET 900V N-Channel QFET

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	138.58 грн
10+	123.67 грн
25+	104.02 грн
100+	87.15 грн

Мінімальне замовлення: 3

FQP2N90

Description: MOSFET N-CH 900V 2.2A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V

на замовлення 7744 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

375+	56.95 грн

Мінімальне замовлення: 375

FQP2N90

Trans MOSFET N-CH 900V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP2N90

Trans MOSFET N-CH 900V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1132 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	101.53 грн
10+	84.01 грн
100+	75.31 грн
500+	54.25 грн
1000+	47.99 грн

Мінімальне замовлення: 6

FQP2N90

Description: MOSFET N-CH 900V 2.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP2N90

Trans MOSFET N-CH 900V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP2N90
Код товару: 61646

товар відсутній

FQP2NA90

Description: MOSFET N-CH 900V 2.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP2NA90

на замовлення 1789 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

523+	43.34 грн

Мінімальне замовлення: 523

FQP2P25

Description: MOSFET P-CH 250V 2.3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP2P25

товар відсутній

FQP2P40

Description: MOSFET P-CH 400V 2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP2P40

Trans MOSFET P-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail

товар відсутній

FQP2P40

на замовлення 87090 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP2P40

MOSFET 400V P-Channel QFET

товар відсутній

FQP2P40-F080

товар відсутній

FQP2P40-F080

MOSFET QF -400V 6.5OHM TO220

на замовлення 1913 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FQP2P40_F080

Trans MOSFET P-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP2P40_F080

Description: MOSFET P-CH 400V 2A TO-220

на замовлення 8275000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FQP30N06

Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP30N06

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21.3A; Idm: 120A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21.3A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FQP30N06

MOSFET 60V N-Channel QFET

товар відсутній

FQP30N06

Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 25 V

на замовлення 3283 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	108.72 грн
50+	83.84 грн
100+	66.45 грн
500+	52.86 грн
1000+	43.06 грн
2000+	40.54 грн

Мінімальне замовлення: 3

FQP30N06

Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 3860 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

164+	73.55 грн
182+	66.36 грн
206+	58.69 грн
500+	51.32 грн
1000+	41.71 грн
2000+	38.27 грн

Мінімальне замовлення: 164

FQP30N06

Description: ONSEMI - FQP30N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.031 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 30
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 79
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FQP30N06

Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 3860 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	68.29 грн
50+	61.62 грн
100+	54.5 грн
500+	47.66 грн
1000+	38.73 грн
2000+	35.54 грн

Мінімальне замовлення: 9

FQP30N06L

Trans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FQP30N06L

Description: ONSEMI - FQP30N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 32 A, 0.027 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm

на замовлення 169 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	167.15 грн
10+	132.46 грн
100+	106.44 грн

Мінімальне замовлення: 5

FQP30N06L

Trans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP30N06L TFQP30n06l
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 70 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	34.97 грн

Мінімальне замовлення: 20

FQP30N06L

Trans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP30N06L

MOSFETs 60V N-Channel QFET Logic Level

товар відсутній

FQP30N06L

Description: MOSFET N-CH 60V 32A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

товар відсутній

FQP30N06_Q

MOSFET

товар відсутній

FQP32N12V2

Description: MOSFET N-CH 120V 32A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 25 V

на замовлення 1244 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

468+	44.93 грн

Мінімальне замовлення: 468

FQP32N20C

Description: ONSEMI - FQP32N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 28 A, 0.068 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 28
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 156
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 156
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 2896 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	264.92 грн
10+	212.1 грн
100+	174.25 грн
500+	137.64 грн
1000+	106.78 грн

Мінімальне замовлення: 3

FQP32N20C

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17.8A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 17.8A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 5 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

3+	104.01 грн
10+	88.74 грн
13+	80.83 грн
35+	76.44 грн
250+	73.8 грн

Мінімальне замовлення: 3

FQP32N20C

Trans MOSFET N-CH 200V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FQP32N20C

Trans MOSFET N-CH 200V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 248 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

72+	169.13 грн
78+	154.62 грн
81+	149.6 грн
100+	129.64 грн

Мінімальне замовлення: 72

FQP32N20C

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	98.56 грн
5+	83.46 грн

Мінімальне замовлення: 4

FQP32N20C

Trans MOSFET N-CH 200V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	156.83 грн
10+	143.38 грн
25+	138.72 грн
100+	120.22 грн
250+	110.08 грн

Мінімальне замовлення: 4

FQP32N20C

MOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET

на замовлення 882 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	218.12 грн
10+	202.07 грн
25+	148.3 грн
100+	127.22 грн
250+	125.81 грн
500+	115.97 грн
1000+	115.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

FQP32N20C

Trans MOSFET N-CH 200V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 9727 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	132.94 грн
10+	123.15 грн
25+	119.68 грн
100+	105.18 грн
250+	96.45 грн
500+	89.15 грн
1000+	83.16 грн

Мінімальне замовлення: 5

FQP32N20C

Description: MOSFET N-CH 200V 28A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V

на замовлення 106 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	200.72 грн
50+	153.43 грн
100+	131.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

FQP32N20C_F080

Description: MOSFET N-CH 200V 28A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP32N20C_Q

MOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET

товар відсутній

FQP33N10

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

106+	114.41 грн
138+	87.95 грн

Мінімальне замовлення: 106

FQP33N10

MOSFETs 100V N-Channel QFET

товар відсутній

FQP33N10

Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP33N10

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 27096 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

117+	103.64 грн
150+	80.81 грн

Мінімальне замовлення: 117

FQP33N10

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	118.26 грн
10+	106.24 грн
100+	81.66 грн

Мінімальне замовлення: 6

FQP33N10
Код товару: 30515

Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Rds(on), Ohm: 0,052 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1150/38
Монтаж: THT

у наявності 48 шт:

46 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ

1+	45 грн
10+	40.5 грн

FQP33N10

Description: ONSEMI - FQP33N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.052 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 33
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 127
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.052
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 175 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	138.77 грн
10+	123.79 грн
100+	95.4 грн

Мінімальне замовлення: 6

FQP33N10

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 27100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	96.82 грн
10+	89.01 грн
100+	72.37 грн

Мінімальне замовлення: 7

FQP33N10

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP33N10L

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail

товар відсутній

FQP33N10L

MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level

товар відсутній

FQP33N10L

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP33N10L

Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP34N20

Trans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP34N20
Код товару: 100818

товар відсутній

FQP34N20

MOSFET 200V N-Channel QFET

на замовлення 996 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	255.84 грн
10+	227.13 грн
100+	158.85 грн
500+	130.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

FQP34N20

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 20A; 180W; TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 20A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 180W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FQP34N20

товар відсутній

FQP34N20

Description: MOSFET N-CH 200V 31A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP34N20

Trans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP34N20(транзистор)
Код товару: 86825

товар відсутній

FQP34N20L

Description: MOSFET N-CH 200V 31A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP3652

на замовлення 10005 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP3N25

Description: MOSFET N-CH 250V 2.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V

на замовлення 5900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1025+	20.36 грн

Мінімальне замовлення: 1025

FQP3N25

MOSFET 250V N-Channel QFET

товар відсутній

FQP3N30

Description: MOSFET N-CH 300V 3.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP3N30

Description: ONSEMI - FQP3N30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 3.2 A, 1.65 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 3145 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	109.6 грн
10+	89.88 грн
100+	66.47 грн
500+	51.03 грн

Мінімальне замовлення: 8

FQP3N30
Код товару: 173281

товар відсутній

FQP3N30

Trans MOSFET N-CH 300V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 665 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	38.18 грн
100+	34.86 грн
500+	31.26 грн

Мінімальне замовлення: 16

FQP3N30

MOSFET 300V N-Channel QFET

товар відсутній

FQP3N30

FAIRCHIL

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP3N30

Trans MOSFET N-CH 300V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP3N30_NL

MOSFET

товар відсутній

FQP3N40

Description: MOSFET N-CH 400V 2.5A TO-220

товар відсутній

FQP3N50C

Trans MOSFET N-CH 500V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail

товар відсутній

FQP3N50C

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 25 V

на замовлення 1362 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

740+	28.42 грн

Мінімальне замовлення: 740

FQP3N50C

MOSFET N-CH/400V/ .5A/3.4OHM

товар відсутній

FQP3N50C-F080

Trans MOSFET N-CH 500V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP3N50C-F080

