Продукція > ONSEMI > FQP3N30
FQP3N30

FQP3N30 ONSEMI

ONSM-S-A0003584516-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP3N30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 3.2 A, 1.65 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 38835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+108.4 грн
10+ 88.91 грн
100+ 65.74 грн
500+ 50.48 грн
Мінімальне замовлення: 8
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQP3N30 ONSEMI

Description: ONSEMI - FQP3N30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 3.2 A, 1.65 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 55W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: QFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2022).

Інші пропозиції FQP3N30

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FQP3N30 Виробник : FAIRCHIL fqp3n30-d.pdf
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQP3N30
Код товару: 173281 		fqp3n30-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FQP3N30 FQP3N30 Виробник : ON Semiconductor fqp3n30.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FQP3N30 FQP3N30 Виробник : onsemi fqp3n30-d.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 3.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
товар відсутній
FQP3N30 FQP3N30 Виробник : onsemi / Fairchild FQP3N30_D-2314058.pdf MOSFET 300V N-Channel QFET
товар відсутній