![FQPF11P06 FQPF11P06](https://media.digikey.com/Renders/Fairchild%20Semi%20Renders/TO-220F.jpg)
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 108.56 грн |
10+ | 93.5 грн |
100+ | 72.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQPF11P06 onsemi
Category: THT P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6.08A; Idm: -34.4A; 30W, Mounting: THT, Kind of package: tube, Drain-source voltage: -60V, Drain current: -6.08A, On-state resistance: 0.175Ω, Type of transistor: P-MOSFET, Power dissipation: 30W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 17nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±25V, Pulsed drain current: -34.4A, Case: TO220FP, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції FQPF11P06 за ціною від 61.12 грн до 117.08 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FQPF11P06 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 1732 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
FQPF11P06 | Виробник : ONSEMI |
![]() Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 8.6 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 30 Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: QFET Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 788 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
FQPF11P06 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6.08A; Idm: -34.4A; 30W Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: -60V Drain current: -6.08A On-state resistance: 0.175Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 30W Polarisation: unipolar Gate charge: 17nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: -34.4A Case: TO220FP кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
FQPF11P06 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
FQPF11P06 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6.08A; Idm: -34.4A; 30W Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: -60V Drain current: -6.08A On-state resistance: 0.175Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 30W Polarisation: unipolar Gate charge: 17nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: -34.4A Case: TO220FP |
товар відсутній |