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.8A; Idm: 12A; 62W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 62W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FQP3N50C-F080

MOSFET CFET 3A / 500V

на замовлення 690 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	123 грн
10+	109.12 грн
100+	73.8 грн
500+	61.01 грн

Мінімальне замовлення: 3

FQP3N50C-F080

Description: MOSFET N-CH 500V 1.8A TO220-3

товар відсутній

FQP3N50C-F080

Trans MOSFET N-CH 500V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP3N50C-F080

Description: ONSEMI - FQP3N50C-F080 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товар відсутній

FQP3N50C-F080

Description: MOSFET N-CH 500V 1.8A TO220-3

товар відсутній

FQP3N50C-F080

товар відсутній

FQP3N50CTF

Description: 21A, 60V, N-CHANNEL, MOSFET

товар відсутній

FQP3N60

Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail

товар відсутній

FQP3N60

Description: MOSFET N-CH 600V 3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V

на замовлення 45287 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

468+	45.37 грн

Мінімальне замовлення: 468

FQP3N60

на замовлення 87090 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP3N60C

Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP3N60C

Description: MOSFET N-CH 600V 3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 25 V

на замовлення 9802 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	99.6 грн
50+	77.52 грн
100+	61.43 грн
500+	48.86 грн
1000+	39.8 грн
2000+	37.47 грн
5000+	35.1 грн

Мінімальне замовлення: 4

FQP3N60C

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.8A; Idm: 12A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FQP3N60C

товар відсутній

FQP3N60C

Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FQP3N60C

MOSFET N-CH/600V 3A/3.6OHM

товар відсутній

FQP3N80

MOSFET 800V N-Channel QFET

товар відсутній

FQP3N80

Description: MOSFET N-CH 800V 3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP3N80

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP3N80C

MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series

на замовлення 696 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	138.58 грн
10+	123.67 грн
100+	83.64 грн
500+	69.93 грн
1000+	54.33 грн
2000+	46.18 грн

Мінімальне замовлення: 3

FQP3N80C

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; Idm: 12A; 107W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.9A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 107W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FQP3N80C

Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP3N80C

Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP3N80C

Description: ONSEMI - FQP3N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1277 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	137.19 грн
10+	111.96 грн
100+	84.37 грн
500+	64.65 грн

Мінімальне замовлення: 6

FQP3N80C

Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP3N80C

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 25 V

на замовлення 53553 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

401+	52.64 грн

Мінімальне замовлення: 401

FQP3N80C

товар відсутній

FQP3N80C

Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP3N80C

Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 103 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	98.09 грн
10+	85.18 грн
100+	69.62 грн

Мінімальне замовлення: 7

FQP3N80C_Q

MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series

товар відсутній

FQP3N90

Description: MOSFET N-CH 900V 3.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25Ohm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V

на замовлення 22834 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

468+	45.56 грн

Мінімальне замовлення: 468

FQP3N90

MOSFET 900V N-Channel QFET

товар відсутній

FQP3N90

Trans MOSFET N-CH 900V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220

товар відсутній

FQP3P20

Trans MOSFET P-CH 200V 2.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP3P20

Description: ONSEMI - FQP3P20 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 2.8 A, 2.06 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 2.8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 52
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.06
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товар відсутній

FQP3P20

Trans MOSFET P-CH 200V 2.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP3P20

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP3P20

Trans MOSFET P-CH 200V 2.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP3P20

Trans MOSFET P-CH 200V 2.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP3P20

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V

на замовлення 2731 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

422+	49.85 грн

Мінімальне замовлення: 422

FQP3P20

MOSFET 200V P-Channel QFET

товар відсутній

FQP3P20
Код товару: 173282

товар відсутній

FQP3P50

Trans MOSFET P-CH 500V 2.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP3P50

Description: MOSFET P-CH 500V 2.7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.35A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP3P50

MOSFETs 500V P-Channel QFET

на замовлення 46015 шт:

термін постачання 371-380 дні (днів)

3+	123 грн
10+	101.04 грн
100+	70.99 грн
250+	67.97 грн
500+	61.57 грн
1000+	53.14 грн
2500+	50.47 грн

Мінімальне замовлення: 3

FQP3P50
Код товару: 154101

Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 500 V
Id,A: 2,7 A
Rds(on),Om: 3,9 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 510/18
Монтаж: THT

товар відсутній

FQP3P50

Trans MOSFET P-CH 500V 2.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP3P50

Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -2.7A; 85W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -2.7A
Power dissipation: 85W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FQP3P50

Trans MOSFET P-CH 500V 2.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP44N08

Description: MOSFET N-CH 80V 44A TO220-3

на замовлення 1147 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FQP44N08

Description: MOSFET N-CH 80V 44A TO220-3

товар відсутній

FQP44N10

Trans MOSFET N-CH 100V 43.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP44N10

MOSFETs 100V N-Channel QFET

товар відсутній

FQP44N10

Description: MOSFET N-CH 100V 43.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 21.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 146W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V

на замовлення 722 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	182.47 грн
10+	113.26 грн
100+	77.67 грн
500+	58.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

FQP44N10

Trans MOSFET N-CH 100V 43.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP44N10

Trans MOSFET N-CH 100V 43.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP44N10F

товар відсутній

FQP45N15V2
Код товару: 147581

товар відсутній

FQP45N15V2

Description: MOSFET N-CH 150V 45A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 25 V

на замовлення 122 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	171.07 грн
50+	132.8 грн
100+	109.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

FQP45N15V2

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 31A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 31A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FQP45N15V2

Trans MOSFET N-CH 150V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP45N15V2

MOSFETs N-CH/150V/45A/Q-FETI

на замовлення 20954 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	186.96 грн
10+	148.72 грн
100+	106.13 грн
250+	97.7 грн
500+	88.56 грн
1000+	72.39 грн
2000+	71.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

FQP45N15V2

Description: ONSEMI - FQP45N15V2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 45 A, 0.034 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 610 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	203.42 грн
10+	145.87 грн
100+	109.6 грн
500+	92.25 грн

Мінімальне замовлення: 4

FQP45N15V2

товар відсутній

FQP45N15V2

Trans MOSFET N-CH 150V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP46N15

Trans MOSFET N-CH 150V 45.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FQP46N15

MOSFET 150V N-Channel QFET

товар відсутній

FQP46N15

Trans MOSFET N-CH 150V 45.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP46N15

Description: MOSFET N-CH 150V 45.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP47P06

Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FQP47P06

Description: MOSFET P-CH 60V 47A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP47P06
Код товару: 166999

товар відсутній

FQP47P06

Trans MOSFET P-CH 60V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP47P06

MOSFETs 60V P-Channel QFET

на замовлення 30832 шт:

термін постачання 210-219 дні (днів)

2+	250.1 грн
10+	244.1 грн
50+	172.2 грн
100+	151.11 грн
250+	150.41 грн
500+	135.65 грн
1000+	118.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

FQP47P06

товар відсутній

FQP47P06

Trans MOSFET P-CH 60V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP47P06-NW82049

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP47P06_NW82049

Description: MOSFET P-CH 60V 47A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP47P06_SW82049

Description: MOSFET P-CH 60V 47A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP4N20

Description: MOSFET N-CH 200V 3.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V

на замовлення 10753 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

888+	24.2 грн

Мінімальне замовлення: 888

FQP4N20

MOSFET 200V N-Channel QFET

товар відсутній

FQP4N20L

Trans MOSFET N-CH 200V 3.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 148 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FQP4N20L

MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level

на замовлення 466 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	91.84 грн
10+	81.64 грн
100+	54.89 грн
500+	45.4 грн
1000+	35.78 грн
2000+	33.39 грн

Мінімальне замовлення: 4

FQP4N20L

09+

на замовлення 1758 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP4N20L

Description: MOSFET N-CH 200V 3.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V

на замовлення 68 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	85.15 грн
50+	66.29 грн

