на замовлення 46015 шт:
термін постачання 371-380 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 121.66 грн |
| 10+ | 99.94 грн |
| 100+ | 70.22 грн |
| 250+ | 67.23 грн |
| 500+ | 60.9 грн |
| 1000+ | 52.56 грн |
| 2500+ | 49.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQP3P50 onsemi / Fairchild
Description: MOSFET P-CH 500V 2.7A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.35A, 10V, Power Dissipation (Max): 85W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQP3P50
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
FQP3P50 Код товару: 154101 |
Виробник : ON |
 Транзистори > Польові P-канальніКорпус: TO-220 Uds,V: 500 V Id,A: 2,7 A Rds(on),Om: 3,9 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 510/18 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
||
 |
FQP3P50 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 500V 2.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|
 |
FQP3P50 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 500V 2.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|
|
|
FQP3P50 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 500V 2.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|
 |
FQP3P50 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 500V 2.7A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.35A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
 |
FQP3P50 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -2.7A; 85W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -500V Drain current: -2.7A Power dissipation: 85W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.9Ω Mounting: THT Gate charge: 23nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |