![FQP6N90C FQP6N90C](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/fee66d5bbefbe47bcf90d79e914b9a646481854f/cs-5203a.jpg)
FQP6N90C ON Semiconductor
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
121+ | 100.38 грн |
126+ | 95.89 грн |
250+ | 92.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQP6N90C ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 900V 6A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 167W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQP6N90C за ціною від 109.86 грн до 109.86 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FQP6N90C | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
FQP6N90C Код товару: 128174 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||
![]() |
FQP6N90C | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||
FQP6N90C | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
||||||
![]() |
FQP6N90C | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||
![]() |
FQP6N90C | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
товар відсутній |