Мінімальне замовлення: 4

FQP4N20L

Trans MOSFET N-CH 200V 3.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 148 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	43.13 грн
100+	39.62 грн

Мінімальне замовлення: 14

FQP4N20L

06+

на замовлення 100000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP4N20L

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.4A; Idm: 15.2A; 45W; TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 5.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 15.2A
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.4A
On-state resistance: 1.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 45W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube

товар відсутній

FQP4N20L

Trans MOSFET N-CH 200V 3.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP4N20L

товар відсутній

FQP4N20L

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

548+	39.15 грн

Мінімальне замовлення: 548

FQP4N25

Description: MOSFET N-CH 250V 3.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1025+	20.28 грн

Мінімальне замовлення: 1025

FQP4N50

Trans MOSFET N-CH 500V 3.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail

товар відсутній

FQP4N50

Description: 3.4A, 500V, 2.7OHM, N-CHANNEL MO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V

на замовлення 2116 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1110+	20.53 грн

Мінімальне замовлення: 1110

FQP4N60

Description: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP4N60

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP4N60

MOSFET 600V N-Channel QFET

товар відсутній

FQP4N60

Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail

товар відсутній

FQP4N60

09+

на замовлення 1008 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP4N60_NL

MOSFET

товар відсутній

FQP4N80

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; Idm: 15.6A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Pulsed drain current: 15.6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 18 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

3+	114.05 грн
10+	97.52 грн
12+	87.86 грн
32+	83.46 грн
250+	81.71 грн

Мінімальне замовлення: 3

FQP4N80

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	91.52 грн
10+	81.27 грн
12+	73.21 грн

Мінімальне замовлення: 4

FQP4N80
Код товару: 162318

товар відсутній

FQP4N80

Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP4N80

07+

на замовлення 45 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP4N80

Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP4N80

Description: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.95A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP4N80

MOSFET 800V N-Channel QFET

товар відсутній

FQP4N80_Q

MOSFET 800V N-Channel QFET

товар відсутній

FQP4N90

Description: MOSFET N-CH 900V 4.2A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V

на замовлення 2156 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

189+	111.22 грн

Мінімальне замовлення: 189

FQP4N90

на замовлення 5080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP4N90

Trans MOSFET N-CH 900V 4.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail

товар відсутній

FQP4N90

MOSFET 900V N-Channel QFET

товар відсутній

FQP4N90C

ONS

MOSFET N-CH 900V 4A TO220-3

на замовлення 2 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

2+	143.5 грн

Мінімальне замовлення: 2

FQP4N90C

Trans MOSFET N-CH 900V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP4N90C

Description: ONSEMI - FQP4N90C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 4 A, 3.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 140
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товар відсутній

FQP4N90C

MOSFETs 900V N-Ch Q-FET advance C-Series

товар відсутній

FQP4N90C

Trans MOSFET N-CH 900V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP4N90C

Trans MOSFET N-CH 900V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP4N90C
Код товару: 60621

Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 900 V
Idd,A: 2,3 A
Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/15
Монтаж: THT

у наявності 60 шт:

19 шт - склад
17 шт - РАДІОМАГ-Київ
7 шт - РАДІОМАГ-Львів
7 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро

1+	46 грн
10+	41.5 грн

FQP4N90C

Description: MOSFET N-CH 900V 4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP4N90_NL

MOSFET

товар відсутній

FQP4P25

Description: MOSFET P-CH 250V 4A TO220-3

товар відсутній

FQP4P40

Trans MOSFET P-CH 400V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP4P40

Description: MOSFET P-CH 400V 3.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1Ohm @ 1.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP4P40

Trans MOSFET P-CH 400V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	174.23 грн
2000+	172.45 грн

Мінімальне замовлення: 1000

FQP4P40
Код товару: 77220

товар відсутній

FQP4P40

MOSFET 400V P-Channel QFET

товар відсутній

FQP50N06
Код товару: 31258

Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1180/31
Монтаж: THT

товар відсутній

FQP50N06

MOSFETs TO-220 N-CH 60V 50A

товар відсутній

FQP50N06

JSMicro Semiconductor

Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 22mOhm; 50A; 120W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FQP50N06 Onsemi; FQP50N06 JSMICRO TFQP50n06 JSM
кількість в упаковці: 25 шт

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	19.25 грн

Мінімальне замовлення: 50

FQP50N06

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35.4A; Idm: 200A; 120W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35.4A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 120W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FQP50N06
Код товару: 193976

JSMicro

Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1180/31
Монтаж: THT

у наявності 85 шт:

55 шт - склад
23 шт - РАДІОМАГ-Київ
7 шт - РАДІОМАГ-Харків

очікується 10 шт:

10 шт - очікується

1+	38 грн
10+	34.2 грн

FQP50N06

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP50N06

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP50N06

товар відсутній

FQP50N06

Description: ONSEMI - FQP50N06 - MOSFET, N TO-220 TUBE 50
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

600+	47.23 грн

Мінімальне замовлення: 600

FQP50N06

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	57.51 грн

Мінімальне замовлення: 2000

FQP50N06L

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 37.1A; Idm: 210A; 121W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 37.1A
Pulsed drain current: 210A
Power dissipation: 121W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FQP50N06L
Код товару: 180806

товар відсутній

FQP50N06L

Trans MOSFET N-CH 60V 52.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP50N06L

Description: MOSFET N-CH 60V 52.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 26.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 121W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP50N06L

Description: ONSEMI - FQP50N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 52.4 A, 0.017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 121W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	161.63 грн
10+	145.08 грн
100+	117.48 грн
500+	91.52 грн

Мінімальне замовлення: 5

FQP50N06L

Trans MOSFET N-CH 60V 52.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP50N06L

MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level

товар відсутній

FQP50N06L

Trans MOSFET N-CH 60V 52.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP50N06L

Trans MOSFET N-CH 60V 52,4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP50N06L TFQP50n06l
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	48.57 грн

Мінімальне замовлення: 20

FQP50N06L-EPKE0003

Trans MOSFET N-CH 60V 52.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

товар відсутній

FQP50N06L-EPKE0003

Description: MOSFET N-CH 60V 65A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 26.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 121W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP50N06LEPKE0003

на замовлення 77150 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP50N06L_Q

MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level

товар відсутній

FQP50N06_NL/FSC

08+;

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP55N06

MOSFET

товар відсутній

FQP55N06

Description: MOSFET N-CH 60V 55A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V

на замовлення 3427 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

211+	100.68 грн

Мінімальне замовлення: 211

FQP55N06

товар відсутній

FQP55N06

00+ TO-22SOP

на замовлення 91 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP55N10

Description: ONSEMI - FQP55N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.021 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	163.21 грн
10+	119.85 грн
100+	88.31 грн

Мінімальне замовлення: 5

FQP55N10

Trans MOSFET N-CH 100V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP55N10

Trans MOSFET N-CH 100V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP55N10

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP55N10

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; Idm: 220A; 155W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 38.9A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 155W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FQP55N10

MOSFET 100V N-Channel QFET

на замовлення 395 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	165.64 грн
10+	134.98 грн
100+	93.48 грн
250+	87.15 грн
500+	86.45 грн
1000+	73.1 грн
2000+	64.1 грн

Мінімальне замовлення: 2

FQP55N10

Trans MOSFET N-CH 100V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP55N10

Description: MOSFET N-CH 100V 55A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP55N10

Trans MOSFET N-CH 100V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP55N10

товар відсутній

FQP55N10
Код товару: 88644

товар відсутній

FQP55N10

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP58N08

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP58N08

MOSFET 80V N-Channel QFET

товар відсутній

FQP58N08

Trans MOSFET N-CH 80V 57.5A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail

товар відсутній

FQP58N08

Description: MOSFET N-CH 80V 57.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 28.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 146W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP5N20

Description: MOSFET N-CH 200V 4.5A TO-220

товар відсутній

FQP5N20L

Description: MOSFET N-CH 200V 4.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V

на замовлення 5950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1025+	20.36 грн

Мінімальне замовлення: 1025

FQP5N30

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 2635 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FQP5N40

Description: MOSFET N-CH 400V 4.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP5N40

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP5N40

MOSFET 400V N-Channel QFET

товар відсутній

FQP5N40

Trans MOSFET N-CH 400V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail

товар відсутній

FQP5N50

MOSFET

товар відсутній

FQP5N50C

MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series

товар відсутній

FQP5N50C

Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V

на замовлення 54593 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

634+	32.88 грн

Мінімальне замовлення: 634

FQP5N50C

Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail

товар відсутній

FQP5N50C

Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP5N50C-F105

TO-220 06+

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP5N50C_F080

MOSFET

товар відсутній

FQP5N50C_F105

MOSFET

товар відсутній

FQP5N50C_NL

MOSFET N-CH/500V/5A/A.QFET C_Series

товар відсутній

FQP5N50C_Q

MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series

товар відсутній

FQP5N60C

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

на замовлення 74950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

417+	51.05 грн

Мінімальне замовлення: 417

FQP5N60C

Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP5N60C

Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	50.98 грн
3000+	50.47 грн

Мінімальне замовлення: 2000

FQP5N60C

Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP5N60C

Description: ONSEMI - FQP5N60C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.5 A, 2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 100
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 100
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 106 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	123.79 грн
10+	111.17 грн
100+	86.73 грн

Мінімальне замовлення: 7

FQP5N60C

N-MOSFET 600V 4.5A 2.5Ω 100W FQP5N60C FAI TFQP5n60c
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 130 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	55.46 грн

Мінімальне замовлення: 10

FQP5N60C

MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series

товар відсутній

FQP5N60C_Q

MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series

товар відсутній

FQP5N80

MOSFET

товар відсутній

FQP5N80

на замовлення 87090 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP5N80

Description: MOSFET N-CH 800V 4.8A TO220-3

на замовлення 8992 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FQP5N90

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP5N90

Description: MOSFET N-CH 900V 5.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP5N90C

2002 TO-220

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP5P10

Description: MOSFET P-CH 100V 4.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP5P20

Description: P-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 9123 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FQP5P20

MOSFET 200V P-Channel QFET

товар відсутній

FQP5P20_NL

MOSFET

товар відсутній

FQP60N03

04+

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP60N03L

0122

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP630

Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V

на замовлення 5961 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

807+	25.73 грн

Мінімальне замовлення: 807

FQP630
Код товару: 116580

товар відсутній

FQP630

Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP630

MOSFET 200V N-Channel QFET

товар відсутній

FQP630TSTU

товар відсутній

FQP630TSTU

MOSFET Short Leads

товар відсутній

FQP630TSTU_NL

MOSFET

товар відсутній

FQP65N06
Код товару: 57147

Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 46 A
Rds(on), Ohm: 0,012 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1850/48
Монтаж: THT

товар відсутній

FQP65N06

Description: ONSEMI - FQP65N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 65 A, 0.016 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

товар відсутній

FQP65N06

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 46.1A; Idm: 260A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 46.1A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FQP65N06

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP65N06

Trans MOSFET N-CH 60V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP65N06

MOSFET TO-220 N-CH 60V 65A

товар відсутній

FQP65N06

Description: MOSFET N-CH 60V 65A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP65N06

Trans MOSFET N-CH 60V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP6N15

Description: MOSFET N-CH 150V 6.4A TO-220

товар відсутній

FQP6N25

Trans MOSFET N-CH 250V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail

товар відсутній

FQP6N25

Description: MOSFET N-CH 250V 5.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V

на замовлення 1189 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

888+	23.57 грн

Мінімальне замовлення: 888

FQP6N40C

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.6A; Idm: 24A; 73W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 73W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FQP6N40C

TO-220

на замовлення 1629 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP6N40C

MOSFET 400V N-Ch Q-FET advance C-Series

на замовлення 958 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	125.46 грн
10+	110.74 грн
100+	75.21 грн
500+	63.26 грн

Мінімальне замовлення: 3

FQP6N40C

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V

на замовлення 15675 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

469+	44.93 грн

Мінімальне замовлення: 469

FQP6N40C

товар відсутній

FQP6N40C

Description: ONSEMI - FQP6N40C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 6 A, 0.83 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.83ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 72 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	130.1 грн
10+	105.65 грн

Мінімальне замовлення: 7

FQP6N40C

Trans MOSFET N-CH 400V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP6N40CF

Description: MOSFET N-CH 400V 6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP6N40CF

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP6N40CF

Trans MOSFET N-CH 400V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP6N40CF

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.6A; Idm: 24A; 73W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 73W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FQP6N40CF

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.6A; Idm: 24A; 73W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 73W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FQP6N40CF

MOSFET N-CH/400 /6A/CFET

на замовлення 986 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FQP6N50

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 193 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FQP6N50

Description: MOSFET N-CH 500V 5.5A TO-220

товар відсутній

FQP6N50C

Description: MOSFET N-CH 500V 5.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V

на замовлення 1661 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

398+	54.09 грн

Мінімальне замовлення: 398

FQP6N60

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP6N60

MOSFET 600V N-Channel QFET

товар відсутній

FQP6N60

Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP6N60
Код товару: 63524

товар відсутній

FQP6N60C

Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP6N60C

MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series

товар відсутній

FQP6N60C

Description: MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP6N60C_F080

Description: MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP6N70

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP6N70

Description: MOSFET N-CH 700V 6.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP6N70

Description: ONSEMI - FQP6N70 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	88.31 грн

Мінімальне замовлення: 1000

FQP6N70

Trans MOSFET N-CH 700V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP6N70

MOSFET 700V N-Channel QFET

товар відсутній

FQP6N80

Trans MOSFET N-CH 800V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail

товар відсутній

FQP6N80

Description: MOSFET N-CH 800V 5.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP6N80C

Trans MOSFET N-CH 800V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	141.86 грн
10+	118.8 грн
100+	80.84 грн
1000+	66.14 грн

Мінімальне замовлення: 5

FQP6N80C

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; 158W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 158W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

на замовлення 257 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	155.33 грн
10+	91.52 грн
26+	86.39 грн

Мінімальне замовлення: 3

FQP6N80C
Код товару: 129953

товар відсутній

FQP6N80C

Trans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP6N80C TFQP6n80c
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 90 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	40.62 грн

Мінімальне замовлення: 20

FQP6N80C

MOSFETs 800V N-Ch Q-FET advance C-Series

на замовлення 3586 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	177.94 грн
10+	140.64 грн
100+	100.51 грн
250+	99.81 грн
500+	85.75 грн
1000+	70.29 грн
5000+	66.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

FQP6N80C

Description: MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 25 V

на замовлення 694 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	162.7 грн
50+	125.96 грн
100+	103.63 грн
500+	82.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

FQP6N80C

Trans MOSFET N-CH 800V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP6N80C

на замовлення 257 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	186.39 грн
10+	114.05 грн
26+	103.67 грн
500+	100.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

FQP6N80C

Trans MOSFET N-CH 800V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	129.65 грн
10+	110.8 грн

Мінімальне замовлення: 5

FQP6N80C

Trans MOSFET N-CH 800V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	75.19 грн

Мінімальне замовлення: 5

FQP6N80C

Description: ONSEMI - FQP6N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.5 A, 2.1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 5.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 158
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 752 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	151.38 грн
10+	131.67 грн
100+	106.44 грн
500+	81.27 грн

Мінімальне замовлення: 6

FQP6N90

Description: MOSFET N-CH 900V 5.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP6N90

09+ SOT23-..

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP6N90

MOSFET 900V N-Channel QFET

товар відсутній

FQP6N90C

Trans MOSFET N-CH 900V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP6N90C

Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 2,3Ohm; 6A; 167W; -55°C ~ 150°C; FQP6N90C TFQP6n90c
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 40 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	109.86 грн

Мінімальне замовлення: 10

FQP6N90C

Trans MOSFET N-CH 900V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP6N90C

MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series

товар відсутній

FQP6N90C

Trans MOSFET N-CH 900V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 420 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

121+	100.38 грн
126+	95.89 грн
250+	92.04 грн

Мінімальне замовлення: 121

FQP6N90C

Description: ONSEMI - FQP6N90C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 6 A, 1.93 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 6
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 167
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 167
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.93
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.93
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товар відсутній

FQP6N90C

Description: MOSFET N-CH 900V 6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP6N90C
Код товару: 128174

товар відсутній

FQP6N90C_Q

MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series

товар відсутній

FQP6N90_NL

MOSFET

товар відсутній

FQP6P25

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP6P25

Description: MOSFET P-CH 250V 6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V

на замовлення 127041 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

333+	64.07 грн

Мінімальне замовлення: 333

FQP6P25

TO-220 07+

на замовлення 10 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP70N08

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP70N08

MOSFET 80V N-Channel QFET

товар відсутній

FQP70N08

Description: MOSFET N-CH 80V 70A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP70N08

Description: MOSFET N-CH 80V 70A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V

на замовлення 797 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

247+	86.5 грн

Мінімальне замовлення: 247

FQP70N10

Description: MOSFET N-CH 100V 57A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP70N10

Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP70N10

Description: ONSEMI - FQP70N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 0.023 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 57
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 160
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 160
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 1192 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	79.63 грн
12+	69.15 грн
100+	56.38 грн
500+	40.12 грн
1000+	32.17 грн

Мінімальне замовлення: 10

FQP70N10

Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP70N10

MOSFET 100V N-Channel QFET

товар відсутній

FQP7N10

Description: MOSFET N-CH 100V 7.3A TO-220

товар відсутній

FQP7N10L

Description: MOSFET N-CH 100V 7.3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 3.65A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP7N10L

на замовлення 15200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP7N20

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP7N20

MOSFET 200V N-Channel QFET

на замовлення 2291 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	117.26 грн
10+	104.27 грн
100+	70.99 грн
500+	58.13 грн

Мінімальне замовлення: 3

FQP7N20

Description: MOSFET N-CH 200V 6.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V

на замовлення 852 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.76 грн
10+	79.88 грн
100+	62.28 грн
500+	48.28 грн

Мінімальне замовлення: 4

FQP7N20L

Description: MOSFET N-CH 200V 6.5A TO220-3

товар відсутній

FQP7N40

Description: MOSFET N-CH 400V 7A TO220-3

товар відсутній

FQP7N40

на замовлення 900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP7N60

MOSFET 600V N-Channel QFET

товар відсутній

FQP7N60

Trans MOSFET N-CH 600V 7.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail

товар відсутній

FQP7N60

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP7N60

Description: MOSFET N-CH 600V 7.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP7N60C

TO-220

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP7N60C

09+

на замовлення 1018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP7N65C

Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 25 V

на замовлення 25372 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

370+	56.66 грн

Мінімальне замовлення: 370

FQP7N80

на замовлення 7010 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP7N80

MOSFET NCh/800V/6.6a/1.5Ohm

товар відсутній

FQP7N80

Trans MOSFET N-CH 800V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail

товар відсутній

FQP7N80

Description: MOSFET N-CH 800V 6.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V

на замовлення 11494 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

143+	147.59 грн

Мінімальне замовлення: 143

FQP7N80C

MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series

на замовлення 697 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	212.38 грн
10+	187.52 грн
100+	118.08 грн
500+	101.91 грн
1000+	97.7 грн
2000+	94.18 грн
5000+	93.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

FQP7N80C

Trans MOSFET N-CH 800V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP7N80C

Description: MOSFET N-CH 800V 6.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP7N80C

Trans MOSFET N-CH 800V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 66 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	173.04 грн
10+	149.25 грн

Мінімальне замовлення: 4

FQP7N80C

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.2A; 167W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 167W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FQP7P06

Description: MOSFET P-CH 60V 7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 410mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 25 V

на замовлення 283 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	109.48 грн
10+	94.45 грн
100+	73.65 грн

Мінімальне замовлення: 3

FQP7P06

Trans MOSFET P-CH 60V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 16740 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

124+	97.64 грн
159+	75.94 грн
500+	63.07 грн
1000+	47.7 грн
2500+	42.62 грн
10000+	39.43 грн

Мінімальне замовлення: 124

FQP7P06

Trans MOSFET P-CH 60V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 16743 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	93.17 грн
10+	85.56 грн
100+	70.48 грн
500+	45.33 грн

Мінімальне замовлення: 7

FQP7P06

Trans MOSFET P-CH 60V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	68.57 грн
10+	65.3 грн
100+	57.8 грн
500+	41.86 грн

Мінімальне замовлення: 9

FQP7P06

Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -4.95A; 45W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -4.95A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 410mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	197.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

FQP7P06

Trans MOSFET P-CH 60V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 879 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	90.07 грн
10+	82.71 грн
100+	67.62 грн
500+	42.72 грн

Мінімальне замовлення: 7

FQP7P06

Trans MOSFET P-CH 60V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

172+	70.32 грн
194+	62.25 грн
500+	46.75 грн

Мінімальне замовлення: 172

FQP7P06

Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 25V; 410mOhm; 7A; 45W; -55°C ~ 175°C; FQP7P06 TFQP7p06
кількість в упаковці: 25 шт

на замовлення 50 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	21.02 грн

Мінімальне замовлення: 50

FQP7P06

Trans MOSFET P-CH 60V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 879 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

136+	89.07 грн
166+	72.82 грн
500+	47.71 грн

Мінімальне замовлення: 136

FQP7P06

Description: ONSEMI - FQP7P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 7 A, 0.41 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 45
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.41
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 849 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	130.88 грн
10+	117.48 грн
100+	91.46 грн
500+	70.21 грн

Мінімальне замовлення: 7

FQP7P06

MOSFET 60V P-Channel QFET

на замовлення 1178 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	123.82 грн
10+	109.12 грн
100+	73.8 грн
500+	61.29 грн
1000+	48.08 грн
5000+	45.26 грн
10000+	44.7 грн

Мінімальне замовлення: 3

FQP7P06

Trans MOSFET P-CH 60V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 14121 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	61.11 грн
11+	58.57 грн
100+	52.59 грн
500+	39.16 грн

Мінімальне замовлення: 10

FQP7P06

Trans MOSFET P-CH 60V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP7P06

на замовлення 2 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	141.92 грн
3+	91.24 грн
10+	70.29 грн
17+	62.38 грн
45+	59.74 грн
250+	57.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

FQP7P06

Trans MOSFET P-CH 60V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP7P20

MOSFET 200V P-Channel QFET

товар відсутній

FQP7P20

Trans MOSFET P-CH 200V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail

товар відсутній

FQP7P20

Description: MOSFET P-CH 200V 7.3A TO220-3
Packaging: Tube

на замовлення 2458 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

468+	45.56 грн

Мінімальне замовлення: 468

FQP85N06

MOSFETs 60V N-Channel QFET

товар відсутній

FQP85N06

Trans MOSFET N-CH 60V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP85N06

Trans MOSFET N-CH 60V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP85N06

Description: MOSFET N-CH 60V 85A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 42.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP85N06

Trans MOSFET N-CH 60V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 5300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

152+	79.59 грн

Мінімальне замовлення: 152

FQP85N06

Description: ONSEMI - FQP85N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 85 A, 0.01 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 85
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 160
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 160
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 1058 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	228.65 грн
10+	201.85 грн
100+	167.94 грн
500+	128.12 грн

Мінімальне замовлення: 4

FQP85N06

Trans MOSFET N-CH 60V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	197.44 грн
10+	180.02 грн
25+	177.24 грн

Мінімальне замовлення: 4

FQP85N06
Код товару: 163330

товар відсутній

FQP85N06

Trans MOSFET N-CH 60V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FQP85N06

Trans MOSFET N-CH 60V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 5300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	100.18 грн
2000+	94.17 грн
5000+	91.24 грн

Мінімальне замовлення: 1000

FQP85N06

Trans MOSFET N-CH 60V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP8N60

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP8N60C

Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP8N60C

MOSFETs 600V N-Ch Q-FET advance C-Series

на замовлення 954 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	182.04 грн
10+	149.53 грн
100+	104.02 грн
250+	87.15 грн
1000+	73.8 грн
2000+	72.39 грн

Мінімальне замовлення: 2

FQP8N60C

06+

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP8N60C

Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP8N60C

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 25 V

на замовлення 5143 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

247+	85.34 грн

Мінімальне замовлення: 247

FQP8N60C

Description: ONSEMI - FQP8N60C - MOSFET, N, TO-220
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 5143 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	102.5 грн

Мінімальне замовлення: 1000

FQP8N60CLF

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP8N60C_NL

MOSFET

товар відсутній

FQP8N60C_Q

MOSFETs 600V N-Ch Q-FET advance C-Series

товар відсутній

FQP8N80C

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.1A; Idm: 32A; 178W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 178W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FQP8N80C

на замовлення 13000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP8N80C

Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FQP8N80C

MOSFETs 800V N-Ch Q-FET advance C-Series

на замовлення 835 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	232.88 грн
10+	218.24 грн
25+	158.14 грн
100+	135.65 грн
250+	133.54 грн
500+	120.19 грн
1000+	106.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

FQP8N80C

Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V

на замовлення 680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	213.64 грн
50+	162.64 грн
100+	139.4 грн
500+	116.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

FQP8N80C

09+

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP8N80C

Description: ONSEMI - FQP8N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 1.29 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.29ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 2963 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	263.35 грн
10+	185.29 грн
100+	158.48 грн
500+	131.05 грн
1000+	106.78 грн

Мінімальне замовлення: 3

FQP8N80C

товар відсутній

FQP8N80C

на замовлення 2800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP8N90C

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP8N90C

Trans MOSFET N-CH 900V 6.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP8N90C

MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series

на замовлення 326 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	227.14 грн
10+	202.07 грн
25+	166.58 грн
100+	144.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

FQP8N90C

Description: MOSFET N-CH 900V 6.3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP8P10

Trans MOSFET P-CH 100V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP8P10

MOSFET 100V P-Channel QFET

на замовлення 2666 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FQP8P10

Description: MOSFET P-CH 100V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V

на замовлення 2467 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	85.91 грн
10+	73.87 грн
100+	57.62 грн
500+	44.67 грн
1000+	35.27 грн
2000+	32.92 грн

Мінімальне замовлення: 4

FQP8P10

Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -5.7A; Idm: -32A; 65W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -32A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FQP8P10

товар відсутній

FQP8P10.

Description: ONSEMI - FQP8P10. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 8 A, 0.41 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 65
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.41
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (08-Jul-2021)

на замовлення 19 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	108.81 грн
10+	98.56 грн

Мінімальне замовлення: 8

FQP90N08

Description: MOSFET N-CH 80V 71A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 35.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP90N10V2

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP90N10V2

Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail

товар відсутній

FQP90N10V2

MOSFET 100V N-Channel Adv QFET V2 Series

товар відсутній

FQP90N10V2

FAIRCHIL

08+ SSOP-16

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP90N10V2

fsc

09+

на замовлення 45200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP90N10V2

Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 191 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP90N10V2_NL

MOSFET

товар відсутній

FQP9N08

Description: MOSFET N-CH 80V 9.3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 4.65A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V

на замовлення 3153 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1025+	20.36 грн

Мінімальне замовлення: 1025

FQP9N08

Trans MOSFET N-CH 80V 9.3A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220

товар відсутній

FQP9N08L

Description: MOSFET N-CH 80V 9.3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 4.65A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V

на замовлення 5169 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1025+	20.36 грн

Мінімальне замовлення: 1025

FQP9N15

Description: MOSFET N-CH 150V 9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V

на замовлення 1467 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

952+	22.47 грн

Мінімальне замовлення: 952

FQP9N25

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V

на замовлення 132000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

650+	33.17 грн

Мінімальне замовлення: 650

FQP9N25

MOSFET

товар відсутній

FQP9N25C

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP9N25C

Description: MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP9N25C

Description: MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP9N25C

MOSFET 250V N-Channel Advance Q-FET

товар відсутній

FQP9N25CTSTU

MOSFET

товар відсутній

FQP9N25CTSTU

Description: MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP9N25CTSTU_NL

MOSFET

товар відсутній

FQP9N25C_Q

MOSFET 250V N-Channel Advance Q-FET

товар відсутній

FQP9N30

Description: Power Field-Effect Transistor, 9
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP9N30

Trans MOSFET N-CH 300V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP9N30

Trans MOSFET N-CH 300V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP9N30

MOSFET 300V N-Channel QFET

на замовлення 749 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FQP9N30

Trans MOSFET N-CH 300V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP9N30

Description: MOSFET N-CH 300V 9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V

на замовлення 994 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	139.14 грн
10+	120.22 грн
100+	96.61 грн
500+	74.49 грн

Мінімальне замовлення: 3

FQP9N30

FQP9N30 THT N channel transistors

товар відсутній

FQP9N30

Trans MOSFET N-CH 300V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP9N50

Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail

товар відсутній

FQP9N50

2004 TO-220

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP9N50

Description: MOSFET N-CH 500V 9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP9N50

MOSFET 500V N-Channel QFET

товар відсутній

FQP9N50C

Description: MOSFET N-CH 500V 9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP9N50C

MOSFETs 500V N-Ch Q-FET advance C-Series

товар відсутній

FQP9N50C

Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP9N50C

Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	69.1 грн
10+	65.67 грн

Мінімальне замовлення: 9

FQP9N50C(микросхема)
Код товару: 60149

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товар відсутній

FQP9N50C/FSC

08+;

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQP9N50C_Q

MOSFETs 500V N-Ch QFET Advane C-Series

товар відсутній

FQP9N90C

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; 205W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 205W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

на замовлення 38 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	260.19 грн
6+	169.12 грн
14+	159.61 грн

Мінімальне замовлення: 2

FQP9N90C

Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP9N90C
Код товару: 117719

товар відсутній

FQP9N90C

Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP9N90C

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V

товар відсутній

FQP9N90C

Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP9N90C

на замовлення 38 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	312.23 грн
6+	210.76 грн
14+	191.53 грн
500+	185.38 грн

FQP9N90C

MOSFETs 900V N-Channel Adv Q-FET C-Series

на замовлення 1940 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	300.12 грн
50+	234.4 грн
100+	174.31 грн
250+	172.9 грн
500+	155.33 грн
1000+	125.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

FQP9N90C

Description: ONSEMI - FQP9N90C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 8 A, 1.12 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: 0
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: 0
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.12ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 859 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	324.06 грн
10+	229.44 грн
100+	193.17 грн
500+	166.2 грн

Мінімальне замовлення: 3

FQP9N90C

Description: MOSFET N-CH 900V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V

на замовлення 1039 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	342.9 грн
10+	219.06 грн
100+	156.11 грн
500+	121.23 грн
1000+	116.22 грн

FQP9N90C

Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP9P25

Description: MOSFET P-CH 250V 9.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V

на замовлення 1256 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	155.1 грн
10+	134.06 грн
100+	107.75 грн
500+	83.08 грн
1000+	68.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

FQP9P25

Trans MOSFET P-CH 250V 9.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FQP9P25

RF MOSFET Transistors RF LDMOS FET

товар відсутній

FQP9P25

Description: ONSEMI - FQP9P25 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 9.4 A, 0.48 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 120W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.48ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 54 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	161.63 грн
10+	131.67 грн

Мінімальне замовлення: 5

FQP9P25

Trans MOSFET P-CH 250V 9.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FQP9P25
Код товару: 77221

товар відсутній

FQPF1060C

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQPF10N20

Description: MOSFET N-CH 200V 6.8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

товар відсутній

FQPF10N20

FAIR

TO-220

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQPF10N20

MOSFET 200V N-Ch MOSFET

товар відсутній

FQPF10N20C

Description: MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 4.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V

на замовлення 702 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	87.43 грн
50+	67.43 грн
100+	53.43 грн
500+	42.5 грн

Мінімальне замовлення: 4

FQPF10N20C

Trans MOSFET N-CH 200V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товар відсутній

FQPF10N20C

MOSFETs 200V N-Ch MOSFET

на замовлення 3190 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	93.48 грн
10+	74.28 грн
100+	51.1 грн
500+	43.37 грн
1000+	36.9 грн

Мінімальне замовлення: 4

FQPF10N20C

Trans MOSFET N-CH 200V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	45.47 грн
3000+	43.43 грн
4000+	42.66 грн

Мінімальне замовлення: 2000

FQPF10N20C

Description: ONSEMI - FQPF10N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.5 A, 0.29 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 9.5
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.29
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	104.87 грн
10+	94.62 грн
100+	73.64 грн

Мінімальне замовлення: 8

FQPF10N20TU

03+

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQPF10N50CF

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.35A; Idm: 40A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.35A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 610mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FQPF10N50CF

Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товар відсутній

FQPF10N50CF

MOSFET 500V N-Ch MOSFET

на замовлення 1983 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	224.68 грн
10+	198.84 грн
25+	167.28 грн
100+	139.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

FQPF10N50CF

Description: MOSFET N-CH 500V 10A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 610mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2096 pF @ 25 V

товар відсутній

FQPF10N50CF

товар відсутній

FQPF10N50CF

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 610mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2096 pF @ 25 V

на замовлення 67211 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

222+	94.43 грн

Мінімальне замовлення: 222

FQPF10N60

на замовлення 8500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQPF10N60C

Description: MOSFET N-CH 600V 9.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 4.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V

товар відсутній

FQPF10N60C

Trans MOSFET N-CH 600V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товар відсутній

FQPF10N60C
Код товару: 82364

товар відсутній

FQPF10N60C

Trans MOSFET N-CH 600V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товар відсутній

FQPF10N60C

MOSFETs 600V N-Ch Q-FET advance C-Series

товар відсутній

FQPF10N60C

Trans MOSFET N-CH 600V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товар відсутній

FQPF10N60CF

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail

товар відсутній

FQPF10N60CF

MOSFET 600V N-Ch MOSFET

товар відсутній

FQPF10N60CF

Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V

товар відсутній

FQPF10N60CT

товар відсутній

FQPF10N60CYDTU

товар відсутній

FQPF10N60CYDTU

MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series

товар відсутній

FQPF10N60CYDTUNL

MOSFET

товар відсутній

FQPF10N60CYDTU_NL

MOSFET

товар відсутній

FQPF10N60C_F105

Description: MOSFET N-CH 600V 9.5A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 4.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V

товар відсутній

FQPF10N60C_F105

MOSFET N-CH/600V/10A/QFET C-Series

товар відсутній

FQPF11N40C

Description: MOSFET N-CH 400V 10.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V

товар відсутній

FQPF11N40C

Trans MOSFET N-CH 400V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товар відсутній

FQPF11N40C

TO-220 06+

на замовлення 10 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQPF11N40C

MOSFET 400V N-Channel Advance Q-FET

товар відсутній

FQPF11N40C

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.6A; Idm: 42A; 44W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.6A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 44W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FQPF11N40C

Description: ONSEMI - FQPF11N40C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10.5 A, 0.43 ohm, TO-220FP
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 10.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 44
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.43
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товар відсутній

FQPF11N40C

Trans MOSFET N-CH 400V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товар відсутній

FQPF11N40C

товар відсутній

FQPF11N40C

Trans MOSFET N-CH 400V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товар відсутній

FQPF11N40CT

Trans MOSFET N-CH 400V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail

товар відсутній

FQPF11N40CT

товар відсутній

FQPF11N40CT

MOSFET N-CH/400V/11A QFET C-Series

товар відсутній

FQPF11N40CT_NL

MOSFET N-CH/400V/11A/QFET C-Series

товар відсутній

FQPF11N40CYDTU

MOSFET

товар відсутній

FQPF11N40CYDTU

Trans MOSFET N-CH 400V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail

товар відсутній

FQPF11N40C_NL

MOSFET

товар відсутній

FQPF11N40T

Description: MOSFET N-CH 400V 6.6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

товар відсутній

FQPF11N50CF

Description: ONSEMI - FQPF11N50CF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11 A, 0.48 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET FRFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 1839 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	62.21 грн

Мінімальне замовлення: 13

FQPF11N50CF

MOSFET 500V N-Ch Adv Q-FET C-series (FRFET)

на замовлення 363 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	210.74 грн
10+	103.46 грн
1000+	87.86 грн

Мінімальне замовлення: 2

FQPF11N50CF

Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 1841 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

172+	70.24 грн

Мінімальне замовлення: 172

FQPF11N50CF

Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товар відсутній

FQPF11N50CF

Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 1841 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	65.23 грн

Мінімальне замовлення: 10

FQPF11N50CF

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V

на замовлення 1985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

193+	109.12 грн

Мінімальне замовлення: 193

FQPF11P06

Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 67 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	96.89 грн
10+	88.19 грн

Мінімальне замовлення: 7

FQPF11P06

Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товар відсутній

FQPF11P06

Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	50.05 грн

Мінімальне замовлення: 1000

FQPF11P06

Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6.08A; Idm: -34.4A; 30W
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -6.08A
On-state resistance: 0.175Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -34.4A
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FQPF11P06

Description: MOSFET P-CH 60V 8.6A TO220F

на замовлення 417 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	109.48 грн
10+	94.3 грн
100+	73.5 грн

Мінімальне замовлення: 3

FQPF11P06

Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	48.53 грн

Мінімальне замовлення: 2000

FQPF11P06

Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товар відсутній

FQPF11P06

Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товар відсутній

FQPF11P06

Description: ONSEMI - FQPF11P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.6 A, 0.14 ohm, TO-220F
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 8.6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 30
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 788 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	113.54 грн
10+	101.71 грн
100+	81.21 грн
500+	64.21 грн

Мінімальне замовлення: 7

FQPF11P06

MOSFET 60V P-Channel QFET

на замовлення 1732 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	118.08 грн
10+	104.27 грн
100+	72.39 грн
500+	61.64 грн

Мінімальне замовлення: 3

FQPF11P06

Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 67 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FQPF11P06

Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товар відсутній

FQPF11P06

товар відсутній

FQPF12N50C

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQPF12N60

Description: ONSEMI - FQPF12N60 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 55453 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

125+	209.73 грн

Мінімальне замовлення: 125

FQPF12N60

MOSFET

товар відсутній

FQPF12N60

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQPF12N60

Description: MOSFET N-CH 600V 5.8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V

на замовлення 55453 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

105+	201.45 грн

Мінімальне замовлення: 105

FQPF12N60C

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товар відсутній

FQPF12N60C
Код товару: 92801

товар відсутній

FQPF12N60C

Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V

товар відсутній

FQPF12N60C
Код товару: 92799

товар відсутній

FQPF12N60C

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товар відсутній

FQPF12N60C

Description: ONSEMI - FQPF12N60C - MOSFET, N, TO-220F
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 623 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

230+	134.04 грн

Мінімальне замовлення: 230

FQPF12N60C

MOSFETs The factory Is currently not accepting orders for this product

товар відсутній

FQPF12N60C-FS

Description: 12A, 600V, 0.65OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V

товар відсутній

FQPF12N60C51W

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQPF12N60C; 12A; 600V; 51W; 0,65R; N-канальный; Корпус: TO-220F; Fairchild

на замовлення 1 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

1+	688.8 грн

FQPF12N60CT

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube

товар відсутній

FQPF12N60CT

MOSFET N-CH/600V/12A QFET C-Series

товар відсутній

FQPF12N60CT

товар відсутній

FQPF12N60CT_NL

MOSFET N-CH/600V/12A/QFET C-Series

товар відсутній

FQPF12N60C_NL

MOSFET

товар відсутній

FQPF12N60T

Trans MOSFET N-CH 600V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220F T/R

товар відсутній

FQPF12N60T

на замовлення 1336 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

286+	73.45 грн

Мінімальне замовлення: 286

FQPF12N60T

MOSFET 600V N-Channel QFET

товар відсутній

FQPF12N60T

Description: ONSEMI - FQPF12N60T - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1336 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

345+	76.48 грн

Мінімальне замовлення: 345

FQPF12N60T_NL

MOSFET

товар відсутній

FQPF12N60_NL

MOSFET

товар відсутній

FQPF12P10

Description: ONSEMI - FQPF12P10 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 114717 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

629+	41.47 грн

Мінімальне замовлення: 629

FQPF12P10

Description: MOSFET P-CH 100V 8.2A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V

на замовлення 114717 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

523+	40.02 грн

Мінімальне замовлення: 523

FQPF12P20

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQPF12P20

Description: MOSFET P-CH 200V 7.3A TO-220F

товар відсутній

FQPF12P20

Trans MOSFET P-CH 200V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail

товар відсутній

FQPF12P20XDTU

Description: MOSFET P-CH 200V 7.3A TO-220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 3.65A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V

товар відсутній

FQPF12P20YDTU

Description: MOSFET P-CH 200V 7.3A TO-220F

товар відсутній

FQPF13N06

Trans MOSFET N-CH 60V 9.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail

товар відсутній

FQPF13N06

Description: MOSFET N-CH 60V 9.4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V

на замовлення 2334 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

888+	23.87 грн

Мінімальне замовлення: 888

FQPF13N06

Description: ONSEMI - FQPF13N06 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 2334 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1069+	24.76 грн

Мінімальне замовлення: 1069

FQPF13N06L

MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level

на замовлення 17841 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	93.48 грн
10+	83.25 грн
100+	56.23 грн
500+	46.46 грн

Мінімальне замовлення: 4

FQPF13N06L

FQPF13N06L

на замовлення 113 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	56.97 грн
100+	41.06 грн

Мінімальне замовлення: 11

FQPF13N06L

Description: ONSEMI - FQPF13N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.088 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 24
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 24
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.088
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товар відсутній

FQPF13N06L

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.1A; Idm: 40A; 24W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.1A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 24W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FQPF13N06L

FQPF13N06L

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	63.41 грн

Мінімальне замовлення: 10

FQPF13N06L

Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товар відсутній

FQPF13N06L

FQPF13N06L

товар відсутній

FQPF13N06L

Description: MOSFET N-CH 60V 10A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

на замовлення 178 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	72.99 грн
50+	56.58 грн
100+	44.84 грн

Мінімальне замовлення: 5

FQPF13N06L

товар відсутній

FQPF13N06LTU

03+

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQPF13N10

Trans MOSFET N-CH 100V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail

товар відсутній

FQPF13N10

Description: MOSFET N-CH 100V 8.7A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 4.35A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V

на замовлення 146426 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

452+	46.98 грн

Мінімальне замовлення: 452

FQPF13N10

MOSFET 100V N-Channel QFET

товар відсутній

FQPF13N10

Description: ONSEMI - FQPF13N10 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 146426 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

544+	48.1 грн

Мінімальне замовлення: 544

FQPF13N10L

Description: MOSFET N-CH 100V 8.7A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 4.35A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V

товар відсутній

FQPF13N10L

MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level

товар відсутній

FQPF13N10_NL

MOSFET

товар відсутній

FQPF13N50

02+

на замовлення 510 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQPF13N50

Description: MOSFET N-CH 500V 12.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 6.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V

товар відсутній

FQPF13N50
Код товару: 42632

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товар відсутній

FQPF13N50

Description: ONSEMI - FQPF13N50 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2475 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

268+	113.54 грн

Мінімальне замовлення: 268

FQPF13N50

MOSFETs 500V N-Channel QFET

товар відсутній

FQPF13N50

Description: MOSFET N-CH 500V 12.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 6.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

на замовлення 2475 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

222+	94.43 грн

Мінімальне замовлення: 222

FQPF13N50C

Description: ONSEMI - FQPF13N50C - QFC 500V 480MOHM TO220F
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 358 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FQPF13N50C

MOSFETs 500V N-Ch Q-FET advance C-Series

на замовлення 419 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	194.34 грн
10+	159.23 грн
100+	110.35 грн
250+	101.91 грн
500+	92.78 грн
1000+	78.72 грн
2000+	74.5 грн

Мінімальне замовлення: 2

FQPF13N50C

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQPF13N50C

Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товар відсутній

FQPF13N50C

Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V

товар відсутній

FQPF13N50C

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQPF13N50C

Description: QFC 500V 480MOHM TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

на замовлення 16307 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

231+	90.93 грн

Мінімальне замовлення: 231

FQPF13N50C
Код товару: 130072

товар відсутній

FQPF13N50C

Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товар відсутній

FQPF13N50C-ON

Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

на замовлення 358 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

231+	90.93 грн

Мінімальне замовлення: 231

FQPF13N50CF

Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товар відсутній

FQPF13N50CF

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; Idm: 52A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FQPF13N50CF
Код товару: 161545

товар відсутній

FQPF13N50CF

Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товар відсутній

FQPF13N50CF

Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

на замовлення 34 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	283.59 грн
10+	179.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

FQPF13N50CF

MOSFETs HIGH VOLTAGE

на замовлення 1219 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	223.04 грн
50+	175.4 грн
100+	130.73 грн
500+	115.97 грн
1000+	97.7 грн

Мінімальне замовлення: 2

FQPF13N50CF

товар відсутній

FQPF13N50CSDTU

Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

товар відсутній

FQPF13N50CT

MOSFET N-CH/500V/13A QFET C-Series

товар відсутній

FQPF13N50CT

Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

товар відсутній

FQPF13N50CTC003

Description: MOSFET N-CHANNEL 500V, 13A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

товар відсутній

FQPF13N50CT_NL

MOSFET 500V, NCH, MOSFET

товар відсутній

FQPF13N50C_F105

Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

товар відсутній

FQPF13N50T

Trans MOSFET N-CH 500V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail

товар відсутній

FQPF13N50T

Description: MOSFET N-CH 500V 12.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 6.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

товар відсутній

FQPF14N15

Description: MOSFET N-CH 150V 9.8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 25 V

на замовлення 1856 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

544+	39.15 грн

Мінімальне замовлення: 544

FQPF14N15

Description: ONSEMI - FQPF14N15 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 1856 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

655+	40.05 грн

Мінімальне замовлення: 655

FQPF14N30

на замовлення 8200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQPF14N30

Description: MOSFET N-CH 300V 8.5A TO220F

товар відсутній

FQPF15P12

Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -120V; -10.6A; Idm: -60A; 41W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -120V
Drain current: -10.6A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 41W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FQPF15P12

Description: ONSEMI - FQPF15P12 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 120 V, 15 A, 0.17 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 41
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 41
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товар відсутній

FQPF15P12

Description: MOSFET P-CH 120V 15A TO220F

на замовлення 984 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	175.63 грн
10+	152.29 грн
100+	122.41 грн
500+	94.38 грн

Мінімальне замовлення: 2

FQPF15P12

MOSFET 120V P-Channel QFET

на замовлення 4796 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	200.9 грн
10+	178.63 грн
100+	124.41 грн
500+	102.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

FQPF15P12

Trans MOSFET P-CH 120V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товар відсутній

FQPF15P12

товар відсутній

FQPF15P12

Trans MOSFET P-CH 120V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товар відсутній

FQPF16N15

Description: FQPF1611.61500.16OHN-CHANNEMOSFE
Packaging: Tube

товар відсутній

FQPF16N15

MOSFET 150V N-Ch QFET

на замовлення 19 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FQPF16N15

Trans MOSFET N-CH 150V 11.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 231 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

43+	13.92 грн

Мінімальне замовлення: 43

FQPF16N15

Trans MOSFET N-CH 150V 11.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товар відсутній

FQPF16N15

Trans MOSFET N-CH 150V 11.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 231 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FQPF16N15

Description: ONSEMI - FQPF16N15 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 754 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FQPF16N25

Description: ONSEMI - FQPF16N25 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 88608 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

391+	67.02 грн

Мінімальне замовлення: 391

FQPF16N25

Description: MOSFET N-CH 250V 9.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 4.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V

на замовлення 79048 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

325+	63.99 грн

Мінімальне замовлення: 325

FQPF16N25

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQPF16N25C

Description: ONSEMI - FQPF16N25C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 15.6 A, 0.22 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 15.6
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 43
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 43
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товар відсутній

FQPF16N25C

Description: MOSFET N-CH 250V 15.6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V

товар відсутній

FQPF16N25C

на замовлення 9950 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FQPF16N25C

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 9.8A; Idm: 62.4A; 43W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 9.8A
Pulsed drain current: 62.4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 53.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FQPF16N25C

Trans MOSFET N-CH 250V 15.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товар відсутній

FQPF16N25C

MOSFET N-CH/250V /16A/QFET

товар відсутній

FQPF16N25C

товар відсутній

FQPF16N25C